导读:本文包含了高压晶闸管阀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶闸管,特高压,硅片,恢复期,阴极,电子,版图。
高压晶闸管阀论文文献综述
杨勇,石岩,操国宏,晁阳[1]（2019）在《特高压晶闸管反向恢复期失效机理及解决方案》一文中研究指出晶闸管是特高压直流(HVDC)输电工程核心部件换流阀的重要基础元件,阀的设计需要考虑晶闸管元件的基本电特性,同时也要考虑器件的极限耐受能力,做到可靠、安全与经济的有效结合。针对特高压换流阀晶闸管反向恢复期失效机理的研究,进一步结合器件的工艺及设计考量进行多款HVDC器件的极限能力研究,为高压晶闸管反向恢复期失效提供解决方案。(本文来源于《电力电子技术》期刊2019年09期）
吴飞鸟[2]（2019）在《特高压晶闸管径向变掺杂新技术》一文中研究指出分析了特高压晶闸管的体内耐压及双负角造型下表面耐压机理。基于台面减薄工艺发展了径向变掺杂技术。该技术在芯片不降低阻断电压前提下厚度极薄化,制造并测试了传统平面结扩散及采用径向变掺杂技术的样品,测试结果显示,采用径向变掺杂技术的样品压降、流通能力及各动态参数均有很大的提高。(本文来源于《信息记录材料》期刊2019年07期）
吴飞鸟[3]（2019）在《特高压晶闸管门-阴极电隔离制造新技术》一文中研究指出本文分析了传统特高压晶闸管门-阴极电隔离技术的优缺点。基于门-阴极版图优化及光刻刻蚀工艺优化,发展了一种全新的门-阴极电隔离制造技术。该技术不仅使工艺成品率大大提高,门、阴极隔离更有效,同时阴极导通面积增大。测试了叁种不同门-阴极电隔离制造技术,测试结果显示,优化后的特高压晶闸管各参数更优。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年04期）
高山城,王峰瀛,白永恒,张刚琦[4]（2018）在《特高压晶闸管的焊接技术》一文中研究指出详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良好的欧姆接触。采用欧姆接触技术制备了两种不同结构的样品,并对其进行电性能测试和可靠性试验。结果表明,与采用压接技术的样品相比,采用欧姆接触技术的样品在流过相同的电流(8 000 A)时,具有更小的通态压降(2. 423 V)和更小的热阻值(0. 004 66 K·cm~2/W),晶闸管性能和可靠性得到全面提高。采用此技术研制的6英寸(1英寸=2. 54 cm) 5 500 A/8 500 V特高压焊接技术晶闸管已成功应用于我国某特高压直流输电工程中。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年10期）
操国宏,朱为为[5]（2018）在《特高压直流输电换流阀用更大尺寸高压晶闸管的研制》一文中研究指出基于6 in换流阀晶闸管的设计和工艺技术平台,通过SILVACO TCAD建模与仿真,输出芯片最优化结构与工艺参数;通过优化杂质扩散工艺、光刻版设计和台面造型保护工艺,保证了掺杂分布的均匀性、重复性和可控性,以及器件良好的阻断特性,确保器件获得较高的电流上升率(d_i/d_t)、电压上升率(d_v/d_t);采用电子辐照技术,使得器件通态压降(VTM)反向恢复电荷(Q_(rr))与关断时间(t_q)的折衷关系得到进一步优化,器件通态压降较6 in晶闸管低3.4%;利用ANSYS等仿真软件对器件进行热仿真分析,优化散热通道结构设计,进一步增大器件的通流能力。在保证器件耐压仍为8500 V的条件下,通流能力较6 in晶闸管提升18%。最终研制出7 in 6500 A/8500 V UHVDC晶闸管并具备批量制造的能力。(本文来源于《超/特高压直流输电技术会议论文集》期刊2018-09-26）
陈黄鹂,赵涛,种晓辉,蔡彬,刘航辉[6]（2018）在《6英寸特高压晶闸管类台面负角造型研究》一文中研究指出本文论述了目前最为先进的晶闸管结终端造型技术——类台面负角造型技术,此技术与传统负角造型技术相比可以为6英寸特高压晶闸管节省9.2%的有效阴极通流面积,提高8.4%的表面阻断转折电压。类台面造型最佳深度在芯片扩散p-n结结深值附近,但不能超过结深。(本文来源于《价值工程》期刊2018年25期）
