肖特基势垒二极管论文_任舰,苏丽娜,李文佳,闫大为,顾晓峰

导读:本文包含了肖特基势垒二极管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:肖特基,粒子,电流,终端,金刚石,电阻,密度。

肖特基势垒二极管论文文献综述

任舰,苏丽娜,李文佳,闫大为,顾晓峰^[1]（2019）在《GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制》一文中研究指出通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而GaN SBD低场下为FP发射电流,高场下则为Fowler-Nordheim(FN)隧穿电流。电场模拟和光发射测试结果表明,引起退化的主要原因是高电场,由于结构不同,两种SBD的退化机制和退化位置并不相同。根据实验结果,提出了一种高场FN隧穿退化模型,该模型强调应力后叁角势垒变薄导致FN隧穿增强是GaN SBD退化的内在机制。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期）

^[2]（2019）在《ROHM面向车载开发出200V肖特基势垒二极管》一文中研究指出ROHM面向包括xEV(混动与电动汽车)在内的动力传动系统等车载系统,开发出200V耐压的超低I_R肖特基势垒二极管(SBD)RBxx8BM200和RBxx8NS200。RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品,是可在高温环境下工作的超低I_R SBD,已经在日本汽车市场取得了优异业绩。此次,利用其超低I_R特性,实现了高达(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年09期）

吴昊,康玄武,杨兵,张静,赵志波^[3]（2019）在《无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制》一文中研究指出研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm~(-1))与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm~(-1))相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性。研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年06期）

郁鑫鑫,周建军,王艳丰,邱风,孔月婵^[4]（2019）在《高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究》一文中研究指出报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年02期）

于庆奎,张洪伟,孙毅,梅博,魏志超^[5]（2019）在《SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应》一文中研究指出在100～600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁。(本文来源于《现代应用物理》期刊2019年01期）

王文举^[6]（2019）在《4H-SiC沟槽MOS势垒肖特基功率二极管模拟研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料,具有高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和漂移速率等特点。SiC功率器件相比传统硅基器件功耗大幅度降低,在高温、高频、大功率领域具有广泛的应用前景。沟槽MOS势垒肖特基二极管(TMBS)相比结势垒控制肖特基二极管(JBS),具有正向导通电阻低,反向偏置时电场屏蔽效果好等优势,在硅材料中得到了广泛的应用。然而,由于SiC TMBS功率二极管在加反向电压时氧化层电场过高而造成器件击穿,其发展受到极大限制。通过在沟槽底部增加P+保护区可以有效降低氧化层电场,增大器件耐压。但是,P+区和漂移区形成的PN结使得器件导通电阻显着增大。本文在此结构基础上,提出了两种新型器件结构可以大幅降低器件特征导通电阻,增大器件优值(BV2/Ron-sp)。1、N包裹区4H-SiC TMBS:通过适当增加P+区周围N型漂移区的掺杂浓度,可以减小PN结的耗尽层宽度,拓宽器件导通时的电流路径,从而降低器件导通压降。利用SILVACO仿真软件,研究了提出结构的电学特性并对N包裹区的掺杂浓度和宽度进行优化,最终使得器件特征导通电阻降低了 32.2%,器件优值提高了 48.4%。同时保持较高的击穿电压1908V基本不变。2、侧壁增强型4H-SiC TMBS:通过离子注入增加沟槽底部和沟槽侧壁N型漂移区的掺杂浓度可以减小PN结耗尽层宽度和沟道电阻率,从而减弱P+区对器件正向电流的阻碍作用。为了更加透彻地分析器改进原理,建立了器件正向导通解析模型。通过仿真软件对侧壁增强区的掺杂浓度和宽度进行优化,最终使得器件特征导通电阻降低了 38.4%,器件优值提高了 61.3%。同时保持了较高的器件耐压。而且,氧化层电场强度小于2.5MV/cm,肖特基界面电场强度小于0.6MV/cm。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2019-03-01）

李嘉琳,桑玲,郑柳,田丽欣,张文婷^[7]（2019）在《具有场限环终端的6500 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制》一文中研究指出阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值模拟优化了器件元胞和终端结构的漂移区、有源区和场限环的结构参数。根据模拟结果,4H-SiC漂移区掺杂浓度为1.08×1015 cm-3、厚度为60μm,采用经过优化的70个场限环终端结构,通过完整的工艺流程,完成6 500 V4H-SiC JBS的制备。测试结果显示,室温下当6 500 V4H-SiC JBS正向导通电流密度达到3.53×105 A/m2时,正向压降为4 V,器件的反向击穿电压约为8 000 V。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年02期）

