导读:本文包含了静态存储器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:存储器,静态,粒子,截面,检错,效应,测试。
静态存储器论文文献综述写法
戴婵媛[1]（2019）在《抗辐射静态存储器的研究与设计》一文中研究指出随着集成电路特征尺寸的不断减小、工作电压的不断降低,空间环境中存在的各种辐射粒子对半导体器件产生严重的威胁。产生的各种辐射效应(单粒子翻转效应、单粒子闩锁效应、总剂量效应等)可能会导致电子器件的失效,对系统造成严重的威胁。静态存储器(SRAM,Static random access memory)具有速度快、功耗低等优势,被广泛的应用到各类航天器中。因此SRAM不仅需要保证其自身的功能和优势,也需要具备良好的抗辐射性能。如何提升存储器的抗辐射能力成为一个研究热点。本论文源于航天某项目,对SRAM进行抗辐射加固性能的设计。SRAM最核心的部分是存储单元。本文对标准6管存储单元和具有抗辐射性能的双互锁存储单元(DICE,Double Interlocked Storage Cell)进行对比分析,用DICE单元作为SRAM存储单元提高抗辐射性能。并且在版图上针对单粒子闩锁和总剂量效应采取加固措施。以模块化的方法完成抗辐射SRAM设计。本文的工作主要有以下几点:(1)研究空间辐射粒子的来源,详细分析单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子闩锁和总剂量这几种辐射效应的产生机理。总结SRAM的常用加固技术以及不足之处。(2)SRAM由CMOS器件组成,因此本文运用Sentaurus器件仿真完成了NMOS晶体管的器件建模。仿真其输出特性曲线和转移特性曲线,以及单粒子入射后漏极电流大小。提出相应的抗单粒子翻转加固的措施,用脉冲电流源模拟单粒子入射后的电流信号,对6管存储单元和加固的DICE存储单元仿真。(3)设计与DICE存储单元匹配的外围电路,包括行列译码器、预充电电路、灵敏放大电路和读写控制电路。搭建仿真环境对各个模块进行模拟验证。电路设计中运用的所有逻辑单元(反相器、与非门、或非门、D触发器等)均采用抗单粒子瞬态效应的结构;灵敏放大器采用叁模冗余的结构加固;针对单粒子闩锁效应和总剂量效应,在版图上采用保护环、环形栅等方式。以全定制设计流程完成1Kbit抗辐射静态存储器的设计。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-01）
叶常茂,卢利清[2]（2018）在《静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究》一文中研究指出利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小。(本文来源于《科技视界》期刊2018年20期）
李鹏,郭维,赵振宇,张民选,邓全[3]（2016）在《65nm工艺双层叁维静态存储器的软错误分析与评估》一文中研究指出新兴的叁维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层管芯堆迭结构的叁维静态存储器软错误特性,搭建了叁维静态存储器软错误分析平台。利用该平台对以字线划分设计的叁维静态存储器和同等规模的二维静态存储器分别进行软错误分析,并对分析结果进行对比。研究结果表明二维和叁维静态存储器的翻转截面几乎相同,但叁维静态存储器单个字中发生的软错误要比二维静态存储器更严重,导致难以使用纠检错技术对其进行加固。静态模式下二维和叁维静态存储器敏感节点均分布于存储阵列中,表明静态模式下逻辑电路不会引发软错误。(本文来源于《国防科技大学学报》期刊2016年05期）
解磊,周婉婷[4]（2015）在《静态存储器中子单粒子翻转截面的预测模型》一文中研究指出中子是近地空间和核爆的主要辐射源之一,中子二次反应诱发的单粒子效应极大地影响了电子元器件的可靠性。本文针对商用体硅工艺静态存储器(SRAM)单元提出了一种中子饱和翻转截面预测模型。通过一个电路级的仿真模型,对应于辐射作用距离的线性电荷沉积(LET)效应可以通过基于SPICE仿真曲线来表现,进而用来预测翻转截面。该方法简单有效,预测结果与130 nm体硅工艺的中子实验结果吻合。(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2015年06期）
齐蓓蓓[5]（2015）在《近阈值绝热静态存储器设计》一文中研究指出高速缓冲存储器(cache)占据了高性能微处理器中一半以上的晶体管,而cache通常使用静态随机存储器(SRAM)技术,因此SRAM的研究设计在半导体行业中一直是一个热点。可靠性和功耗是SRAM设计所关心的两个大问题,这符合IC设计发展方向中的低功耗设计和高可靠性设计两个研究热点。SRAM通常包含很多大容量总线,并且被频繁的访问,这会消耗很大的功耗,因此低功耗SRAM的需求越来越高。动态功耗一直在总功耗中占据一个很大比例。然而当集成电路工艺低于100nm时,阈值电压随着电源电压的下降在降低,亚阈值漏电流会因阈值电压的降低成指数形式增加,从而导致静态功耗增大,静态功耗在总功耗中所占的比例也在相应的增大。国际半导体蓝图(ITRS)报导称:漏功耗在总功耗中可能占据主导地位。研究表明基于能量回收技术的绝热电路在降低动态功耗方面起到了很重要的作用,因此在基于能量回收电路的基础上进一步降低漏功耗有很重要的研究意义。本课题以SRAM电路作为研究对象,对其动态功耗和静态功耗进行优化。