王芳[7]（2018）在《高压晶闸管阀式地面过分相方案研究及安全分析》一文中研究指出介绍了一种高压晶闸管阀式新型地面电子过分相设计方案,对该方案可能发生的危险及产生的影响进行风险分析,提出了控制措施、保护和应急响应方案,并进行了安全性评价。(本文来源于《电气化铁道》期刊2018年03期）
[8]（2018）在《Vishay发布通过AEC-Q101认证的新款高压晶闸管和二极管》一文中研究指出日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些Vishay Semiconductors公司的器件通过AEC-Q101认证,重复性电压从600V到1600V,电流范围宽,有3种封装可供选择。发布的这些器件采用表面贴装的DPAK(TO-252AA)和D2PAK(TO-263AB)封装,还有通孔TO-247AD封装。9个新晶闸管在导通状态下的连续有(本文来源于《半导体信息》期刊2018年03期）
岳珂,孙玮,刘隆晨,孔德志,庞磊[9]（2017）在《载流子寿命与高压晶闸管反向恢复特性的关系》一文中研究指出掌握晶闸管反向恢复特性对改进晶闸管换流阀电压分布、降低换相失败具有重要意义。为研究晶闸管的反向恢复特性,文中从外部电路条件和内部物理设计参数两个方面,通过实验方法对高压晶闸管的反向恢复特性作了较为深入的探讨。实验研究了工频电流对高压晶闸管反向恢复过程的影响,并将器件的外特性与内部物理过程相联系,通过分析反向恢复时间与载流子寿命的关系,得到少数载流子(简称少子)寿命对高压晶闸管反向恢复特性的影响规律,并分析了反向恢复特性对晶闸管阀暂态特性的影响。结果表明,在正弦电流波形和大注入的情况下,少子寿命与反向恢复存储时间相近;影响反向恢复特性的主要因素是少子寿命,高压晶闸管串联应满足少子寿命相等或近似的条件。(本文来源于《高电压技术》期刊2017年12期）
银登杰,贺振卿,李勇,焦莎莎[10]（2017）在《基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化》一文中研究指出在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶闸管器件动静态特性,文章从制造工艺入手,首先探讨了真空铝预沉积和闭管铝扩散工艺形成PN结的平坦性差异,然后通过理论计算与Silvaco仿真验证,得出了同一硅片厚度下器件转折电压随结深的变化关系,并基于PN结平坦性的考虑设计了两种工艺条件下的最小化硅片厚度。试验结果表明,采用真空铝预沉积工艺及与之对应的最佳硅片参数所研制的器件性能优化明显。(本文来源于《大功率变流技术》期刊2017年06期）
高压晶闸管阀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分析了特高压晶闸管的体内耐压及双负角造型下表面耐压机理。基于台面减薄工艺发展了径向变掺杂技术。该技术在芯片不降低阻断电压前提下厚度极薄化,制造并测试了传统平面结扩散及采用径向变掺杂技术的样品,测试结果显示,采用径向变掺杂技术的样品压降、流通能力及各动态参数均有很大的提高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高压晶闸管阀论文参考文献
[1].杨勇,石岩,操国宏,晁阳.特高压晶闸管反向恢复期失效机理及解决方案[J].电力电子技术.2019
[2].吴飞鸟.特高压晶闸管径向变掺杂新技术[J].信息记录材料.2019
[3].吴飞鸟.特高压晶闸管门-阴极电隔离制造新技术[J].电子技术与软件工程.2019
[4].高山城,王峰瀛,白永恒,张刚琦.特高压晶闸管的焊接技术[J].半导体技术.2018
[5].操国宏,朱为为.特高压直流输电换流阀用更大尺寸高压晶闸管的研制[C].超/特高压直流输电技术会议论文集.2018
[6].陈黄鹂,赵涛,种晓辉,蔡彬,刘航辉.6英寸特高压晶闸管类台面负角造型研究[J].价值工程.2018
[7].王芳.高压晶闸管阀式地面过分相方案研究及安全分析[J].电气化铁道.2018
[8]..Vishay发布通过AEC-Q101认证的新款高压晶闸管和二极管[J].半导体信息.2018
[9].岳珂,孙玮,刘隆晨,孔德志,庞磊.载流子寿命与高压晶闸管反向恢复特性的关系[J].高电压技术.2017
[10].银登杰,贺振卿,李勇,焦莎莎.基于真空铝预沉积工艺的高压晶闸管性能优化[J].大功率变流技术.2017
论文知识图
