一、亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构（论文文献综述）
王建[1]（2021）在《基于偏振调制的高精度焦面检测技术研究》文中认为芯片已成为信息社会发展的物质基础,其按照摩尔定律一直向着更细的特征尺寸、更大硅片尺寸的方向发展。光刻技术是芯片制造的核心手段,而更细的线条尺寸意味着光刻分辨力的提高,更大的器件尺寸则意味着更大的光刻曝光视场。从光刻技术的发展来看,提高光刻分辨力的主要路径是增大投影物镜的数值孔径（Numerical Aperture,NA）、缩短曝光波长和降低工艺因子。但无论是增大物镜NA还是缩短曝光波长均极大的缩短了光刻的有效焦深,因此在现代高精度投影光刻中,焦面检测与控制是其中的关键整机技术,是实现光刻成像的前提,是良率的重要保证。从国内外发展情况看,先进投影光刻技术一般要求需要实现几十纳米的焦面控制精度。现有焦面检测相关研究仅关注检测技术本身的精度,对系统性的光刻焦面控制的研究分析不足,造成相关研究成果光刻适应性不足;同时现有焦面检测技术多基于标记或者标记阵列的图像检测,检测精度受工艺条件影响较大,精度不足以支撑先进投影光刻技术,特别是极紫外光刻技术的发展。基于以上需求,本文围绕高精度焦面检测技术,开展了系统性的光刻系统焦面检测与控制技术研究。首先了光刻系统中焦面控制理论的研究,系统性的研究了在光刻体系中焦深与光刻性能的关系以及改善系统焦深的主要方法。然后针对先进投影光刻系统,研究了实际最佳焦面的定位方法及主要应用场景。在此基础上,开展高精度焦面检测技术研究,引入偏振调制,并开展极紫外真空环境适应性研究,完成了高精度极紫外光刻焦面检测系统的设计仿真。在相关项目支持下,建立了焦面检测系统,搭建了相关测试环境和测试平台,开展了焦面检测系统的实验验证,在极紫外真空环境下实现了量程>1mm、检测精度优于±3.9nm（3σ）的焦面检测能力,满足32nm分辨力极紫外光刻原理验证装置的焦面检测需求。为进一步探索焦面检测新技术,本文还开展了基于光栅剪切干涉的纳米级焦面检测方法研究,该方法基于共光路剪切干涉测量,无需参考面,测量环境敏感度较小,抗干扰能力较强,测量精度高;通过实验验证,获得了PV 28.1nm,RMS:9.8nm的检测精度,验证了该方法的可行性。最后,研究了焦面检测数据在光刻系统中的应用场景,分析了调平调焦过程的理论模型与方法。
孔祥东,张玉林,卢文娟[2]（2005）在《MEMS的细电子束液态曝光技术研究》文中认为提出了可用于微机电系统加工的细电子束液态曝光技术。对该工艺的曝光方式、真空度需求、抗蚀剂选择以及能量和剂量需求等问题进行了理论分析和实验研究。研究结果表明,在高于1.33×10-2Pa的真空度下、采用曝光机内部曝光的方式,电子束曝光机所提供的电子束的能量和剂量可以满足环氧618等液体抗蚀剂固化需求的结论;并采用SDS II型曝光机在5×10-3Pa的系统真空度、25 kV加速电压、3μC/cm2曝光剂量的条件下,成功地固化了3μm厚的环氧618液体,固化的图形结构与设计的图形基本一致,固化精度约为0.1μm,侧壁的陡直度较好。证明了细电子束液态曝光技术是可行的。电子束液态曝光技术具有可加工高精度、高分辨率、任意高深宽比三维微结构以及控制灵活等优势,但由于使用束斑为几个纳米的电子束来固化抗蚀剂,因而其最大缺点就是生产效率低,故该技术最适用于制作三维微结构模板。
王颖[3]（2005）在《Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究》文中进行了进一步梳理集成电路产业是现代信息产业的基础,是改造和提升传统产业的核心技术。随着微细加工技术的进步,集成电路的特征线宽进入到深亚微米领域,电子束曝光代表了最成熟的亚微米级曝光技术,是近年来发展极快且实用性较强的曝光技术。电子束曝光技术的显着优点就是分辨率高,灵活性强,容易获得亚微米分辨率的精细图形。电子束曝光技术这些优势使电子束曝光技术不仅在掩模版制作方面一直处于主流地位而且将在纳米器件的研制和生产中发挥重要作用。 本文从研究电子束曝光系统的基本原理入手,着重研究了现有的Ee-BES—40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的控制原理和控制条件。Ee-BES—40A是第二代电子束曝光系统,是一个集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代高新技术于一体的复杂系统,主要用于在大规模集成电路（LSIC）中制作图形掩模和光栅。Ee-BES—40A光栅扫描电子束曝光机机械部分较为精密,并且其多项技术指标在国内处于较为先进的水平。