主要对以下几个内容进行研究:1、分析传统CMOS电路的功耗产生机制、对绝热电路原理及绝热电路结构进行分析。分析漏电流的来源,并且研究漏功耗减小技术。2、设计了传统CMOS SRAM电路,并设计了以四相绝热CPAL(互补传输门绝热逻辑)电路为驱动电路的SRAM电路以降低动态功耗。进一步使用漏功耗减小技术对CPAL结构的SRAM电路进行优化。使用HSPICE软件对设计的SRAM电路进行仿真,验证了这种绝热SRAM电路功耗的先进性以及漏功耗减小技术的作用。3、设计了四相绝热PAL-2N(传输晶体管绝热逻辑)电路为驱动电路的SRAM电路,并结合沟道长度偏置技术、双阈值技术及功控休眠技术进一步对PAL-2N结构的SRAM电路进行优化。在NCSU PDK 45nm工艺下对所设计的SRAM电路采用全定制设计的方法从版图级验证了所设计的PAL-2N SRAM电路的总体能耗相比于CMOS SRAM减小了将近70%。4、近阈值技术是一种简单直接降低功耗的方法。通过对SRAM电路的工作电压和工作频率两者的衡量,来获得一个能耗延时积的最小点,从而得到SRAM电路的近阈值工作电压值。结果表明:当工作电压设置在近阈值区域时,能耗大大降低了。(本文来源于《宁波大学》期刊2015-06-16）
李盛杰,张碚,顾颖[6]（2015）在《双端口静态存储器测试方法研究》一文中研究指出随着信息化和数字化技术的发展,双端口静态存储器在高速多处理器系统中广泛应用。其具有的高性能提高了存储器测试的复杂度,增加了测试时间。在保证测试覆盖率的情况下降低测试复杂度和测试时间是双端口静态存储器测试的关键。论文分析了双端口静态存储器的结构和功能,研究了双端口静态存储器的读写功能失效模式和仲裁控制模块功能失效模式,并提出了一种"同测"方法的测试算法设计,给出了基于V93000测试系统的实现方法,有效地减少了测试向量操作长度,提高了测试效率。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2015年01期）
周婉婷,叶世旺,李磊[7]（2014）在《静态存储器多比特翻转的概率失效模型》一文中研究指出针对静态存储器出现的多比特翻转,提出了一种软错误失效模型.以"生日重合"理论作为多比特失效统计的基础,将常用加固方式纠错码和周期刷新作为分析条件得到累积错误和非累积错误的概率失效模型.前者为相同容量存储器的不同字长结构提供了失效概率的数值分析,并为实际测试结果提供了一个理论参考;后者量化了刷新周期的选取对于误码率改善程度.仿真结果显示90nm体硅工艺下,累积错误模型与低能量质子测试结果相符合;非累积错误模型分析的刷新周期略高于实际结果.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2014年02期）
刘永志[8]（2012）在《关于RS-232串行通讯接口和非易失静态存储器的多功能数据采集仪的研究》一文中研究指出本文通过对RS-232串行通讯接口和非易失静态存储器的多功能数据采集仪的深入探析,并对其功能和工作原理以及优势进行了详细的阐述,以供同行探讨。(本文来源于《科技创业家》期刊2012年23期）
慧芯[9]（2011）在《静态存储器领域在华专利申请分析》一文中研究指出近年来，以闪存为代表的静态存储器发展很快，已经逐渐代替了其他传统存储介质，其使用范围主要包括闪存存储卡、智能手机、3G手机、数码相机、摄像机等领域，特别是目前炙手可热的3G和智能手机的迅猛发展使得静态存储器的需求量急剧增长。然而，截至目前，中国这个领域主(本文来源于《中国知识产权报》期刊2011-09-21）
张昆峰[10]（2011）在《静态存储器的抗单粒子翻转效应研究》一文中研究指出空间环境中存在大量的高能带电粒子,空天导弹自身的电子器件将会受到高能粒子的冲击影响,从而产生单粒子效应。研究分析了静态储存器在空间环境中最常发生的单粒子效应-单粒子翻转,采用修正海明码实现一个检错纠错模块,该模块可以检测数据存储单元的两位错误,检测定位并纠正数据存储单元的一位错误。通过仿真分析及计算,该方案可以很大程度上降低单粒子翻转效应对静态存储器的影响,具有很强的实用意义。(本文来源于《现代电子技术》期刊2011年18期）
静态存储器论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
静态存储器论文参考文献
[1].戴婵媛.抗辐射静态存储器的研究与设计[D].电子科技大学.2019
[2].叶常茂,卢利清.静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究[J].科技视界.2018
[3].李鹏,郭维,赵振宇,张民选,邓全.65nm工艺双层叁维静态存储器的软错误分析与评估[J].国防科技大学学报.2016
[4].解磊,周婉婷.静态存储器中子单粒子翻转截面的预测模型[J].太赫兹科学与电子信息学报.2015
[5].齐蓓蓓.近阈值绝热静态存储器设计[D].宁波大学.2015
[6].李盛杰,张碚,顾颖.双端口静态存储器测试方法研究[J].计算机与数字工程.2015
[7].周婉婷,叶世旺,李磊.静态存储器多比特翻转的概率失效模型[J].微电子学与计算机.2014
[8].刘永志.关于RS-232串行通讯接口和非易失静态存储器的多功能数据采集仪的研究[J].科技创业家.2012
[9].慧芯.静态存储器领域在华专利申请分析[N].中国知识产权报.2011
[10].张昆峰.静态存储器的抗单粒子翻转效应研究[J].现代电子技术.2011