导读:本文包含了双势垒量子阱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光电器件,量子点,光电流谱,I-V特性
双势垒量子阱论文文献综述
王伟伟[1]（2016）在《InAs/InGaAs/GaAs双势垒量子点—量子阱光电特性的研究》一文中研究指出与传统的晶态体材料相比,半导体结构具有许多新颖的物理性质,蕴藏着丰富的物理效应。基于这些物理性质和物理效应,可以设计与制作高性能电子输运器件和光电子器件。建模仿真有助于了解光电器件新颖的物理特性,对器件的研制与改进起到了非常重要的作用,而器件的实际测试验证则是必不可少的重要环节。由于双势垒的作用,双势垒量子点-量子阱的基态能级将变得更低,因此具有此结构的光电探测器拥有更低的暗电流。并且量子点由于应变弛豫,量子点也呈现了更好的光学特性。本文应用Crosslight Apsys光电器件仿真软件,在前人研究的基础上,学习研究双势垒量子点-量子阱光电器件模型,进一步进行光电流瞬态谱,EL谱特性研究,研究量子点结构对光电特性的影响。给器件模型施加光脉冲,仿真了光电流随光脉冲的瞬态响应。进一步讨论光脉冲消失后,量子阱和量子点存储的电子、空穴衰变过程。光电器件在低温下会呈现新的特性。因此本文建立了一个模型来预测不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性。预测结果表明该模型具有高的准确性。(本文来源于《华东师范大学》期刊2016-04-01）
徐朋[2]（2015）在《双势垒量子点CCD读出》一文中研究指出上世纪末至今,量子点光电探测器(Quantum dot photodetector, QDP)技术取得了长足的发展。与其它光电探测技术相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子点光电探测器具有工艺成熟、热稳定性好、多色探测和均匀性高等优势。论文针对高灵敏、宽动态范围和良好光电存储特性的InGaAs/GaAs双势垒量子点光电器件,进行CCD读出研究。具体研究内容有：1、InGaAs量子点光电探测器的电荷转移读出。2、64元双势垒量子点光电探测器和CTIA读出电路对接线列的光电响应。3、应用氦气循环制冷技术,验证了读出电路芯片能在45K的低温环境下工作。(本文来源于《华东师范大学》期刊2015-05-01）
金晓波[3]（2015）在《双势垒量子点光电探测器特性研究》一文中研究指出近年来,光信号处理与光子计算机将具有举足轻重的地位。光敏传感阵列是探测器前端最为核心的元件。其在航天、军事和生物等领域都有广泛的应用。本文研究GaAs/AlAs/AlGaAs/InAs双势垒量子点量子阱探测器的相关性能表征,对比器件温度特性,分析暗电流零点漂移,低温强光负阻等现象。并在量子点荧光试剂探测方面得到了初步结果：1.使用Bruker VERTEX 80/80V傅立叶变换红外光谱仪测量器件常温低温光谱,就峰值出现的波长对比了器件的常温低温性能。2.由于器件内部存在量子点,工作时存在电荷存储效应。为了能更加精准的测量器件在低温时对微弱光的响应,器件在-2V的初始偏压脉冲后,3.3 pW时初始脉冲使器件响应增加了80.34%(0.1V)。3.利用自主研发的64元量子点光谱仪测试CdTe量子点荧光水溶液,在激发光470 nm波长时的荧光响应。与PerkinElmer LS55荧光分光光度计进行对比测试,验证了新型光谱仪性能。(本文来源于《华东师范大学》期刊2015-04-01）
孟晓[4]（2015）在《GaAs基双势垒超晶格量子阱RTD器件研究》一文中研究指出RTD(Resonant Tunneling Diode)是一种具有微分负阻效应的纳米器件,具有负阻、双稳自锁、高频高速、低压低功耗等特性。目前关于RTD在集成电路领域应用已投入了大量的研究,并已经取得了一些应用成果。随着MBE(分子束外延)、MOCVD(金属有机物化学气相淀积)等精密生长技术的发展,RTD已经成为了率先投入生产的纳米量子器件之一。但由于国内对RTD理论和应用的研究还比较欠缺,工艺上原子级精度的集成外延控制技术还有待改善,使得制造出的RTD性能不是很理想。