将该机器恢复起来可满足近几年微机械、生物芯片、激光器件等的研制要求。但原控制系统中的计算机太陈旧,计算机的有些配件已被淘汰,给维护曝光机控制系统带来了困难。而PC机具有更好的性能,更快的处理速度以及更大的存储容量。所以,我们把曝光机的控制计算机用PC机替换下来。原有曝光机采用光栅扫描方式,但加工方式光栅扫描方式没有矢量扫描方式灵活。在我们涉足的三维加工研中,MEMS（微机电系统）的图形更为复杂,对图形扫描灵活性的要求大大提高。无疑选择矢量扫描方式更符合我们研究发展的要求。因此我们另一个改进要点就是将电子束光栅扫描曝光方式改为电子束矢量扫描曝光。改进该曝光机控制部分将为电子束三维加工曝光技术方面的实验研究提供必要的工具和条件,对推动微细加工及MEMS方面的发展起到积极的作用。 Ee-BES—40A由三台计算机控制,分别是Eclipse主控计算机、Minicon专用计算机和8080微控制器,此外还包括一些测量和驱动接口及控制器。本论文在研究原曝光机控制机理制后,又深入研究了该曝光机的光柱调整、标记检测、激光测量系统和工作台等机械部件的功能。在掌握原有控
刘珠明[4]（2005）在《纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究》文中研究表明电子束曝光技术是掩模版制作和纳米器件研究的主要手段。它具有很高的分辨率,最细线宽可达5 纳米。对于大学和普通实验室来说,一种基于SEM 的纳米级电子束曝光机,因其价格便宜、操作灵活受到欢迎,具有很好的应用前景。但这类机器,偏转场一般只有100 微米左右,生产率较低。加大扫描场、采用高亮度阴极、高速度工件台和高灵敏度感光胶是提高生产率的主要方法,其中,加大扫描场具有很大潜力。但单纯加大扫描场往往使系统分辨率严重下降。针对上述要求和问题,本文就具有低像差、大扫描场的纳米级聚焦偏转系统展开研究。论文主要有两个部分: （1） 基于JSM-35CF 扫描电镜的纳米级偏转系统优化设计和相关研究。借助目前最先进的商用电子光学软件,用二阶有限元法计算得到高精度的空间场分布,以五级像差和电子束上靶角为目标,采用最小阻尼二乘法优化系统光学元件的位置、相对转角和相对激励强度等因素,将可应用于纳米曝光的扫描场增加到了250 微米。比较实验结果,基于JSM-35CF新线圈在频带和曝光性能上大大优于原线圈。在优化三级像差的基础上,探讨了五级像差的影响,分析了几种消除五级像差（指消除四极像差）的偏转器的像差性能和灵敏度;对偏转器的结构参数进行分析,为工程实现提供了良好依据。设计了一组长度不等的偏转器,当优化得到的相对强度为-1 时,系统具有最高的灵敏度,进而可以提高扫描速度。磁偏转系统的涡流效应很大程度上影响着系统速度和位置精度,基于涡流的产生机理,文章定量分析了涡流带来的误差,并提出了双层的、间隔均匀、相互交叠的屏蔽结构,该结构有效抑止了涡流、提高了偏转灵敏度,而且像差性能基本没有变差。（2）具有电子束垂直入射特性的、大扫描场纳米级聚焦偏转系统的探讨。通过对前部分的分析研究,提出了两个新的纳米级聚焦偏转系统。第一种是基于VAL（Variable Axis Lens）原理和优化设计方法的三偏转器聚焦偏转系统,该系统在1.0 毫米偏转场,1.8 毫弧度电子束孔径角时,包括三
孔祥东[5]（2005）在《电子束液态曝光技术的研究》文中研究指明随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确产生复杂曲面和各种形状微结构的加工方法与之相适应。当前能够制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA（Lithographie,Galvanoformung andAbformung）技术和IH（Integrated Harden Polymer Stereo Lithography）三维光刻技术。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,却难于加工含有各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH三维光刻技术从理论上能够加工出含有任意曲面和任意高深宽比的复杂微结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,所以加工精度较低,分辨率目前仅能达到亚微米级。因此这些微三维加工技术不能很好的适应将来微机电系统的高速发展,需要寻求更好的加工手段。 电子束曝光技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术,主要用于0.1～0.5μm的超微细加工。