导读:本文包含了晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:晶体管,阵列,定律,效应,石墨,结构,纺丝。
晶体管论文文献综述写法
朱丹丹,张燕楠,王建霞,孙健[1]（2019）在《石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析》一文中研究指出石墨烯基场效应晶体管(GFET)技术是实现基于石墨烯的高频器件、存储器、传感器以及集成电路的基本器件结构,其在半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。本文从专利申请的角度对GFET的发展进行了统计分析,介绍了GFET技术的国内外专利申请情况、主要技术分布和重要申请人分布,并对GFET的研究现状进行了梳理。(本文来源于《河南科技》期刊2019年36期）
李珍,翟亚红[2]（2019）在《铁电负电容场效应晶体管器件的研究》一文中研究指出铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年06期）
崔景淼[3]（2019）在《金属氧化物纳米纤维晶体管的制备及性能》一文中研究指出纳米材料的形貌结构以及理化性能相对来说都比较特殊,各方面的化学特性也都比较特殊,所以在当前国家对于研究纳米技术比较重视。目前最简单的一种制备纳米纤维晶体管的方式就是静电纺丝技术,该项技术产量比较高,而且还可以将操作成本降低,在各个领域当中应用的都比较广泛。(本文来源于《农家参谋》期刊2019年23期）
刘静,王琳倩,黄忠孝[4]（2019）在《基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应》一文中研究指出基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30%.(本文来源于《物理学报》期刊2019年24期）
[5]（2019）在《叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律》一文中研究指出目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入叁维空间,在最先进的硅芯片上直接堆迭第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接近极限。而随着硅晶体管尺寸变得越来越小,它们的工作电压也在不断下降(本文来源于《汽车零部件》期刊2019年11期）
[6]（2019）在《叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律》一文中研究指出目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入叁维空间,在最先进的硅芯片上直接堆迭第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接(本文来源于《机床与液压》期刊2019年22期）
邱晨辉[7]（2019）在《我国科学家成功研制高速晶体管》一文中研究指出日前，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹（MHz）提升至吉赫兹（GHz）(本文来源于《中国航空报》期刊2019-11-28）
刘燕丽,王伟,董燕,陈敦军,张荣[8]（2019）在《结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响》一文中研究指出基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明,增加GaN沟道层的厚度(5—15 nm)与InAlN背势垒层的厚度(10—40 nm),均使得器件的饱和输出电流增大,阈值电压发生负向漂移.器件的跨导峰值随Ga N沟道层厚度的增加与InAlN背势垒层厚度的减小而减小.模拟中,各种性能参数的变化趋势均随GaN沟道层与InAlN背势垒层厚度的增加而逐渐变缓,当GaN沟道层厚度超过15 nm、InAlN背势垒层厚度超过40 nm后,器件的饱和输出电流、阈值电压等参数基本趋于稳定.材料结构参数对器件性能影响的主要原因可归于器件内部极化效应、能带结构以及沟道中二维电子气的变化.(本文来源于《物理学报》期刊2019年24期）
刘海英[9]（2019）在《叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律》一文中研究指出科技日报华盛顿11月19日电 （记者刘海英）目前，用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度，至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径，将晶体管阵列带入叁维空间，在最先进的硅芯片上直接堆迭第(本文来源于《科技日报》期刊2019-11-21）
新型[10]（2019）在《长春光机所郭春雷中美联合光子实验室在钙钛矿光敏场效应晶体管方面的研究获得新进展》一文中研究指出新型钙钛矿是目前研究的热点材料之一,其相关研究在太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域取得了巨大的进展。基于钙钛矿材料的光电器件和电子器件制备工艺简单,易于大面积加工制造和集成到经典的电子器件中。但是,基于钙钛矿材料的场效应晶体管研究仍然较少,已报道的工作存在载流子迁移率较低、传输机理不明等问题。针对这一问题,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室的于伟利课题组采用空间限域、反温度结晶相结合的方法,制备了具有低缺陷密度的CsPbBr3薄单晶,克服了载流子在横向通道传输过程中易受晶界和晶粒缺陷影响的问题,制备出了高效的光敏场效应晶(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年11期）
晶体管论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶体管论文参考文献
[1].朱丹丹,张燕楠,王建霞,孙健.石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析[J].河南科技.2019
[2].李珍,翟亚红.铁电负电容场效应晶体管器件的研究[J].压电与声光.2019
[3].崔景淼.金属氧化物纳米纤维晶体管的制备及性能[J].农家参谋.2019
[4].刘静,王琳倩,黄忠孝.基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应[J].物理学报.2019
[5]..叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律[J].汽车零部件.2019
[6]..叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律[J].机床与液压.2019
[7].邱晨辉.我国科学家成功研制高速晶体管[N].中国航空报.2019
[8].刘燕丽,王伟,董燕,陈敦军,张荣.结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响[J].物理学报.2019
[9].刘海英.叁维晶体管阵列有望打破摩尔定律[N].科技日报.2019
[10].新型.长春光机所郭春雷中美联合光子实验室在钙钛矿光敏场效应晶体管方面的研究获得新进展[J].化工新型材料.2019