高功率半导体激光器红外缺陷发射与热效应

高功率半导体激光器红外缺陷发射与热效应

论文摘要

高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在国防军事、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征,以及相关研究进展,通过聚焦商用器件,利用变条件分波段发射谱及其热像,展示了与缺陷相关的发射信号来源和空间分布,分析了内部光学损伤(COD)动力学,指出了现有"外COD"模型在解释器件热退化机理上的局限性。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 样品信息及实验条件
  •   2.1 样品信息
  •   2.2 实验细节
  • 3 实验结果与讨论
  •   3.1 GaAs基HPLDs
  •   3.2 GaN基HPLDs
  • 4 结束语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 越方禹,毛峰,王涵,张小玲,陈晔,敬承斌,褚君浩

    关键词: 激光器,高功率半导体激光器,红外缺陷发射,热效应

    来源: 激光与光电子学进展 2019年11期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,基础科学

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 华东师范大学信息学院光电系极化材料与器件教育部重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

    基金: 国家自然科学基金(61790583,61874043,61775060,61874045)

    分类号: TN248.4

    页码: 9-17

    总页数: 9

    文件大小: 2316K

    下载量: 182

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