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。电子束具有波长短、易于控制、精度高、灵活性大等优点,目前主要用于精密二维掩膜制作,但还不能制作三维立体结构。因此本论文率先提出了一种国内外均未见报道的、能够将电子束曝光的高精度性能和IH工艺能加工任意复杂器件的性能结合起来,既能加工出任意复杂的微结构又能保证其亚微米级甚至更高精度的三维掩膜/模板加工新方法——电子束液态曝光技术（Electron Beam LiquidLithography,EBLL）。作为一项开创性的工作,本论文的主要工作是首次提出了基于电子束曝光机（Electron Beams Exposure System,EBES）的电子束固化曝光微三维成型技术,从理论和实验上对其可行性以及对电子束的能量和曝光剂量与固化厚度之间的关系进行了论证研究,并在SDS-II型电子束曝光机上完成了以液态TMPTA和Epoxy618为固化对象的电子束固化实验,得到了固化的十字型微结构,充分证明了电子束液态曝光技术是切实可行的。本论文的主要工作和创新点如下:
王振华[6]（2001）在《新型图形发生器的研制》文中提出本论文主要介绍了课题所完成的基于DSP芯片的新型图形发生器的硬件研制、图形发生器画圆算法以及其他单元图形生成算法的研究与实现工作。 论文首先简要介绍了国内外电子束曝光技术的发展水平和图形发生器的工作原理。在对图形发生器的研制做深入理论分析的基础上，针对现有的图形发生器存在的主要问题，即采用硬件产生单元图形数据，很难作出圆。提出大规模集成电路与软件相结合的解决方案。然后通过对DSP芯片的详细分析，说明选择DSP芯片作为中心处理芯片是比较好的方案。 接着系统分析了图形发生器所需实现功能对硬件的要求，提出了硬件的设计思想，阐述了主要电路的设计。最后，本文对图形发生器单元图形生成算法做了研究和总结，提出了画圆算法，深入分析了算法的设计目的、思路及实现流程。 在以上的工作中，系统的硬件设计、画圆算法研究及实现是本课题的核心内容。
刘求益[7]（2000）在《亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构》文中研究指明介绍了亚微米电子束曝光机光路与结构设计 ,该电子光学系统采用透镜内偏转设计 ,系统象差小 ,偏转灵敏度高 ,工件面上电流密度大。通过调试和使用 ,电子束流、最小电子束斑直径等主要设计指标均达要求。
唐文剑,武丰煜,唐辉,陈建平[8]（1996）在《DY－5型亚微米电子束曝光机偏转系统》文中研究表明本文将重点介绍ＤＹ－５型电子束曝光机的偏转系统的构成、特点及结果。
武丰煜,顾文琪[9]（1996）在《DY－5型亚微米电子束曝光机》文中认为本文介绍了ＤＹ－５型亚微米电子束曝光机的主要技术性能：最细特征线宽０．４μｍ；图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ２和２×２ｍｍ２；最高扫描速度１ＭＨｚ；可加工１００×１００ｍｍ２掩模版或Φ７５硅圆片。给出了部分曝光试验结果。
武丰煜,唐文剑,张福安,安秉谦[10]（1995）在《DY－5型亚微米电子束曝光机电子光学柱的一些问题》文中指出本文概要地比较了扫描电镜和电子束曝光机二者电子光学柱的异同。介绍了把一台ＡＭＲＡＹ系列电镜的电子光柱改造成ＤＹ－５型电子束曝光机电子光学柱所做的工作。最后给出了一组试验结果。
二、亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构（论文提纲范文）
（1）基于偏振调制的高精度焦面检测技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 光刻技术的发展 |
| 1.2.1 无掩模光刻 |
| 1.2.2 有掩模光刻 |
| 1.3 光学投影光刻焦面检测技术概述 |
| 1.4 焦面检测技术发展现状 |
| 1.4.1 光度检焦技术 |
| 1.4.2 标记阵列检测检焦技术 |
| 1.4.3 其他检测技术 |
| 1.4.4 国内检焦技术现状 |
| 1.4.5 检焦技术小结 |
| 1.5 研究内容及论文结构 |
| 第2章 光刻系统焦面控制理论研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 光刻系统中焦面控制的基本概念 |
| 2.3 光刻系统中焦深的主要影响因素 |
| 2.3.1 投影物镜成像质量 |
| 2.3.2 投影物镜动力学稳定性 |
| 2.3.3 投影物镜热性能 |
| 2.3.4 硅片地形 |
| 2.3.5 工艺因素 |
| 2.4 焦深对光刻性能的影响 |
