导读:本文包含了直流辉光放电论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:辉光,质谱,定量,红磷,氦气,高纯,大气压。
直流辉光放电论文文献综述
谭秀珍,李瑶,朱刘,邓育宁[1]（2019）在《不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响》一文中研究指出讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体11B的信号可达1.8×107 cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体11B的信号可达1.0×107 cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择70 Ge+,Se选择82 Se+,Cd选择111 Cd+,Sn选择119 Sn+,Ag选择109 Ag+,Pt选择194Pt+。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。(本文来源于《冶金分析》期刊2019年08期）
谭秀珍,李瑶,林乾彬,朱刘,邓育宁[2]（2019）在《直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取》一文中研究指出取高纯GeO_2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g~(-1),于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO_2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO_2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显着的差异,其比值大都在2～3之间。由此可见制备的一组GeO_2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO_2中16种杂质元素的问题。(本文来源于《理化检验(化学分册)》期刊2019年07期）
欧文新[3]（2019）在《液相直流阴极辉光放电时空演化研究》一文中研究指出低温等离子体的产生对环境条件、电源等要求不高,反应器投入设备少,适合于方便灵活的中小规模场合制氢,尤其是液态下的辉光放电等离子体具有非法拉第特性,得到普通电解不会出现的产物,应用于制氢时既可提高制氢效率,又可降低电能消耗。而低温等离子体中因具有高能量密度的高活性粒子,可提高制氢反应速度并引发新化学反应。由于等离子体法制氢的原料如甲烷、乙醇等均为液体,因此,在液态下产生放电等离子体是目前亟需解决的一项关键技术。本课题针对液相直流阴极辉光放电时空演化进行相关的理论与实验研究。首先,建立了包括雪崩建立、雪崩、放电等过程的液相直流阴极辉光放电演化的理论分析模型,利用Matlab软件编程计算分析了电场强度、阴极发射电流密度、反应环境温度、反应溶液等参数在放电时空演化时的变化规律,并应用Comsol Multiphysics多物理场仿真软件模拟液相阴极附近预置气泡与电场强度、电流密度等之间的相互关系。仿真结果表明:液相辉光放电起始条件是阴极尖端处发射电流密度,并且由于持续作用的外加电场与极化电荷电场的迭加作用,会大幅增强气泡内电场,使气泡内的物质优先于液体发生电离,并且通过增加施加电压可有效加速气泡的击穿过程。然后,设计液相直流阴极辉光放电实验装置与实验方案,研制H型反应器,选取反应材料及尺寸,并确定电学方法和光学方法结合进行液相直流阴极辉光放电等离子体时空演化的实验诊断方法。接着,根据这些设计,搭建液相直流阴极辉光放电实验装置,开展液相直流辉光放电时空演化的实验研究。实验以乙醇溶液为介质,采用高速摄像捕获瞬态液相直流阴极辉光等离子体放电的时间分辨影像,通过NI-IMAQ Vision进行图像处理,同时结合电流特性曲线,分析放电时空演化的各个过程。实验结果表明,在放电击穿前的大部分时间里,气泡在增大并变形,电场的持续作用会促进产生低密度区域,增强液相的电离过程,导致多次间歇式辉光放电现象。最后,进行了液相直流阴极辉光放电影响因素的实验研究。实验研究发现,当外加电压在100~600V之间时,在溶液温度为70℃的99.7%乙醇溶液中,溶液电导率3.2mS·cm~(-1)为最佳,此时,辉光放电面积大,又可降低击穿电压;而阴极浸入长度为4mm是最佳,此时,可在近沸点时成功启动放电,又节约耗材。所有的研究结果表明:调整施加的外加电压强度是有效影响气泡形状扭曲和激发能力的途径;气泡的击穿电压与溶液电导率成反比;阴极浸入溶液深度与击穿电压成反比。(本文来源于《北京石油化工学院》期刊2019-06-25）
