导读:本文包含了高深宽比论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:高深,电化学,集成电路,电流,沟道,侧壁,压印。
高深宽比论文文献综述
刘林韬[1]（2019）在《基于脉冲反向函数的电化学沉积高深宽比金纳米结构研究》一文中研究指出电化学沉积金微纳米结构在微电子、MEMS和光电子等领域应用广泛,但传统的氰化物镀液污染大,废液处理困难,现己被许多国家禁止使用。而无毒的亚硫酸金盐镀液由于分散度好,镀层质量高被认为是最具潜力的镀液,但目前它的研究还存在稳定性差、镀层微观形貌不清晰、成核和生长规律不明确等问题。本文提出了一种将新的方波脉冲反向函数引入亚硫酸金盐镀液体系的新思路来研究这些问题。该函数具有正向脉冲电流大、反向脉冲电流小和脉冲占空比低的特点。利用较大的正向脉冲促进晶核形成并进一步生长,反向脉冲抑制晶粒过快生长并刻蚀镀层表面突起,补充到扩散层中,提高离子分布的均匀性。本文深入研究了新型方波脉冲反向函数对电化学沉积过程中晶核形成和竞争生长规律的影响。通过调整脉冲电流密度来调节无毒亚硫酸盐镀液中晶核的成核和生长速率,进而控制微观结构的生长方向。另一方面,通过改变脉冲反向电流来研究其对金薄膜微观形貌和原子排列规律的影响。通过多种表征方法对上述试验结果进行了验证分析,包括利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)重现纳米至微米级镀膜生长过程中的晶粒生长和取向,利用透射式Kikuchi衍射(TKD)、SEM和原子力显微镜(AFM)对晶核形成初始状态进行测量表征,利用透射电子显微镜(TEM)、AFM和SEM对电化学沉积过程中的形成的晶核和晶粒进行形貌表征。通过对表征结果的分析得到最佳的正向电流密度为8.9mA/cm2,晶核快速的被均匀分布于表面,并沿着<111>方向优先生长为带有一定缺陷的单晶。在此结果上,脉冲函数引入0.4 mA的反向电流后,扩散层的离子分散度更高,基本上消除晶体结构中的缺陷和部分混晶,得到标准的单晶。最后利用以上研究来制备高深宽比金纳米结构,得到粗糙度低,微观结构致密的金纳米结构,并最终实现了横向分辨率小于100 nm,高度大于0.9μm,高宽比大于10的金纳米结构。(本文来源于《北方工业大学》期刊2019-05-06）
贺金鹏,蒋晓钧,明安杰,傅剑宇,罗军[2]（2019）在《40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善》一文中研究指出随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年03期）
李晓军,吕辉,朱和卿,赵雯,杜立群[3]（2019）在《雷达用高深宽比金属铜微通道散热器的制作》一文中研究指出基于电化学沉积技术在金属基底上制作了一种雷达用金属铜微通道散热器。针对使用高黏度SU–8胶制作高厚度胶膜时产生的胶厚不均匀问题,采用研磨抛光工艺处理未曝光的胶膜,提高了胶厚均匀性,成功解决了由于空气间隙大带来的尺寸偏差。提出了一种在曝光显影前利用折射率计算胶厚的方法,并通过最小二乘法确定了SU–8胶对钠黄光的折射率。针对高深宽比SU–8胶膜因曝光剂量选择不合适导致制作失败的问题,通过光刻试验分析了曝光剂量对胶膜质量的影响,确定了最优的曝光剂量为640mJ/cm2。在上述工艺和试验的基础上得到了质量良好的SU–8胶膜,并制作出了一种线宽50μm、高度大于250μm、深宽比大于5的金属铜微通道散热器,验证了该制作工艺的有效性。(本文来源于《航空制造技术》期刊2019年Z1期）
徐平,黄燕燕,张旭琳,杨伟,彭文达[4]（2019）在《无基膜高深宽比双面集成微结构元件的制作》一文中研究指出基于双面集成微结构薄片元件在集成光学成像、光束整形等方面的应用日益普及,针对其中一些一体化、高深宽比结构在制作方面的难点问题,本文提出一种无基膜支撑、高深宽比的双面集成微结构元件的制作新方法——紫外压印改进技术。通过该方法,成功地制作了无基膜、高深宽比结构的集成导光板样品;样品上下表面微结构形貌与金属模具在误差范围内保持一致,转印复制过程的物理结构形变小,且样品的厚度整体均匀、平整无翘曲。实验结果表明,本文提出的紫外压印改进技术方法能有效地制作无基膜支撑、双面集成高深宽比的微结构元件,可望在集成光学成像及光束整形、匀光、导光、聚光等光学器件制作领域有良好应用。(本文来源于《光学精密工程》期刊2019年01期）
吴昊,易培云,彭林法,来新民[5]（2018）在《高深宽比微细结构紫外光固化-脱模工艺建模与分析》一文中研究指出针对高深宽比结构的脱模问题,利用压缩试验获得了材料的力学性能,并用Ogden模型对其进行描述,建立了卷对卷紫外光(UV)固化-脱模工艺过程的有限元模型.分析了光照时长、残余层厚度、微结构深宽比以及结构间隙等参数对脱模最大应力的影响规律.结果表明:在结构深宽比为4∶1时,界面粘接力是导致脱模缺陷的主要原因;光照时长越长,残余层厚度越薄;微结构深宽比越小以及结构间隙越大,固化-脱模应力越小、越有利于脱模.(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2018年12期）