| 2.4.1 焦深与光刻分辨力 |
| 2.4.2 焦深与CDU |
| 2.4.3 离焦与综合像质检测 |
| 2.5 提高焦深的主要方法 |
| 2.5.1 分辨力增强技术光学原理 |
| 2.5.2 OAI优化成像性能的光学原理 |
| 2.5.3 离轴照明的实现方法 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 光刻系统焦面定位方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 空间像传感器定位方法 |
| 3.2.1 TIS工作原理 |
| 3.2.2 焦面定位测量方法 |
| 3.3 哈特曼传感器定位方法 |
| 3.3.1 哈特曼传感器工作原理 |
| 3.3.2 焦面定位测量方法 |
| 3.4 曝光定位方法 |
| 3.4.1 曝光能量测试 |
| 3.4.2 曝光窗口工艺实验 |
| 3.4.3 曝光面焦面调平 |
| 3.5 三种测量方法优缺点比较 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 基于偏振调制的焦面检测方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 大量程高精度焦面检测系统研究与分析 |
| 4.3 大量程粗检焦方法研究 |
| 4.3.1 光学原理 |
| 4.3.2 狭缝像位置处理方法 |
| 4.4 基于叠光栅空间像剪切偏振调制的精检焦方法研究 |
| 4.4.1 叠光栅空间像剪切检测方法 |
| 4.4.2 叠光栅偏振调制方法 |
| 4.4.3 电光调制原理 |
| 4.4.4 自动调零方法 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 基于偏振调制检焦系统设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 系统设计 |
| 5.3 光学设计 |
| 5.3.1 照明模块设计 |
| 5.3.2 光路转折设计 |
| 5.3.3 Savart板设计 |
| 5.3.4 检焦成像系统设计 |
| 5.3.5 精检焦探测光路设计 |
| 5.4 机械设计 |
| 5.4.1 总体设计 |
| 5.4.2 关键部件设计 |
| 5.5 电控设计 |
| 5.5.1 设计要求 |
| 5.5.2 干扰分析及抑制 |
| 5.5.3 系统模块概述 |
| 5.5.4 单元电路设计与分析 |
| 5.6 设计精度计算 |
| 5.6.1 粗检焦 |
| 5.6.2 精检焦 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 高精度焦面检测系统实验验证 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 焦面检测平台搭建 |
| 6.2.1 真空系统搭建 |
| 6.2.2 运动台系统搭建 |
| 6.2.3 环境控制 |
| 6.3 焦面检测平台主要性能 |
| 6.4 实验结果及精度分析 |
| 6.4.1 实验验证 |
| 6.4.2 精度讨论 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 基于光栅剪切干涉的纳米级检焦方法研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 检测理论分析 |
| 7.3 实验验证 |
| 7.4 结果分析 |
| 7.5 本章小结 |
| 第8章 调平调焦模型研究 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 曝光视场内硅片姿态解算模型 |
| 8.3 整场调平调焦模型研究 |
| 8.3.1 整场调平调焦定义 |
| 8.3.2 整场调平方法 |
| 8.3.3 逐场调焦方法 |
| 8.4 逐场实时调平调焦模型研究 |
| 8.4.1 逐场调平调焦和实时调平调焦定义 |
| 8.4.2 传感器布局 |
| 8.4.3 工件台逐场/实时调平调焦测量模型 |
| 8.4.4 调平调焦运动模型 |
| 8.4.5 调平调焦控制模型 |
| 8.5 本章小结 |
| 第9章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路的发展现状和发展趋势 |
| 1.2 微机电系统的发展 |
| 1.2.1 概念 |
| 1.2.2 微机电系统的特点及应用 |
| 1.2.3 国内外研究现状 |
| 1.3 电子束曝光技术 |
