全文摘要
本实用新型系提供一种具有散热结构的贴片式三极管，包括绝缘基座和绝缘封装体，绝缘基座和绝缘封装体之间设有互不接触的第一导电引脚、第二导电引脚和第三导电引脚，第一导电引脚上导电连接有三极管晶片，三极管晶片远离第一导电引脚的一电极通过第一导线与第二导电引脚导电连接，三极管晶片远离第一导电引脚的又一电极通过第二导线与第三导电引脚导电连接；绝缘基座中设有若干散热网孔，散热网孔贯穿绝缘基座的上下两侧，绝缘封装体的顶部通过黏胶层连接有散热陶瓷层。本实用新型能有效确保导电引脚与外部环境能够直接接触，从而提高导电引脚的散热效率，三极管晶片工作时产生的热量能够快速传递到外界空气中。
主设计要求
1.一种具有散热结构的贴片式三极管，包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20)，其特征在于，所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有互不接触的第一导电引脚(31)、第二导电引脚(32)和第三导电引脚(33)，所述第一导电引脚(31)上导电连接有三极管晶片(40)，所述三极管晶片(40)远离所述第一导电引脚(31)的一电极通过第一导线(41)与所述第二导电引脚(32)导电连接，所述三极管晶片(40)远离所述第一导电引脚(31)的又一电极通过第二导线(42)与所述第三导电引脚(33)导电连接；所述绝缘基座(10)中设有若干散热网孔(11)，所述散热网孔(11)贯穿所述绝缘基座(10)的上下两侧，所述绝缘封装体(20)的顶部通过粘胶层(21)连接有散热陶瓷层(22)。
设计方案
1.一种具有散热结构的贴片式三极管，包括绝缘基座(10)和绝缘封装体(20)，其特征在于，所述绝缘基座(10)和所述绝缘封装体(20)之间设有互不接触的第一导电引脚(31)、第二导电引脚(32)和第三导电引脚(33)，所述第一导电引脚(31)上导电连接有三极管晶片(40)，所述三极管晶片(40)远离所述第一导电引脚(31)的一电极通过第一导线(41)与所述第二导电引脚(32)导电连接，所述三极管晶片(40)远离所述第一导电引脚(31)的又一电极通过第二导线(42)与所述第三导电引脚(33)导电连接；
所述绝缘基座(10)中设有若干散热网孔(11)，所述散热网孔(11)贯穿所述绝缘基座(10)的上下两侧，所述绝缘封装体(20)的顶部通过粘胶层(21)连接有散热陶瓷层(22)。
2.根据权利要求1所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述绝缘基座(10)为散热硅胶座。
3.根据权利要求1所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述散热网孔(11)仅分布于所述第一导电引脚(31)的下方。
4.根据权利要求3所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述第一导电引脚(31)的底面覆盖有防腐蚀层(311)。
5.根据权利要求4所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述防腐蚀层(311)为铝层。
6.根据权利要求1所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述绝缘封装体(20)为环氧树脂封装体。
7.根据权利要求1所述的一种具有散热结构的贴片式三极管，其特征在于，所述粘胶层(21)为散热硅胶层。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及三极管，具体公开了一种具有散热结构的贴片式三极管。
背景技术
三极管，全称半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结吧整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
SOT-23是一种表面贴装的封装形式，引脚设有三个。贴片式三极管一般包括三个导电引脚、三极管晶片和封装体。贴片式三极管通常焊接安装在电路板上使用，一般情况下，贴片式三极管的底面与电路板的表面接触或两者之间只有极小间距，三极管晶片工作产生的热量无法有效从三极管晶片的底部消散，容易积聚热量导致贴片式三极管和所应用电路板的温度过高而影响它们的正常性能。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种具有散热结构的贴片式三极管，散热性能好，能够有效确保整体的工作性能。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种具有散热结构的贴片式三极管，包括绝缘基座和绝缘封装体，绝缘基座和绝缘封装体之间设有互不接触的第一导电引脚、第二导电引脚和第三导电引脚，第一导电引脚上导电连接有三极管晶片，三极管晶片远离第一导电引脚的一电极通过第一导线与第二导电引脚导电连接，三极管晶片远离第一导电引脚的又一电极通过第二导线与第三导电引脚导电连接；
绝缘基座中设有若干散热网孔，散热网孔贯穿绝缘基座的上下两侧，绝缘封装体的顶部通过粘胶层连接有散热陶瓷层。
进一步的，绝缘基座为散热硅胶座。
