波型结构样品二次电子发射的Monte Carlo模拟（英文）

论文摘要

用于研究电子与固体相互作用的Monte Carlo（MC）模拟技术已成功应用于获得测长扫描电子显微镜（CD-SEM）中的线扫描轮廓曲线.以前的研究主要关注具有尖锐边缘的简单几何形状的样品,为此将相应的模拟扩展到具有平滑弯曲形貌的波形结构样品. MC模拟模型用Mott截面描述电子的弹性散射以及基于完全Penn算法的介电函数理论描述电子的非弹性散射.综合考虑了不同实验因素,如电子束能量,几何参数和材料性质对波型结构样品CD-SEM线扫描曲线的影响;计算表明,随着样品结构高度的降低,二次电子的两个侧边峰可以合并成一个中心单峰,该特征为平滑线状结构样品的关键尺寸表征带来了新的挑战.

论文目录

• 0 Introduction
• 1 Simulation Method
•   1.1Simulation Model
•   1.2 Electron Elastic Scattering
•   1.3 Electron Inelastic Scattering
•   1.4 Geometrical Representation
•   1.5 Boundary Correction
• 2 Results and Discussion

文章来源

类型: 期刊论文

作者: KHAN Muhammad Saadat Shakoor,邹艳波,李超,丁泽军

关键词: 扫描电子显微镜,二次电子

来源: 中国科学技术大学学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室中国科学技术大学,新疆师范大学物理与电子工程学院

基金: Supported by the National Natural Science Foundation of China(11574289),Special Program for Applied Research on Supercomputation of the NSFC-Guangdong Joint Fund(U1501501),“111”Project of the Education Ministry and Fundamental Research Funds for the Central Universities(WK6030000088)

分类号: TN16;O462.2

页码: 79-86

总页数: 8

文件大小: 2005K

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