| 1.3.1 电子束曝光技术特点 |
| 1.3.2 电子束曝光技术的应用 |
| 1.3.3 电子束曝光技术的限制 |
| 第二章 电子束曝光机 |
| 2.1 电子束曝光机的发展历史及现状 |
| 2.1.1 国外发展状况 |
| 2.1.2 国内发展状况 |
| 2.2 电子束曝光机的原理及组成 |
| 2.2.1 电子束曝光机的组成 |
| 2.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| 2.3 电子束曝光机的扫描方式 |
| 2.3.1 光栅扫描 |
| 2.3.2 矢量扫描 |
| 第三章 Ee~-BES-40A电子束曝光系统 |
| 3.1 系统简介 |
| 3.1.1 概况 |
| 3.1.2 主要单元 |
| 3.2 曝光主机系统硬件 |
| 3.2.1 光学系统 |
| 3.2.2 电子枪 |
| 3.2.3 电子光主体 |
| 3.2.4 工作室、工作台及其驱动 |
| 3.2.5 激光干涉定位系统 |
| 3.2.6 换片机构 |
| 3.2.7 真空系统 |
| 3.2.8 空气悬浮系统 |
| 3.3 控制台系统硬件 |
| 3.3.1 Eclipse计算机 |
| 3.3.2 主终端和辅助终端 |
| 3.3.3 微控(Minicon)和图形存储器 |
| 3.3.4 工件台控制接口和伺服放大器 |
| 3.3.5 通用I/O接口 |
| 3.3.6 换片机构控制器 |
| 3.3.7 离子泵控制器 |
| 3.3.8 电子束控制单元 |
| 3.3.9 电源 |
| 3.4 刻写系统 |
| 3.4.1 条带 |
| 3.4.2 位图 |
| 3.4.3 地址 |
| 3.5 软件系统简介 |
| 3.5.1 Eclipse:系统控制器 |
| 3.5.2 RDOS |
| 3.5.3 CLI |
| 3.5.4 文件 |
| 3.5.5 数据处理软件 |
| 3.6 Ee~-BES-40A光栅扫描曝光机的性能分析 |
| 第四章 Ee~-BES-40A工件台扫描控制系统 |
| 4.1 控制系统 |
| 4.2 工件台扫描系统组成 |
| 4.3 控制原理及过程 |
| 4.3.1 控制原理 |
| 4.3.2 控制过程 |
| 4.4 工件台控制接口 |
| 4.4.1 控制接口 |
| 4.4.2 I/O板 |
| 4.4.3 控制板 |
| 4.4.4 轴板 |
| 4.3.5 速度板 |
| 4.4.6 激光接口板和消息单元板 |
| 4.3.7 电压鉴别板 |
| 4.3.8 终端和读出(T&R)板 |
| 第五章 图形发生器及接口设计 |
| 5.1 Ee~-BES-40A电子束曝光机的光栅扫描图形生成系统 |
| 5.1.1 微控制器的控制功能 |
| 5.1.2 微控制器的组成和指令格式 |
| 5.1.3 接口电路 |
| 5.1.4 图形存储器 |
| 5.2 矢量扫描图形发生器原理及实现 |
| 5.2.1 图形发生器原理 |
| 5.2.2 图形发生器数据信号 |
| 5.3 接口设计 |
| 5.3.1 ISA总线标准 |
| 5.3.2 端口 |
| 5.3.3 关于干扰 |
| 结束语 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（4）纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微纳米加工与曝光技术 |
| 1.2 国内外电子束曝光技术的状况和应用 |
| 1.3 电子束曝光技术的应用及问题 |
| 1.4 基于扫描电镜的纳米级电子束曝光系统研究的意义及存在的问题 |
| 1.5 聚焦偏转系统的作用及其概要 |
| 1.6 论文的选题及工作 |
| 1.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第二章 聚焦偏转系统的电子光学理论 |
| 2.1 物镜、偏转器及校正元件的空间场 |
| 2.2 聚焦偏转系统的光学性能计算 |
| 2.3 聚焦偏转系统的五级像差分析 |
| 2.4 聚焦偏转系统的优化 |
| 2.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 JSM-35CF 电镜的电子光柱性能及相关研究 |
| 3.1 JSM-35CF 电镜的电子光学柱结构和性能 |
| 3.2 基于JSM-35CF 电镜的聚焦偏转系统的优化仿真计算 |
| 3.3 偏转系统的五级像差 |
| 3.4 磁聚焦偏转系统的涡流抑止 |
| 3.5 几种常见静电偏转器的性能及其比较 |
