导读:本文包含了硅微尖论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:锐化,金刚石,等离子体,湿法,电场,冷阴极,电子。
硅微尖论文文献综述
佘峻聪,黄一峰,王伟良,邓少芝,许宁生[1]（2013）在《硅微尖锥场发射阴极的微纳加工工艺及性能优化研究》一文中研究指出本文针对硅微尖锥阴极微纳加工工艺、场发射性能优化及相关物理机理开展研究,为提高硅微尖锥场发射阴极的可靠性、阵列中尖锥的场发射均匀性和发射电流强度/密度提供技术途径和理论参考。(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）》期刊2013-08-22）
元光,曹崇龙,宋翠华,宋航,屿拹秀隆[2]（2008）在《n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算》一文中研究指出结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。(本文来源于《发光学报》期刊2008年03期）
宋翠华[3]（2007）在《硅微尖的场发射电子能谱》一文中研究指出在信息日益发达的社会里,信息显示器件具有非常重要的地位。阴极射线管(cathode ray tube: CRT)显示是最早的,最成熟的,也是性能价格比最高的信息显示技术,但CRT存在体积庞大,笨重等缺陷。场发射显示技术是能够保留CRT显示质量,并使之平板化的重要的平板显示技术。场发射阴极是场发射平板显示的关键,深入理解场发射的机制是开发高效场发射阴极的基础。但是至今为止,只有金属的场发射理论即Fowler-Nordheim理论是人们普遍接受和公认的。其它材料如半导体材料、纳米材料等的场发射过程有时并不遵循Fowler-Nordheim理论。硅材料是人们最为熟悉的半导体材料,研究硅材料的场发射机理有助于深入了解半导体材料的场发射机制。场发射电子能谱是探索场发射机理的重要的工具。本文利用金属的场发射理论,结合半导体能带理论,计算了n型硅的场发射电子能谱,并与n型硅场发射电子能谱的实验测量结果进行比较分析,探讨了半导体硅的场发射机制。首先采用有限元方法求解了金属尖端的电场分布,在此基础上,求得了硅微尖的近似电场分布。根据硅微尖的电场分布,计算了硅的能带弯曲,并结合金属的场发射电子能谱基础,得到了硅的场发射电子能谱。对温度、掺杂浓度、介电常数等因素对硅场发射电子能谱的影响进行了讨论。计算得到的结果基本与实验结果相符合。同时对实验和计算结果的差异进行了分析讨论。(本文来源于《中国海洋大学》期刊2007-06-30）
王维彪,金长春,梁静秋,姜锦秀,刘乃康[4]（1999）在《一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极》一文中研究指出主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成，最后得到曲率半径１０～１５ｎｍ的硅微尖(本文来源于《发光学报》期刊1999年01期）
王维彪,金长春,赵海峰,王永珍,殷秀华[5]（1998）在《干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较》一文中研究指出主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈１００〉晶面和〈１１１〉晶面的单晶硅衬底上制备硅微尖．结果表明干法刻蚀和〈１１１〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制备出顶端曲率半径比较小的硅微尖，通过实验，最后得到曲率半径１０～２０ｎｍ的硅微尖(本文来源于《发光学报》期刊1998年03期）
元光,金亿鑫,金长春,宋航,张宝林[6]（1997）在《在硅微尖上生长金刚石膜的研究》一文中研究指出利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜，并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究．(本文来源于《半导体学报》期刊1997年01期）
元光,金亿鑫,金长春,宋航,张宝林[7]（1996）在《硅微尖上金刚石膜的生长》一文中研究指出采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射方法对金刚石膜进行了研究．(本文来源于《吉林大学自然科学学报》期刊1996年03期）
硅微尖论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅微尖论文参考文献
[1].佘峻聪,黄一峰,王伟良,邓少芝,许宁生.硅微尖锥场发射阴极的微纳加工工艺及性能优化研究[C].中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会论文集（下册）.2013
[2].元光,曹崇龙,宋翠华,宋航,屿拹秀隆.n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算[J].发光学报.2008
[3].宋翠华.硅微尖的场发射电子能谱[D].中国海洋大学.2007
[4].王维彪,金长春,梁静秋,姜锦秀,刘乃康.一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极[J].发光学报.1999
[5].王维彪,金长春,赵海峰,王永珍,殷秀华.干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较[J].发光学报.1998
[6].元光,金亿鑫,金长春,宋航,张宝林.在硅微尖上生长金刚石膜的研究[J].半导体学报.1997
[7].元光,金亿鑫,金长春,宋航,张宝林.硅微尖上金刚石膜的生长[J].吉林大学自然科学学报.1996
论文知识图