本文以GaAs基RTD为研究对象,首先概述了RTD的国内外研究现状,比较详细的探讨了其电流传输机理,并建立了GaAs基器件结构和物理机理的电学特性数学模型;在此基础上初步设计了比较合理的GaAs基RTD器件结构;使用SILVACO公司的器件仿真软件Atlas对此结构进行了器件的电学特性仿真,研究透射系数与外加偏压以及材料结构参数之间的关系,NDR(微分负阻特性)随材料结构参数(主要包括势垒宽度、势阱宽度以及集电极和发射极掺杂浓度等)以及势垒高度等的变化规律。通过理论计算和仿真优化,初步总结了对称DBS(双势垒单势阱)RTD中适合低压低功耗的多值逻辑电路应用的比较的合理的材料结构参数。为了降低RTD的峰、谷值电压和非共振隧穿电流,更好的应用于多值逻辑电路中,本文提出了一种改进方法,主要是采用非对称双势垒RTD结构,通过改变非对称RTD势垒高度和势垒宽度,在反向偏压下实现提高透射系数,进一步降低峰值电压和非共振隧穿电流。并最终提出采用GaAs/AlGa As基双势垒RTD实现多值逻辑电路设计所需的材料参数。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2015-03-01）
王瑞琴,宫箭,武建英,陈军[5]（2013）在《对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性》一文中研究指出电子的隧穿时间是描述量子器件动态工作范围的重要指标.本文考虑k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应对系统哈密顿量的修正,结合转移矩阵方法和龙格-库塔法来解含时薛定谔方程,进而讨论了电子在非磁半导体对称双势垒结构中的透射系数及隧穿寿命等问题.研究结果发现:由于k3Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,并在时间域内得到了表达,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂;不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同,这是导致自旋极化的原因之一;电子的自旋极化在时间上趋于稳定.(本文来源于《物理学报》期刊2013年08期）
王丽[6]（2012）在《有限厚势垒量子阱中杂质态的结合能及其压力效应》一文中研究指出本文利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和A1组分的变化关系及其流体静压力效应,且与无限厚势垒情形进行比较,结果表明：有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间阱宽时,这两种情形的杂质态结合能差别最大,在宽阱时,差别最小.此外,还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响,结论类似于零压情形,但压力效应较零压时更为显着.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2012-05-15）
王丽,班士良[7]（2012）在《有限厚势垒量子阱中杂质态结合能》一文中研究指出利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系,且与无限厚势垒情形进行比较.结果表明,有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间阱宽时,这两种情形的杂质态结合能差别最大,在宽阱时,差别最小.此外,还考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力变化对杂质态结合能的影响.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
周秋云[8]（2011）在《单势垒量子阱电容电抗器的力学特性分析》一文中研究指出近年来,随着分子束外延技术(MBE)和纳机电系统加工技术的发展和应用,各种新型的超晶格量子阱器件被加工出来。由于尺寸变小而产生包含量子效应的各种效应就会凸显出来,基于这些效应的纳机电器件就会体现出新的特征和性能。本文在介观压阻效应的基础上,介绍了一种新的传感器,即单势垒量子阱电容电抗器,并通过对此单势垒量子阱结构加一定的应力,来改变材料的能带、参数和物理特性,最终达到提高电容电抗器的灵敏度和电容调制比的目的,高的电容调制比意味着高的器件工作频率。