| 3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 基于JSM-35CF 的纳米级聚焦偏转系统 |
| 4.1 聚焦偏转系统计算 |
| 4.2 偏转器安装调整 |
| 4.3 精度和误差分析 |
| 4.4 实验结果 |
| 4.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 大扫描场纳米级聚焦偏转系统的探讨 |
| 5.1 纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统设计的一般原理 |
| 5.2 基于VAL 原理和优化设计方法的纳米级聚焦偏转系统的研究 |
| 5.3 双物镜双偏转器的纳米级聚焦偏转系统 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 需进一步研究的问题 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（5）电子束液态曝光技术的研究（论文提纲范文）
| 原创性声明 |
| 关于学位论文使用授权的声明 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩略词注释表 |
| 第一章 微机电系统及其微细加工技术 |
| §1.1 微机电系统的发展及应用 |
| §1.1.1 微机电系统的概念 |
| §1.1.2 微机电系统的发展及国内外研究现状 |
| §1.1.3 微机电系统的主要研究内容 |
| §1.1.4 微机电系统的应用 |
| §1.2 微细加工技术 |
| §1.2.1 硅微机械加工 |
| §1.2.2 LIGA工艺 |
| §1.2.3 IH工艺 |
| §1.2.4 EFAB工艺 |
| §1.2.5 CELT工艺 |
| §1.2.6 3D电化学微加工工艺 |
| §1.2.7 硅膜工艺 |
| §1.2.8 结论 |
| §1.3 本论文研究内容 |
| §1.3.1 论文工作的目的和意义 |
| §1.3.2 论文的主要工作与技术创新点 |
| §1.3.3 论文的内容安排 |
| 第二章 电子束液态曝光技术 |
| §2.1 电子束曝光技术发展历史 |
| §2.1.1 国外发展状况 |
| §2.1.2 国内发展状况 |
| §2.2 电子束曝光技术 |
| §2.2.1 电子束曝光机的组成 |
| §2.2.2 电子束曝光机的曝光原理 |
| §2.2.3 电子束曝光的方式 |
| §2.2.4 电子束曝光的特点 |
| §2.2.5 电子束曝光技术的应用 |
| §2.3 电子束液态曝光技术 |
| §2.3.1 电子束液态曝光技术 |
| §2.3.2 实现方法的可行性分析 |
| 第三章 电子束液态曝光的真空环境研究 |
| §3.1 真空的基本概念 |
| §3.1.1 真空的定义 |
| §3.1.2 真空的表示方法 |
| §3.1.3 真空的特点 |
| §3.1.4 真空区域的划分 |
| §3.1.5 真空技术的应用 |
| §3.1.6 真空系统的获得和测量 |
| §3.2 真空中电子的平均自由程研究 |
| §3.2.1 分子的平均自由程计算 |
| §3.2.2 以同一速度运动的分子束之间碰撞频率的计算 |
| §3.2.3 平均自由程与速度的关系研究 |
| §3.2.4 高速电子的平均自由程计算 |
| §3.2.5 自由程长度的分布率研究 |
| §3.2.6 SDS-Ⅱ型曝光机的真空度需求研究 |
| §3.3 液体的真空气化研究 |
| §3.3.1 液体气化影响因素的研究 |
| §3.3.2 液态抗蚀剂的选取方法 |
| §3.3.3 液态抗蚀剂的真空气化实验 |
| §3.4 小结 |
| 第四章 抗蚀剂曝光反应机理及曝光能量、剂量需求研究 |
| §4.1 电子束辐射固化机理研究 |
| §4.1.1 电子束辐射固化的概念 |
| §4.1.2 电子束辐射固化机理研究 |
| §4.2 电子束辐射固化能量和剂量需求研究 |
| §4.2.1 电子束曝光能量需求研究 |
| §4.2.2 电子束曝光剂量需求研究 |
| §4.2.3 结论 |
| §4.3 电子束液态曝光实验 |
| §4.3.1 实验部分 |
| §4.3.2 实验结果与分析 |
| §4.3.3 实验结论 |
| §4.4 小结 |
| 第五章 电子束固化厚度影响因素的研究 |
| §5.1 流体的基本知识 |
| §5.1.1 流体的黏性 |
| §5.1.2 静止流体的平衡微分方程 |
| §5.1.3 达朗贝尔原理 |
