导读:本文包含了光电子角分布论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光电子,电离,光子,光谱,量子,速率,激光。
光电子角分布论文文献综述
马堃,颉录有,张登红,董晨钟,屈一至[1]（2016）在《氖原子光电子角分布的理论计算》一文中研究指出本文利用密度矩阵理论和Racah代数推导出了光电子角分布的一般计算公式,并在多组态Dirac-Fock方法基础上发展了计算原子光电离过程中产生的光电子角分布的相对论程序,利用该程序对氖原子2s和2p光电子角分布的偶极和非偶极参数进行了具体计算,所得结果与已有文献具有很好的一致性.在此基础上,本文讨论了光子与电子相互作用多级展开中的非偶极项以及入射光的极化性质对光电子角分布的影响.(本文来源于《物理学报》期刊2016年08期）
刘源,宁传刚[2]（2015）在《用密度泛函理论计算负离子光脱附截面和光电子角分布》一文中研究指出最近随着光电子速度成像技术的发展,实验上获得角分辨的光电子能谱更加便捷。光电子角分布(PAD)包含原子分子内部电子运动状态的丰富信息,并且在光化学动力学过程中扮演着重要角色。在偶极近似下,对于取向随机的气相分子,光电子角分布通常用各向异性参数b值来表征。目前,大多情况下对光电子角分布(本文来源于《第十四届全国化学动力学会议会议文集》期刊2015-08-21）
张凯[3]（2013）在《极紫外光场中分子的光电子角分布研究》一文中研究指出原子分子与强激光场相互作用产生诸多非线性过程,如多光子电离、阈上电离、场致电离、场致解离、库仑爆炸等。本文主要是利用30fs自由电子激光作用于O_2及C_2H_2分子，利用速度成像方法研究O_2的电子及一价离子和C_2H_2电子的电离解离通道及角分布。在51nm(24.3eV)自由电子激光作用下，O_2发生单光子单电离,其电离出的电子所对应X~2∏_g、a~4∏_u、b~4∑_g~-、B~2∑_g~-、3~2∏_u五个不同电子态，而b4∑+g和B~2∑_g~+会发生解离产生氧一价离子，其中b~4∑_g~+态为电离极限并产生零动能碎片;同时分析产生的O~+，O~(2+)价碎片离子,得到O_2在光场中的发生了库仑爆炸。同时发现存在解离产生的O+碎片粒子。利用54nm(23.0eV)激光作用C_2H_2，分析得到从2~∏_g态及2~∑_g~态电离出来的电子。(本文来源于《吉林大学》期刊2013-05-01）
李永放,刘娟,樊荣,任立庆,马瑞琼[4]（2009）在《电离光电子的干涉效应与空间角分布》一文中研究指出基于光电子角分布成像光谱技术的基本原理,讨论了单光子共振叁光子电离方法获得的光电子成像图,同时也分析了光电子角分布的物理含义。着重研究了多通道电离过程中光电子的干涉作用对成像光谱的影响;分析了光电子空间角分布以及光电成像光谱与原子能态信息的关系。(本文来源于《中国激光》期刊2009年11期）
樊荣,刘娟,仇旭,任立庆,马瑞琼[5]（2009）在《多通道光离化的光电子干涉效应及空间角分布》一文中研究指出利用光电子角分布成像光谱技术原理,以钠原子为例利用双光子共振叁光子电离方法研究了从钠原子的4D态双能级电离后所产生的光电子角分布的状态.分析、讨论了多通道电离过程中所产生光电子的干涉效应.分析了光电子的空间角分布各部分的物理意义.结果表明该干涉图谱能够清楚地描绘出光电子能量和空间角分布状态.(本文来源于《光子学报》期刊2009年07期）
刘娟[6]（2009）在《电离光电子角分布物理特性研究》一文中研究指出研究激光与物质之间的相互作用,已经进入到前所未有的高度非线性研究范畴。在这一领域的研究具有深远的科学意义和广阔的应用前景。在这些相互作用中,原子的多光子电离是一个基本问题和研究热点。在早期的实验和理论研究中,人们着重关注在极化平面上光电子布居几率随方位角的变化,光电子角分布随着激光偏振状态的变化所展示的不同特点。本文则从量子干涉的角度,主要分析了电离相干对光电子角分布造成的影响。这种干涉图能清楚地解释相关能级上粒子的布居情况,以及光电子的能量和空间的分布状态。其研究结果对研究原子或分子结构有着重要的现实意义。论文主要分为叁部分,其中各部分主要内容如下:第一部分叁能级体系的量子力学描述及能级上粒子布居分析在这部分中主要介绍了与论文中所讨论内容相关的基础理论和激光激发下的跃迁过程。具体包括有:不同表象下哈密顿算符的表示形式以及转换关系等基础知识;运用密度矩阵方程,研究了激发和电离过程中各个能态上粒子随光场变化的情况,得到了各个通道电离跃迁速率及电离几率的一般表达式;利用角动量理论,得到电离几率的显式表达式;分析了不同激发机制下,跃迁所遵循的选择定则不同时对应的电离几率。第二部分双光子共振激发单光子电离过程中光电子角分布的研究基于光电子成像光谱技术的基本原理,以钠原子为例,研究了双光子共振单光子电离过程。利用分波的方法将连续态的电离波展开,研究了从d态简并能级电离后所产生的光电子角分布的几种分布状态,特别是多电离通道间干涉对光电子角分布的影响。通过改变激发场,研究了多通道电离间的相互作用对光电子成像的影响。第叁部分单光子共振激发双光子电离过程中光电子角分布的物理特性分析以钾原子为例,采用单光子共振双光子电离法获得相关能级的粒子布居情况;依据通道间电离几率的分布及光电子的成像理论,主要分析了通道间的相互作用对光电子成像的影响。