张海华,吕玉菲,鲁中轩[6]（2018）在《基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究》一文中研究指出为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS集成电路的集成,需要采用COMS工艺兼容的MEMS工艺。为此,采用了RIE、Bosch工艺以及RIE和Bosch工艺结合的3种方法进行深槽刻蚀工艺的探索,并最终采用RIE和Bosch工艺结合的方法获得槽侧壁非常光滑的深槽形貌。(本文来源于《电子技术应用》期刊2018年10期）
罗凡,冯飞,赵斌,田博文,杨雪蕾[7]（2018）在《基于微机电系统的高深宽比气相微色谱柱》一文中研究指出色谱柱的微型化是实现气相色谱仪微小型化必须要解决的关键问题之一。该文基于微机电系统技术设计制作了一种具有高深宽比微沟道的气相微色谱柱。通过COMSOL软件进行仿真分析,得出气相微色谱柱具有均匀的流速场分布。测试结果表明,该气相微色谱柱成功分离了烷烃类气体混合物及苯系物,其理论塔板数可达14 028 plates/m,C7~C8的分离度最高,为10.82。这种气相微色谱柱由于具有体积小、能耗低、分离性能好等优点,可望在微小型气相色谱仪上获得应用。(本文来源于《色谱》期刊2018年09期）
倪立华,周惟舜,张守龙[8]（2018）在《针对Nor-Flash高深宽比STI的ALD & SiCoNi新型复合填充工艺开发及优化》一文中研究指出依据产品研发需求,解决传统STI填充工艺在Nor-Flash高深宽比STI填充中极易产生孔洞的问题。结合实验数据和理论分析,提出传统填充工艺的图形负载效应和微观负载效应,并首创ALD&SiCoNi新型复合填充工艺,实现高深宽比STI的无孔洞填充。在此基础上,完成工艺窗口的优化,帮助Nor-Flash产品良率逾越70%大关。(本文来源于《集成电路应用》期刊2018年09期）
乔夫龙,耿金鹏,许鹏凯[9]（2018）在《一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究》一文中研究指出为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,>20)的图案掩模。其中,DPW IMP阻挡掩模可以做到更厚,约4.2μm,DPW pattern的space可以做到更小,约0.2μm。该工艺革新为后续deeper DPW IMP,pixel shrinking,同时提升CIS器件的FWC光素性能提供了可能,针对引入TRL的干刻工艺的主要建立过程予以技术说明。(本文来源于《集成电路应用》期刊2018年07期）
肖忠良,李德志,乐玉平,周朝花[10]（2018）在《高深宽比小口径微通道电化学沉积研究进展》一文中研究指出文章针对20/14 nm节点以下叁维封装高密度(10~4/mm~2)、高深宽比(≥10)、小口径(≤5μm)垂直互连微通道的成形制造,解决复杂电场下离子的选择输运与界面快速沉积生长机制、微通道无缺陷快速填充原理、多场耦合作用下时变填充过程建模等基本科学问题,探索微通孔电化学沉积、多介质薄膜的离子增强原子沉积。(本文来源于《现代盐化工》期刊2018年02期）
高深宽比论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难。基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提出了工艺改进方案。通过减小SiO_2厚度,减小接触孔深宽比,从而改善孔内聚合物在孔底部沉积的问题;通过优化刻蚀工艺参数提高SiN/SiO_2刻蚀选择比,保持刻蚀后SiO_2的厚度与改进前工艺相同。测试结果表明,工艺改进后接触孔底部关键尺寸稳定性提升36%,接触电阻稳定性提升20%。通过工艺改进提高了电参数稳定性,对40 nm工艺节点逻辑器件产品良率提升起到了关键作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高深宽比论文参考文献
[1].刘林韬.基于脉冲反向函数的电化学沉积高深宽比金纳米结构研究[D].北方工业大学.2019
[2].贺金鹏,蒋晓钧,明安杰,傅剑宇,罗军.40nm节点高深宽比接触孔刻蚀电性能稳定性改善[J].半导体技术.2019
[3].李晓军,吕辉,朱和卿,赵雯,杜立群.雷达用高深宽比金属铜微通道散热器的制作[J].航空制造技术.2019
[4].徐平,黄燕燕,张旭琳,杨伟,彭文达.无基膜高深宽比双面集成微结构元件的制作[J].光学精密工程.2019
[5].吴昊,易培云,彭林法,来新民.高深宽比微细结构紫外光固化-脱模工艺建模与分析[J].上海交通大学学报.2018
[6].张海华,吕玉菲,鲁中轩.基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究[J].电子技术应用.2018
[7].罗凡,冯飞,赵斌,田博文,杨雪蕾.基于微机电系统的高深宽比气相微色谱柱[J].色谱.2018
[8].倪立华,周惟舜,张守龙.针对Nor-Flash高深宽比STI的ALD&SiCoNi新型复合填充工艺开发及优化[J].集成电路应用.2018
[9].乔夫龙,耿金鹏,许鹏凯.一种干法刻蚀形成高深宽比CISDeep-PWellIMP掩模的工艺方法的探究[J].集成电路应用.2018
[10].肖忠良,李德志,乐玉平,周朝花.高深宽比小口径微通道电化学沉积研究进展[J].现代盐化工.2018
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