| §5.2 甩胶台转速、液体黏度与涂层厚度之间的关系研究 |
| §5.2.1 甩胶原理研究 |
| §5.2.2 胶层厚度与转速、黏度之间的关系研究 |
| §5.3 固化深度与电子束能量、剂量之间的关系研究 |
| §5.3.1 Monte Carlo模拟法计算穿透深度和能量吸收密度 |
| §5.3.2 解析法计算穿透深度和能量吸收密度 |
| §5.3.3 模拟计算和实验结果 |
| §5.4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间完成的论文及参加的科研工作 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（6）新型图形发生器的研制（论文提纲范文）
| 第1章 综述 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子束图形加工的含义和技术特点 |
| 1.3 电子束曝光机工作原理 |
| 1.4 扫描电子束曝光技术的发展史 |
| 1.5 国外电子束曝光技术发展水平 |
| 1.6 国内电子束曝光技术发展现状 |
| 1.6.1 国内微电子技术的现状 |
| 1.6.2 国内电子束曝光技术的现状 |
| 第2章 图形发生器的重要性及发展状况 |
| 2.1 图形发生器的重要性 |
| 2.2 国内外图形发生器的发展水平 |
| 2.2.1 衡量的标准 |
| 2.2.2 图形发生器的发展过程 |
| 第3章 图形发生器研制的理论分析 |
| 3.1 提出问题 |
| 3.2 分析问题 |
| 3.3 解决问题 |
| 第4章 DSP的发展状况及其应用 |
| 4.1 DSP芯片概述 |
| 4.2 DSP芯片的发展 |
| 4.3 DSP的分类 |
| 4.4 DSP芯片的选择 |
| 4.5 DSP芯片的结构和特征 |
| 4.6 TMS320C3X的软件资源 |
| 4.6.1 丰富的指令系统 |
| 4.6.2 灵活的程序控制 |
| 4.6.3 流水线操作 |
| 4.6.4 寻址方式多 |
| 4.7 TMS320C31的特点 |
| 第5章 图形发生器的硬件实现 |
| 5.1 系统设计 |
| 5.2 电路设计 |
| 5.3 与上位机数据通讯的实现 |
| 5.3.1 计算机并口操作模式 |
| 5.3.2 EPP增强并口的实现手段 |
| 5.3.3 与DSP系统的数据传输 |
| 5.4 硬件设计与实验 |
| 5.4.1 DSP系统板的设计 |
| 5.4.2 EPP并口板的设计与实验 |
| 第6章 图形发生器的软件实现 |
| 6.1 求直线上点 |
| 6.2 求圆上点 |
| 6.2.1 现有的圆生成算法 |
| 6.2.2 画圆算法 |
| 6.2.3 小结 |
| 6.3 画单元图形 |
| 6.4 软件实验 |
| 第7章 总结 |
| 7.1 课题的特点 |
| 7.2 课题所完成的工作 |
| 7.3 课题存在的不足 |
| 参考文献 |
| 发表文章 |
| 致谢 |
四、亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构（论文参考文献）
- [1]基于偏振调制的高精度焦面检测技术研究[D]. 王建. 中国科学院大学(中国科学院光电技术研究所), 2021(08)
- [2]MEMS的细电子束液态曝光技术研究[J]. 孔祥东,张玉林,卢文娟. 青岛大学学报(工程技术版), 2005(04)
- [3]Ee～-BES-40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的改进研究[D]. 王颖. 山东大学, 2005(08)
- [4]纳米级电子束曝光机聚焦偏转系统的研究[D]. 刘珠明. 中国科学院研究生院（电工研究所）, 2005(06)
- [5]电子束液态曝光技术的研究[D]. 孔祥东. 山东大学, 2005(01)
- [6]新型图形发生器的研制[D]. 王振华. 中国科学院电工研究所, 2001(01)
- [7]亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构[J]. 刘求益. 微细加工技术, 2000(04)
- [8]DY－5型亚微米电子束曝光机偏转系统[J]. 唐文剑,武丰煜,唐辉,陈建平. 电工电能新技术, 1996(03)
- [9]DY－5型亚微米电子束曝光机[J]. 武丰煜,顾文琪. 微细加工技术, 1996(01)
- [10]DY－5型亚微米电子束曝光机电子光学柱的一些问题[J]. 武丰煜,唐文剑,张福安,安秉谦. 电工电能新技术, 1995(02)