进一步的，散热网孔仅分布于第一导电引脚的下方。
进一步的，第一导电引脚的底面覆盖有防腐蚀层。
进一步的，防腐蚀层为铝层。
进一步的，绝缘封装体为环氧树脂封装体。
进一步的，粘胶层为散热硅胶层。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种具有散热结构的贴片式三极管，设置贯穿绝缘基座的散热网孔，能有效确保导电引脚与外部环境能够直接接触，从而提高导电引脚的散热效率，三极管晶片工作时产生的热量能够通过导电引脚快速传递到外界空气中，避免三极管晶片积聚过多热量，能够有效确保贴片式三极管整体的工作性能。
附图说明
图1为本实用新型的俯视结构示意图。
图2为本实用新型沿图1中A-A’的剖面结构示意图。
图3为本实用新型除去绝缘封装体、粘胶层和散热陶瓷层后的立体结构示意图。
附图标记为：绝缘基座10、散热网孔11、绝缘封装体20、粘胶层21、散热陶瓷层22、第一导电引脚31、防腐蚀层311、第二导电引脚32、第三导电引脚33、三极管晶片40、第一导线41、第二导线42。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1至图3。
本实用新型实施例公开一种具有散热结构的贴片式三极管，包括绝缘基座10和绝缘封装体20，绝缘基座10和绝缘封装体20之间设有互不接触的第一导电引脚31、第二导电引脚32 和第三导电引脚33，第一导电引脚31上导电连接有三极管晶片40，即三极管晶片40的一电极焊接在第一导电引脚31上，三极管晶片40远离第一导电引脚31的一电极通过第一导线41 与第二导电引脚32导电连接，三极管晶片40远离第一导电引脚31的又一电极通过第二导线 42与第三导电引脚33导电连接，优选地，第一导线41和第二导线42均为铜线，铜具有良好的导电性和机械抗性，且铜的材料成本较低；
绝缘基座10中设有若干散热网孔11，散热网孔11贯穿绝缘基座10的上下两侧，三极管晶片40工作产生的热量直接传递到第一导电引脚31上，第一导电引脚31的热量直接通过散热网孔11传递到外部空气中，散热效率高，绝缘封装体20的顶部通过粘胶层21连接有散热陶瓷层22，散热陶瓷具有良好的导热性能，能够有效提高绝缘封装体20的散热效率，从而确保三极管晶片40能够正常工作。
制作本实用新型时，先将三极管晶片40焊接在第一导电引脚31上，再将三极管晶片40 的另外两个电极分别与第一导线41和第二导线42焊接相连，第一导线41和第二导线42的另一端分别与第二导电引脚32和第三导电引脚33焊接相连，将第一至第三导电引脚放置在绝缘基座10上，将绝缘基座10放在注塑模具中，散热网孔11与注塑模具下模底部的凸起结构匹配，注塑后，绝缘基座10上形成绝缘封装体20，绝缘封装体20包裹三极管晶片40和三个导电引脚的一部分，三个导电引脚的另一部分凸出于绝缘封装体20，用以与所应用的电路相连。
本实用新型设置贯穿绝缘基座的散热网孔，能有效确保导电引脚与外部环境能够直接接触，从而提高导电引脚的散热效率，三极管晶片工作时产生的热量能够通过导电引脚快速传递到外界空气中，避免三极管晶片积聚过多热量，能够有效确保贴片式三极管整体的工作性能。
在本实施例中，绝缘基座10为散热硅胶座，散热硅胶具有良好的导热性能和绝缘性能，三极管晶片40传递到第一导电引脚31上有少部分热量无法直接从散热网孔11流走，该少部分热量会传递到绝缘基座10上，散热硅胶制成的绝缘基座10能够有效提高整体结构的散热性能。
在本实施例中，散热网孔11仅分布于第一导电引脚31的下方，能够有效提高贴片式三极管整体结构的防水密封性，同时能够有效简化加工操作、降低加工成本。
基于上述实施例，第一导电引脚31的底面覆盖有防腐蚀层311，由于散热网孔11贯穿绝缘基座10，第一导电引脚31的底面暴露在外界空气中，防腐蚀层311能够有效避免第一导电引脚31被腐蚀损坏，可有效确保贴片式三极管整体结构的防腐性能。
基于上述实施例，防腐蚀层311为铝层，铝具有良好的防腐蚀性能，能够有效保护第一导电引脚31的结构。
在本实施例中，绝缘封装体20为环氧树脂封装体，环氧树脂具有良好的机械和化学抗性，能够有效保护贴片式三极管的内部结构。
在本实施例中，粘胶层21为散热硅胶层，能够有效提高贴片式三极管整体的散热效率。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920097475.5
申请日:2019-01-21
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:44(广东)
授权编号:CN209249453U
授权时间:20190813
主分类号:H01L 23/467
专利分类号:H01L23/467;H01L23/367
范畴分类:38F;
申请人:中之半导体科技（东莞）有限公司
第一申请人:中之半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址:523430 广东省东莞市寮步镇上屯工业区百业大道18号
发明人:田自会
第一发明人:田自会
当前权利人:中之半导体科技（东莞）有限公司
代理人:何新华
代理机构:44400
代理机构编号:东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计