该过程分两种情况讨论:①当不考虑大量粒子碰撞对能级展宽的影响,由钾原子简并的4p态电离的光电子在探测器上形成高斯分布;通过理论的计算,得到的光电子角分布。同时分析了通道间的干涉效应对角分布成像有重要影响;②当考虑碰撞增宽的影响,由连续态电离的光电子速率不再简单的遵循一种分布,而变为综合线型分布即Voight分布。解析地分析、讨论了由于碰撞的存在,使得大量光电子速度加快,大角度散射的光电子几率变大,表现为角分布外环光电子加强;而由小角度散射的光电子相对减弱,中心图形由面干涉变为线干涉。此时光电子角分布干涉图形能更清晰地描绘出光电子的能量和空间角分布状态。这一结果对于分析光电子角分布成像图谱具有重要的指导意义。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2009-05-01）
刘娟,樊荣,程建军,仇旭,任立庆[7]（2009）在《多通道电离过程中光电子角分布的干涉分析》一文中研究指出基于光电子成像光谱技术原理,研究了双光子共振叁光子电离方法获得的光电子成像图谱.着重分析了多通道电离过程中光电子的干涉作用对成像光谱的影响.结果表明,多通道电离过程中产生的光电子角分布与激发态的能态特点有关.(本文来源于《陕西师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年02期）
程建军[8]（2008）在《多通道电离过程中光电子角分布分析》一文中研究指出本文基于量子力学基本原理,波函数分波展开法和角动量理论研究了从Na原子4D双能态电离到不同电离轨道所产生的光电子角分布状态。解析分析了光电子电离几率的角分布规律;研究了光电子角分布状态受光电子干涉效应的影响。运用密度矩阵方程描述了Na原子系统在激发光场作用下的粒子布居分布情况和电离速率间的关系。阐述了光电子成像光谱技术的基本原理;并以实验原理为依据,数值模拟了电离光电子的成像光谱。研究发现,在一定的条件下,可以通过光场对激发态粒子布居的调制实现对光电子角分布状态的控制。利用这一方法可以实现对电离过程的简化,分解光电子空间分布状态,从而有利于对光电子成像谱的解读。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2008-05-01）
程建军[9]（2008）在《光电子电离角分布的理论计算》一文中研究指出通过计算电离波函数的跃迁矩阵元并与散射截面比较,给出了电离光电子的角分布表达式。(本文来源于《榆林学院学报》期刊2008年02期）
张敬涛[10]（2008）在《线偏振激光场中原子的多光子电离的光电子角分布研究》一文中研究指出非微扰量子电动力学的发展使我们可以利用精确的波函数和非微扰的散射理论来研究多光子电离问题.文章作者及其合作者发展了光电子角分布的处理方法,利用复合相位Bessel函数来表征光电子的跃迁几率幅,将光电子的角分布与复合相位Bessel函数直接联系起来.研究发现,复合相位Bessel函数的性质决定了光电子角分布的主要特点及其随激光强度、频率以及光电子能量的演化.该理论不但证实了实验上已经观测到的各种光电子角分布,而且还预言了实验上尚未观测到的光电子角分布,确立了光电子角分布的标度定律.(本文来源于《物理》期刊2008年03期）
光电子角分布论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
最近随着光电子速度成像技术的发展,实验上获得角分辨的光电子能谱更加便捷。光电子角分布(PAD)包含原子分子内部电子运动状态的丰富信息,并且在光化学动力学过程中扮演着重要角色。在偶极近似下,对于取向随机的气相分子,光电子角分布通常用各向异性参数b值来表征。目前,大多情况下对光电子角分布
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光电子角分布论文参考文献
[1].马堃,颉录有,张登红,董晨钟,屈一至.氖原子光电子角分布的理论计算[J].物理学报.2016
[2].刘源,宁传刚.用密度泛函理论计算负离子光脱附截面和光电子角分布[C].第十四届全国化学动力学会议会议文集.2015
[3].张凯.极紫外光场中分子的光电子角分布研究[D].吉林大学.2013
[4].李永放,刘娟,樊荣,任立庆,马瑞琼.电离光电子的干涉效应与空间角分布[J].中国激光.2009
[5].樊荣,刘娟,仇旭,任立庆,马瑞琼.多通道光离化的光电子干涉效应及空间角分布[J].光子学报.2009
[6].刘娟.电离光电子角分布物理特性研究[D].陕西师范大学.2009
[7].刘娟,樊荣,程建军,仇旭,任立庆.多通道电离过程中光电子角分布的干涉分析[J].陕西师范大学学报(自然科学版).2009
[8].程建军.多通道电离过程中光电子角分布分析[D].陕西师范大学.2008
[9].程建军.光电子电离角分布的理论计算[J].榆林学院学报.2008
[10].张敬涛.线偏振激光场中原子的多光子电离的光电子角分布研究[J].物理.2008
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