导读:本文包含了带隙基准论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:基准,系数,温度,抑制,低功耗,电源,曲率。
带隙基准论文文献综述写法
陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功[1]（2019）在《一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源》一文中研究指出基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45～165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10~(-6)/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋[2]（2019）在《一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源》一文中研究指出设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
陆建恩,刘锡锋,王津飞,居水荣[3]（2019）在《一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准》一文中研究指出基于CSMC 0.18μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR。利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流。通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感,在各个工艺角下均能稳定产生亚阈电流。再利用亚阈电流产生多级正温度系数(PTAT)电压,结合负温度系数(CTAT)电压加权后,获得零温度系数电压。该设计具有亚阈带隙的低功耗特性。经过多项目晶圆流片后,测试结果表明该芯片在室温下输出基准电压约为0.9 V,工作电流约为5μA,线性调整率为0.019%/V;在-40～125℃内,温度系数达到3.97×10~(-5)/℃。芯片面积为94μm×85μm。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年11期）
都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇[4]（2019）在《一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源》一文中研究指出设计产生正、负温度系数电压的电路,在传统基准电压源电路的基础上引入新型具有负温度系数电压的补偿电路,使基准的温度系数大大降低。设计基于中芯国际SMIC 0.18μm工艺,仿真结果表明:在工作电压5 V及环境温度27℃下,输出电压为1.3 V;在0～145℃温度变化范围内,温度系数为4.46×10-6/℃。采用二级运放结构,在低频时电源电压抑制比(PSRR)为-73.66 d B;完成了版图设计,版图尺寸为81.44μm×129.47μm。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年10期）
程亮,赵子龙,侯文彦[5]（2019）在《一种无电阻结构带隙基准源电路》一文中研究指出使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV_(GS)来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃～145℃温度范围内,温漂系数是15×10~(-6)/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。(本文来源于《山西电子技术》期刊2019年05期）
何林峰,聂海,陈娇[6]（2019）在《对于高阶补偿Banba结构带隙基准源的改进分析》一文中研究指出Banba结构是模拟电路中基准源部分的一个基本结构。在针对高阶补偿Banba结构的带隙基准源设计中,其高阶补偿电阻的实际版图大小占整体面积的50%以上。提出了对于高阶补偿Banba结构的改进论证,主要对高阶补偿电阻的有无进行仿真分析,得到对其结构的改善方法。在经过一定的优化后可为大部分通用电路提供稳定低温漂的供电或激励。(本文来源于《成都信息工程大学学报》期刊2019年05期）
张哲,余先银,张启辉[7]（2019）在《一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路》一文中研究指出基于经典的带隙基准电路原理,通过优化电路结构和采用寄生NPN晶体管,提出了一种可以降低运放失调电压和等效输入噪声影响的低噪声带隙基准电路。利用运放钳位流过晶体管的电流的比例,降低了运放失调电压和等效输入噪声至带隙输出电压的增益,实现了更稳定的基准电压输出。电路设计采用GSMC 0.18μm工艺,经过Hspice仿真验证,在2.5 V电源电压下,基准输出电压为1.2 V;在(-40～125)℃温度范围内,基准电压温度系数为3.16×10~(-5)/℃;在10 Hz处,噪声密度为2.67μV/√Hz,低频下电源抑制比(PSRR)在95d B以上。(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年10期）
潘鸿泽,王东兴,宋明歆[8]（2019）在《一款6.4 ppm/℃的低功耗带隙基准设计》一文中研究指出设计了一款低功耗带隙基准,通过引入在温度超过某一温度之后的渐变阻抗,改善了带隙基准的温漂值,同时对传统的带有运放的带隙做出了改进,设计了一款低功耗的结构。仿真结果表明,在电源5 V供电情况下,总体功耗为1.2μW,在温度范围-40℃～150℃,温漂为6.40 ppm/℃。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年09期）
莫啸,李冬,张明科,孔德鑫[9]（2019）在《一种高精度自偏置的带隙基准源》一文中研究指出本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2019年08期）
黄静,杨羽佳,王玉娇,孙玲,赵继聪[10]（2019）在《一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计》一文中研究指出为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺寸优化,获得一个与温度无关的基准电压。电路中的MOSFET偏置于工作电流极低的亚阈值区,从而有效降低了整个带隙基准电路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,在Aether软件环境下完成了电路的仿真和版图设计。后仿真结果表明,室温下,电源电压为3.3 V时,电路总电流为81.2 nA,输出基准电压为1.03 V,启动时间约为0.48μs,功耗约为268 nW,在-40～125℃的范围内温度漂移系数为3.2×10~(-5)/℃。流片后在片测试结果表明,当电源电压在1.6～3.3 V之间变化时,电路输出电压稳定。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
带隙基准论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源电路。该基准源电路主要由启动电路、运算放大器、正温度系数(PTAT)电路、负温度系数(CTAT)电路和曲率补偿电路组成。电路中采用MOSFET替代传统双极结型晶体管作为CTAT来源,并在一阶带隙基础上结合高阶曲率补偿技术,以降低温度系数、提高线性度。基于CSMC 0.18μm工艺设计了该带隙基准电压源芯片,并将其应用于一种超低功耗的模数转换器(ADC)中。在完成ADC的流片后对带隙基准电压源单独进行参数测试,结果显示在1.8 V电源电压下,输出电压为559 mV,在-40～130℃内,温度系数为6.47×10~(-6)/℃,电源抑制比为-54.26 dB,总工作电流仅为0.48μA,芯片面积为0.003 7 mm~2。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙基准论文参考文献
[1].陈昊,张彩珍,王梓淇,王永功.一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[2].张海磊,居水荣,王津飞,刘锡锋.一种带有曲率补偿的低功耗带隙基准电压源[J].半导体技术.2019
[3].陆建恩,刘锡锋,王津飞,居水荣.一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准[J].半导体技术.2019
[4].都文和,刘睿,程秀娟,杨占宇.一种新型温度补偿方式的带隙基准电压源[J].电子与封装.2019
[5].程亮,赵子龙,侯文彦.一种无电阻结构带隙基准源电路[J].山西电子技术.2019
[6].何林峰,聂海,陈娇.对于高阶补偿Banba结构带隙基准源的改进分析[J].成都信息工程大学学报.2019
[7].张哲,余先银,张启辉.一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路[J].电子产品世界.2019
[8].潘鸿泽,王东兴,宋明歆.一款6.4ppm/℃的低功耗带隙基准设计[J].电子技术应用.2019
[9].莫啸,李冬,张明科,孔德鑫.一种高精度自偏置的带隙基准源[J].数字技术与应用.2019
[10].黄静,杨羽佳,王玉娇,孙玲,赵继聪.一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计[J].半导体技术.2019