全文摘要
本实用新型公开了一种硅衬底的氮化镓芯片，包括氮化镓芯片本体，氮化镓芯片本体由氮化物半导体层、散热衬底和保护层组成，氮化物半导体层位于散热衬底和保护层之间，氮化物半导体层与保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极，散热衬底的内侧壁开设有凹槽，凹槽的内侧壁插接有热扩散层，通过散热衬底将热量进行传递，凹槽开设在距离氮化镓芯片本体距离为1微米处，能够针对温度最急剧上升的结合点加强散热，这样既能够将最急剧上升处的高温速率相对降低，通过热扩散层将热量加快扩散，进而起到散热的效果，通过散热衬底将氮化镓芯片本体进行包裹，能够加快氮化镓芯片本体的热量的扩散。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201921170726.4
申请日:2019-07-24
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:13(河北)
授权编号:CN209880591U
授权时间:20191231
主分类号:H01L23/367
专利分类号:H01L23/367;H01L23/373
范畴分类:38F;
申请人:同辉电子科技股份有限公司
第一申请人:同辉电子科技股份有限公司
申请人地址:050200 河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
发明人:张江鹏;路立峰;唐兰香;甘琨;高建海
第一发明人:张江鹏
当前权利人:同辉电子科技股份有限公司
代理人:周大伟
代理机构:13115
代理机构编号:石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计