导读:本文包含了电徙动论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:多晶,晶粒,结构,中值,梯度,应力,风力。
电徙动论文文献综述
王俊忠,刘志民,钟涛兴,张隐奇,李志国[1]（2005）在《A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性》一文中研究指出采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111}织构,并使小角度晶界增加,从而提高了A l互连线的电徙动可靠性。(本文来源于《中国体视学与图像分析》期刊2005年04期）
王晓冬[2]（2003）在《ULSI铜互连线微结构与应力及其对电徙动影响的研究》一文中研究指出本论文主要研究了ULSI中铜互连线的微观结构和应力及其对与电徙动MTF的影响。采用AFM、SEM和TEM测评晶粒结构。受到凹槽侧壁形核的影响，沉积态铜互连线随线宽的增加，平均晶粒尺寸从20~30nm增至80~90nm，铜膜晶粒尺寸约为300nm；3μm铜互连线的中间区域晶粒尺寸小于侧壁处晶粒尺寸；退火后，铜互连线晶粒长大，而且晶粒长大程度随线宽的增加而增加。利用XRD和EBSD测量了铜互连线的晶体学取向，沉积态铜互连线的(111)织构明显弱于沉积态铜膜；300℃、30min退火后，铜互连线 (111)织构增强；Cu晶粒明显长大和应变能最小化使得铜互连线和铜膜分别经过较高温度400℃和450℃、1h退火后，(111)织构并未发展。通过SIMS和AES分析SiON和Ta扩散阻挡层，结果显示两种阻挡层均可以有效防止铜向SiO2层扩散。二维面探测XRD结果表明沉积态铜互连线中存在拉应力，其主要由热应力产生。200℃退火后，铜互连线拉应力得到松弛。1、2和4μm宽铜互连线MTF随着线宽的增加而增加。由于退火后，铜互连线晶粒长大和(111)织构增强，其MTF和激活能高于沉积态样品。4μm铜互连线电徙动失效的主要原因是铜沿晶界的扩散；随着线宽的降低，铜沿着侧壁Cu/Ta/ SiO2界面扩散成为1和2μm铜互连线电徙动失效的主要原因。(本文来源于《北京工业大学》期刊2003-05-01）
郭伟玲,李志国,吉元,孙英华,张万荣[3]（1998）在《温度梯度对VLSI金属化布线电徙动特性的影响》一文中研究指出设计了一种新型TiW膜自加热结构,产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用独立的实验和测温金属条结构,利用电阻与温度间的线性关系精确测定金属条上的温度分布,用电阻测温法直接确定电迁徙失效在金属化条上的分布,SEM分析与测试结果一致。不同温度梯度和无温度梯度条件下的实验结果表明,逆向温度梯度能显着提高金属化电徙动失效时间,这可以从温度梯度驱动的热扩散离子流作用得到解释。理论分析和实验结果表明,逆向温度梯度能将金属化电徙动空洞失效位置“推向”阳极,在逆向温度梯度作用下,首次发现了电徙动电阻变化的“新平衡现象”。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1998年04期）
李志国,郭伟玲,朱红,吉元,程尧海[4]（1998）在《VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究》一文中研究指出电徙动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式．本文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度．文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系．实验结果表明，在２０～３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间、空洞失效位置和电徙动电阻变化呈现新的特性(本文来源于《半导体学报》期刊1998年06期）
A.S.卡尔,傅文杰[5]（1973）在《关于铝—铜条的电徙动研究》一文中研究指出简述了关于铝—铜条的电徙动数据。已发现增加5～8%的铜对改进条的寿命要比钝铝好十四倍。基于最坏的情况,工作条件为9×10~4安/厘米~2和90℃,计划的瞬时失效率在40000小时下为每千小时0.08%。(本文来源于《半导体情报》期刊1973年12期）
电徙动论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文主要研究了ULSI中铜互连线的微观结构和应力及其对与电徙动MTF的影响。采用AFM、SEM和TEM测评晶粒结构。受到凹槽侧壁形核的影响，沉积态铜互连线随线宽的增加，平均晶粒尺寸从20~30nm增至80~90nm，铜膜晶粒尺寸约为300nm；3μm铜互连线的中间区域晶粒尺寸小于侧壁处晶粒尺寸；退火后，铜互连线晶粒长大，而且晶粒长大程度随线宽的增加而增加。利用XRD和EBSD测量了铜互连线的晶体学取向，沉积态铜互连线的(111)织构明显弱于沉积态铜膜；300℃、30min退火后，铜互连线 (111)织构增强；Cu晶粒明显长大和应变能最小化使得铜互连线和铜膜分别经过较高温度400℃和450℃、1h退火后，(111)织构并未发展。通过SIMS和AES分析SiON和Ta扩散阻挡层，结果显示两种阻挡层均可以有效防止铜向SiO2层扩散。二维面探测XRD结果表明沉积态铜互连线中存在拉应力，其主要由热应力产生。200℃退火后，铜互连线拉应力得到松弛。1、2和4μm宽铜互连线MTF随着线宽的增加而增加。由于退火后，铜互连线晶粒长大和(111)织构增强，其MTF和激活能高于沉积态样品。4μm铜互连线电徙动失效的主要原因是铜沿晶界的扩散；随着线宽的降低，铜沿着侧壁Cu/Ta/ SiO2界面扩散成为1和2μm铜互连线电徙动失效的主要原因。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电徙动论文参考文献
[1].王俊忠,刘志民,钟涛兴,张隐奇,李志国.Al互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性[J].中国体视学与图像分析.2005
[2].王晓冬.ULSI铜互连线微结构与应力及其对电徙动影响的研究[D].北京工业大学.2003
[3].郭伟玲,李志国,吉元,孙英华,张万荣.温度梯度对VLSI金属化布线电徙动特性的影响[J].固体电子学研究与进展.1998
[4].李志国,郭伟玲,朱红,吉元,程尧海.VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究[J].半导体学报.1998
[5].A.S.卡尔,傅文杰.关于铝—铜条的电徙动研究[J].半导体情报.1973
论文知识图
