论文摘要
一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料。基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25?,长150?的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线。通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 姜海越,张振宇,黄思玲
关键词: 纳米线,分子动力学模拟,重新键合,势能
来源: 硬质合金 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,材料科学
单位: 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
基金: 大连市杰出青年科技人才(2016RJ05)
分类号: TQ163.4;TB383.1
页码: 283-288
总页数: 6
文件大小: 1209K
下载量: 104
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