本文详细介绍了当一束电子波从发射极发射到集电极时电子波的传输过程,其中,发射极和集电极之间是由InGaAs/AlAs/InAlAs材料组成的单势垒量子阱结构,在此基础上推导出了反射系数和透射系数,并由此推出了传导电流的公式,介绍了传导电流减小的方法。在介观压阻效应的基础上,利用Matlab软件,模拟了电容电抗器的电容的变化,最终使电容电抗器的调制比得到了提高。主要研究内容如下:(1)对超晶格量子阱材料进行了分析,并在此基础上,介绍了Ⅲ-Ⅴ族元素,选择合适的势垒材料,并列出了势垒结构。(2)结合本论文的要点对单势垒量子阱电容电抗二极管的电子波的传输和能带结构进行了描述;(3)介绍了单势垒量子阱电容电抗器中传导电流减小的方法。(4)通过对单势垒结构在大偏压和小偏压下两种情况的分析,推导出在大偏压下和小偏压下的电容的表达式。较为详细的介绍了单势垒结构加一定应变时电容的变化情况,推导出了电容电抗器的压容系数,最终达到提高电容电抗器的灵敏度和调制比的目的。(本文来源于《中北大学》期刊2011-05-31）
杨军,武文远,龚艳春,戴斌飞,黄雁华[9]（2008）在《电子双势垒量子隧穿的散射矩阵方法及其数值模拟》一文中研究指出采用散射矩阵的方法研究了电子在由两个方势垒组成的双势垒结构中的隧穿特性.将电子在双势垒中的隧穿过程分为相干输运和非相干输运两部分来研究,相干输运导致了隧穿透射系数随中间层厚度变化产生量子振荡,而非相干输运导致了振荡振幅的衰减.双势垒总的透射系数与势垒高度、入射和出射波矢的匹配性有关,数值计算的结果证实了相关结论.(本文来源于《大学物理》期刊2008年07期）
谢斌,薛晨阳,张文栋,张斌珍[10]（2007）在《双势垒量子阱薄膜压阻效应实验研究》一文中研究指出采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了AlAs/GaAs双势垒量子阱薄膜结构。介绍了量子阱薄膜在单轴压力作用下的压阻实验,测试出薄膜在压力影响下的I-V曲线,并分析了量子阱薄膜压阻效应的成因。通过实验证实了量子阱薄膜具有较高灵敏度的压阻效应,其压阻灵敏度比目前常用的多晶硅的压阻灵敏度提高一个数量级。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2007年03期）
双势垒量子阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
上世纪末至今,量子点光电探测器(Quantum dot photodetector, QDP)技术取得了长足的发展。与其它光电探测技术相比,Ⅲ-Ⅴ族化合物材料量子点光电探测器具有工艺成熟、热稳定性好、多色探测和均匀性高等优势。论文针对高灵敏、宽动态范围和良好光电存储特性的InGaAs/GaAs双势垒量子点光电器件,进行CCD读出研究。具体研究内容有：1、InGaAs量子点光电探测器的电荷转移读出。2、64元双势垒量子点光电探测器和CTIA读出电路对接线列的光电响应。3、应用氦气循环制冷技术,验证了读出电路芯片能在45K的低温环境下工作。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双势垒量子阱论文参考文献
[1].王伟伟.InAs/InGaAs/GaAs双势垒量子点—量子阱光电特性的研究[D].华东师范大学.2016
[2].徐朋.双势垒量子点CCD读出[D].华东师范大学.2015
[3].金晓波.双势垒量子点光电探测器特性研究[D].华东师范大学.2015
[4].孟晓.GaAs基双势垒超晶格量子阱RTD器件研究[D].杭州电子科技大学.2015
[5].王瑞琴,宫箭,武建英,陈军.对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性[J].物理学报.2013
[6].王丽.有限厚势垒量子阱中杂质态的结合能及其压力效应[D].内蒙古大学.2012
[7].王丽,班士良.有限厚势垒量子阱中杂质态结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2012
[8].周秋云.单势垒量子阱电容电抗器的力学特性分析[D].中北大学.2011
[9].杨军,武文远,龚艳春,戴斌飞,黄雁华.电子双势垒量子隧穿的散射矩阵方法及其数值模拟[J].大学物理.2008
[10].谢斌,薛晨阳,张文栋,张斌珍.双势垒量子阱薄膜压阻效应实验研究[J].固体电子学研究与进展.2007