导读:本文包含了偏振不灵敏论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:偏振,放大器,应变,半导体,不灵敏,波导,调制器。
偏振不灵敏论文文献综述写法
靳琳,宋世超,文龙,孙云飞[1]（2018）在《基于表面等离激元的偏振不灵敏型电光调制器的理论研究》一文中研究指出由于受到表面等离激元(SPP)固有偏振性的影响,基于表面等离激元的波导型调制器只支持横磁模式(TM)传播。本文提出了一种在垂直方向和水平方向上均构建混合(hybrid)波导结构的表面等离激元电光调制器,以实现调制器的低偏振灵敏性。在组合的混合波导中,垂直和水平偏振方向上的表面等离激元被限制在相应的混合波导中。通过调控介质和ITO界面处形成载流子积累层中载流子浓度可实现光吸收调制。在经优化的结构中两个偏振态的消光比差为0.005d B/μm。通过3D-FDTD模拟调制器的光场调控,清楚地显示了传统硅波导与偏振不灵敏调制器间的耦合传输特性。两种偏振态下,偏振不灵敏调制器与硅波导之间的耦合效率均达到了74%以上。此项研究将为表面等离激元电光调制器在偏振不灵敏光集成回路中的应用提供解决方案,为其与具有偏振随机态光纤回路的集成奠定了基础。(本文来源于《光电工程》期刊2018年11期）
黄永箴,胡永红,于丽娟,陈沁,谭满清[2]（2006）在《1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制》一文中研究指出研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。(本文来源于《光电子·激光》期刊2006年10期）
王书荣,王圩,刘志宏,朱洪亮,张瑞英[3]（2005）在《宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器》一文中研究指出采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于 70nm的 3dB光带宽;在 0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于 1dB.对于 1 55μm 的信号光,在 200mA 的注入电流下获得了15 6dB的光纤到光纤的增益、小于0 7dB的偏振灵敏度和4 2dBm的饱和输出功率.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年03期）
王书荣,王圩,朱洪亮,张瑞英,赵玲娟[4]（2004）在《高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器》一文中研究指出采用叁元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节叁甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下,获得了50nm宽的3dB光带宽和小于05dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于11dB的偏振灵敏度。对于155μm波长的信号光,在200mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。(本文来源于《中国激光》期刊2004年11期）
安俊明,李健,郜定山,夏君磊,李建光[5]（2004）在《偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计(英文)》一文中研究指出以深刻蚀和热氧化工艺为基础 ,提出了一种新的阵列波导光栅 (AWG)制备技术 .这一工艺可使 AWG中的波导侧向留有一硅层 .采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率 .结果表明由于这一侧向硅层的存在 ,使 AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致 ,AWG的偏振相关波长明显减小(本文来源于《半导体学报》期刊2004年11期）
王书荣,刘志宏,王圩,朱洪亮,张瑞英[6]（2004）在《宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)》一文中研究指出研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显着的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 ,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景(本文来源于《半导体学报》期刊2004年08期）
殷景志,杜国同,龙北红,杨树人,许武[7]（2004）在《InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究》一文中研究指出为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器 (SOA) ,将有源区设计为由 4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构 ,避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品 3在 80～ 12 5mA电流范围内 ,获得了偏振灵敏度≤ 0 .6dB ,最小可达 0 .1dB ;较大的电流范围内FWHM值为 4 0nm。(本文来源于《液晶与显示》期刊2004年02期）
于丽娟,金潮渊,芦秀玲,黄永箴[8]（2003）在《1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长》一文中研究指出采用张应变量子阱结构,生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量,得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。(本文来源于《半导体光电》期刊2003年04期）
黄黎蓉,李含辉,胡振华,黄永箴,黄德修[9]（2003）在《抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究》一文中研究指出通过理论分析和计算表明,适当地增加反射率,在同样的工作电流下,半导体光放大器(SOA)的增益将有所增大。合理地调节抗反膜的折射率和厚度,可以使TM模的反射率R_(TM)在一段波长范围内大于TE模的反射率R_(TE)。这样的反射率分布可以相对提高TM模的增益,在一定程度上改善SOA的偏振不灵敏性。通过抗反膜的设计来辅助解决偏振不灵敏的问题,可以使SOA在有源区和波导设计中获得更大的灵活性,更好地兼顾其他的性能要求。(本文来源于《中国激光》期刊2003年07期）
殷景志,刘素萍,刘宗顺,王新强,殷宗友[10]（2003）在《适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质》一文中研究指出研制了适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质 ,采用有源区内交替的张应变和压应变排列的混合应变量子阱结构 ,器件做成带有倾角的扇形。实验中发现该结构既抑制了激射又改善了器件的偏振灵敏性 ,实现了偏振灵敏度小于 0 5dB ,10 0mA偏置时可达 0 1dB。在较大的电流范围内 ,峰的半高全宽 (FWHM)为 4 0nm。(本文来源于《中国激光》期刊2003年01期）
偏振不灵敏论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
偏振不灵敏论文参考文献
[1].靳琳,宋世超,文龙,孙云飞.基于表面等离激元的偏振不灵敏型电光调制器的理论研究[J].光电工程.2018
[2].黄永箴,胡永红,于丽娟,陈沁,谭满清.1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制[J].光电子·激光.2006
[3].王书荣,王圩,刘志宏,朱洪亮,张瑞英.宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器[J].半导体学报.2005
[4].王书荣,王圩,朱洪亮,张瑞英,赵玲娟.高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器[J].中国激光.2004
[5].安俊明,李健,郜定山,夏君磊,李建光.偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计(英文)[J].半导体学报.2004
[6].王书荣,刘志宏,王圩,朱洪亮,张瑞英.宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)[J].半导体学报.2004
[7].殷景志,杜国同,龙北红,杨树人,许武.InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究[J].液晶与显示.2004
[8].于丽娟,金潮渊,芦秀玲,黄永箴.1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长[J].半导体光电.2003
[9].黄黎蓉,李含辉,胡振华,黄永箴,黄德修.抗反膜设计改善半导体光放大器偏振不灵敏性的理论研究[J].中国激光.2003
[10].殷景志,刘素萍,刘宗顺,王新强,殷宗友.适于InGaAsP光放大器偏振不灵敏的增益介质[J].中国激光.2003