全文摘要
本实用新型公开一种片式电阻电容，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层，所述介质膜、电阻电极、基板、电容电极设置于所述上保护层与下保护层之间，所述介质膜、电阻电极、电容电极设置于所述基板上，所述介质膜上设置有所述电容电极，所述电阻电极设置于所述介质膜的一侧并与所述电容电极搭接，所述电容电极的电容值与所述电容电极的面积、介质膜的介电常数、介质膜的厚度成正比，所述电阻电极的电阻值与电阻电极的面积、电阻电极浆料方阻、介质膜的厚度成正比。本实用新型通过合理的结构设置，提高了电路元器件的安装密度，节省了空间，为元器件的体积减小提供了可能性；该片式电阻电容结构简单，易于推广使用。
主设计要求
1.一种片式电阻电容，其特征在于：包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层，所述介质膜、电阻电极、基板、电容电极设置于所述上保护层与下保护层之间，所述介质膜、电阻电极、电容电极设置于所述基板上，所述介质膜上设置有所述电容电极，所述电阻电极设置于所述介质膜的一侧并与所述电容电极搭接，所述电容电极的电容值与所述电容电极的面积、介质膜的介电常数、介质膜的厚度成正比，所述电阻电极的电阻值与电阻电极的面积、电阻电极浆料方阻、介质膜的厚度成正比。
设计方案
1.一种片式电阻电容，其特征在于：包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层，所述介质膜、电阻电极、基板、电容电极设置于所述上保护层与下保护层之间，所述介质膜、电阻电极、电容电极设置于所述基板上，所述介质膜上设置有所述电容电极，所述电阻电极设置于所述介质膜的一侧并与所述电容电极搭接，所述电容电极的电容值与所述电容电极的面积、介质膜的介电常数、介质膜的厚度成正比，所述电阻电极的电阻值与电阻电极的面积、电阻电极浆料方阻、介质膜的厚度成正比。
2.根据权利要求1所述的一种片式电阻电容，其特征在于：所述电容电极的面积与所述介质膜的面积相等。
3.根据权利要求1所述的一种片式电阻电容，其特征在于：所述电阻电极的厚度等于所述电容电极和介质膜的总厚度。
4.根据权利要求1或3所述的一种片式电阻电容，其特征在于：所述介质膜的厚度为50im。
5.根据权利要求1所述的一种片式电阻电容，其特征在于：该片式电阻电容的尺寸为1.6mm*1.6mm。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及电子元器件领域，具体涉及一种片式电阻电容。
背景技术
随着科技的飞速发展，对于电子元器件的要求越来越高，各种新型的元器件及材料也被大量使用。电路元器件在当今电子产业中已越来越重要，目前开发人员正在加速开发高频、超高速数字系统和微型小型化设计等电路元器件新技术，与此同时元器件厂商也在全力提高各种电路的元器件安装密度，因此发展复合元器件已成为当今发展的必然趋势。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种片式电阻电容。
本实用新型的技术方案如下：
一种片式电阻电容，包括上保护层、介质膜、电阻电极、基板、电容电极和下保护层，所述介质膜、电阻电极、基板、电容电极设置于所述上保护层与下保护层之间，所述介质膜、电阻电极、电容电极设置于所述基板上，所述介质膜上设置有所述电容电极，所述电阻电极设置于所述介质膜的一侧并与所述电容电极搭接，所述电容电极的电容值与所述电容电极的面积、介质膜的介电常数、介质膜的厚度成正比，所述电阻电极的电阻值与电阻电极的面积、电阻电极浆料方阻、介质膜的厚度成正比。
在上述技术方案中，所述电容电极的面积与所述介质膜的面积相等。
在上述技术方案中，所述电阻电极的厚度等于所述电容电极和介质膜的总厚度。
在上述技术方案中，所述介质膜的厚度为50im。
在上述技术方案中，该片式电阻电容的尺寸为1.6mm*1.6mm。
相对于现有技术，本实用新型的有益效果在于：本实用新型通过合理的结构设置，提高了电路元器件的安装密度，节省了空间，为元器件的体积减小提供了可能性。本实用新型提供的一种片式电阻电容结构简单，易于推广使用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的一种片式电阻电容的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
为了说明本实用新型所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
实施例
请参阅图1所示，本实施例提供一种片式电阻电容，包括上保护层1、介质膜2、电阻电极3、基板4、电容电极5和下保护层6，所述介质膜2、电阻电极3、基板4、电容电极5设置于所述上保护层1与下保护层6之间，所述介质膜2、电阻电极3、电容电极5设置于所述基板4上，所述介质膜2上设置有所述电容电极5，所述电阻电极3设置于所述介质膜2的一侧并与所述电容电极5搭接，所述电容电极5的电容值与所述电容电极5的面积、介质膜2的介电常数、介质膜2的厚度成正比，所述电阻电极3的电阻值与电阻电极3的面积、电阻电极3浆料方阻、介质膜2的厚度成正比。
本实施例中，所述电容电极5的面积与所述介质膜2的面积相等。
本实施例中，所述电阻电极3的厚度等于所述电容电极5和介质膜2的总厚度。
本实施例中，所述介质膜2的厚度为50im。
本实施例中，该片式电阻电容的尺寸为1.6mm*1.6mm。
该片式电阻电容通过合理的结构设置，提高了电路元器件的安装密度，节省了空间，为元器件的体积减小提供了可能性。
本实施例提供的一种片式电阻电容结构简单，易于推广使用。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920039830.3
申请日:2019-01-10
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209168837U
授权时间:20190726
主分类号:H01C 1/01
专利分类号:H01C1/01;H01C1/02;H01C1/14;H01C1/16;H01C13/00;H01G4/005;H01G4/224;H01G4/06;H01G4/228
范畴分类:38B;
申请人:深圳市高微科电子有限公司
第一申请人:深圳市高微科电子有限公司
申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区西乡街道黄田杨贝工业区1期6栋6楼(中信宝光电产业园)
发明人:马镇鸿;许潇玲
第一发明人:马镇鸿
当前权利人:深圳市高微科电子有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计