^[8]（2018）在《氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏》一文中研究指出美国康奈尔大学和日本的新型晶体技术公司近期声称单斜形β-多晶型氧化镓(β-Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)具有最低的泄漏电流。在相对较高的击穿电压1232V下,显示出低的泄漏电流密度小于1μA·cm~(-2)。(本文来源于《半导体信息》期刊2018年06期）

杜园园,张春雷,曹学蕾,雒涛,孟斌^[9]（2018）在《用于α粒子探测的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的温度特性》一文中研究指出采用外延层厚度为20μm的n型4H-SiC外延片,制备用于α粒子探测的肖特基势垒二极管(SBD)辐射探测器。在298-423K范围内,研究了Ni/4H-SiC SBD探测器的正向和反向电流-电压(I-V)特性。探测器的反向漏电流在298-398K基本不变,表明其可在高温下工作。基于热电子发射(TE)理论,探测器的正向I-V特性表明,当温度升高时,势垒高度增加,理想因子减小,得到的Richardson常数为6.899Acm~(-2)K~(-2),远低于理论值146Acm~(-2)K~(-2),这些异常主要归因于Ni/4H-SiC界面处的势垒高度不均匀。从正向I-V-T数据得到的有效势垒高度值为1.544eV,与电容-电压(C-V)所得的势垒高度1.552eV接近。通过假设肖特基势垒高度服从高斯分布,从φ_(ap)对q/2kT的曲线拟合得到平均势垒高度为1.729eV,标准差为74.330mV。通过修正的Richardson曲线计算出平均势垒高度为1.728eV,与SBH符合高斯分布计算结果 1.729eV一致,修正后的Richardson常数计算为141.383Acm~(-2)K~(-2),与理论值相接近。(本文来源于《第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集》期刊2018-10-15）

^[10]（2018）在《美高森美继提供下一代1200V SiC MOSFET样品和700V肖特基势垒二极管器件》一文中研究指出美高森美公司(Microsemi)下季初扩大其碳化硅(SiC)MOSFET和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200V、25mOhm和80mOhm SiC MOSFET器件的样品,及下一代700V、50A肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展,在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD/MOSFET产品系列中的其它最新器件。(本文来源于《半导体信息》期刊2018年03期）

肖特基势垒二极管论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

ROHM面向包括xEV(混动与电动汽车)在内的动力传动系统等车载系统,开发出200V耐压的超低I_R肖特基势垒二极管(SBD)RBxx8BM200和RBxx8NS200。RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新产品,是可在高温环境下工作的超低I_R SBD,已经在日本汽车市场取得了优异业绩。此次,利用其超低I_R特性,实现了高达

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

肖特基势垒二极管论文参考文献

[1].任舰,苏丽娜,李文佳,闫大为,顾晓峰.GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制[J].半导体光电.2019

[2]..ROHM面向车载开发出200V肖特基势垒二极管[J].电子产品世界.2019

[3].吴昊,康玄武,杨兵,张静,赵志波.无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制[J].半导体技术.2019

[4].郁鑫鑫,周建军,王艳丰,邱风,孔月婵.高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究[J].固体电子学研究与进展.2019

[5].于庆奎,张洪伟,孙毅,梅博,魏志超.SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应[J].现代应用物理.2019

[6].王文举.4H-SiC沟槽MOS势垒肖特基功率二极管模拟研究[D].杭州电子科技大学.2019

[7].李嘉琳,桑玲,郑柳,田丽欣,张文婷.具有场限环终端的6500V4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制[J].微纳电子技术.2019

[8]..氧化镓沟槽肖特基势垒二极管具有超低泄漏[J].半导体信息.2018

[9].杜园园,张春雷,曹学蕾,雒涛,孟斌.用于α粒子探测的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的温度特性[C].第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2018

[10]..美高森美继提供下一代1200VSiCMOSFET样品和700V肖特基势垒二极管器件[J].半导体信息.2018

论文知识图

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