杨宽,丁芳,刘汉兴,朱晓东[4]（2019）在《高气压直流辉光CH_4/H_2等离子体放电过程中的占空比效应》一文中研究指出对高气压下直流均匀辉光放电的脉冲占空比效应进行了研究。在1.7 kHz脉冲放电条件下,当占空比高于73%时,脉冲间隔后电压需要经过10～20μs的上升时间至稳定;而电流增长明显地滞后于电压的上升,整个增长过程需要的时间约是电压上升时间的10倍。减小占空比,表示电流增长快慢程度的时间常数τ几乎线性增加。这是因为小占空比时,上升通道开始时刻的等离子体电子密度低,放电电流需要更长时间才能稳定。在高气压条件下,粒子碰撞效应显着增强,增加的放电功率被更多地被用于加热中性粒子,表现为H_α、H_β等发射光谱强度随占空比降低而增加。进一步减小占空比,电子密度n_e衰减到过低,时间常数τ增加到一定值时,放电就难以维持,表现为放电不稳定乃至熄灭。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年05期）
谭秀珍,李瑶,林乾彬,朱刘,邓育宁[5]（2018）在《直流辉光放电质谱分析导体和非导体样品的高纯铟片制样方法研究》一文中研究指出利用高纯铟薄片作为粘合剂,选取适量的样品压在In薄片上,采用直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定了以红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3为代表的块状非导体、粉末非导体和粉末导体这3类物质中杂质元素的含量。实验考察了取样量、放电参数对基体信号强度及其稳定性的影响,优化后的取样量和放电参数如下:对于块状非导体-红磷样品,选取约2mm×3mm×1mm大小,用手扳压力机压在In上,并将放电电流设在1.50mA,放电电压设在850V;对于粉末非导体-Al_2O_3样品,选择压在In上的Al_2O_3粉末直径约为3mm,放电电流为1.70mA,放电电压为900V;对于粉末导体-In_2O_3和Lu_2O_3样品,则选择压在In上的In_2O_3和Lu_2O_3粉末直径约为7~8mm,放电电流为1.80mA,放电电压为950V。将实验方法应用于红磷、Al_2O_3、In_2O_3和Lu_2O_3样品的测定,其中检测红磷的杂质元素检出限要比Al_2O_3的低1个数量级;对In_2O_3独立测定5次结果的相对标准偏差均在20%内,大部分元素的测定值与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)基本一致,而Na、Al、Sn、Pb元素的测定值差别虽然有点大,但都在一个数量级上,对高纯金属产品的定级没有太大影响;Lu_2O_3中稀土元素的测定结果与ICP-MS的分析结果也基本一致。(本文来源于《冶金分析》期刊2018年09期）
胡维铸,唐语,燕际军[6]（2018）在《直流辉光放电原子发射光谱法测定中低合金钢中锆》一文中研究指出采取9种不同梯度锆量中低合金钢标准样品绘制曲线,建立了测定中低合金钢中锆的直流辉光放电原子发射光谱法。以单因素法考察了直流辉光光谱仪实验参数对测定中低合金钢中锆的影响,确定激发电压为1 250V、激发电流为45mA、预燃时间为60s、积分时间为10s。以锆元素光谱强度为横坐标,锆元素质量分数为纵坐标绘制校准曲线,其校准曲线线性相关系数为0.996 1,线性范围为0.004 4%~0.35%。采用实验方法对中低合金钢标准样品中锆进行测定,测定值与认定值基本一致,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.72%~1.7%,测定结果的相对标准偏差都符合仪器推荐测量要求(相对标准偏差小于3%)。将实验方法应用于中低合金钢实际样品分析,测得结果与国标方法 GB/T 223.30—1994基本一致。(本文来源于《冶金分析》期刊2018年08期）
石峰,王昊,朱红伟[7]（2018）在《直流氩气辉光放电的PIC/MCC模拟分析》一文中研究指出辉光放电在微电子工业中的应用越来越广泛。为了研究直流辉光放电稳态等离子体的特性,采用粒子网格方法(PIC法)与Monte Carlo碰撞模型(MCC方法)相结合的方法(PIC/MCC方法)跟踪了带电粒子的运动过程,同时充分考虑了电子与中性粒子的弹性、电离碰撞,离子与中性粒子的弹性和电荷交换碰撞,模拟结果得到了直流辉光电离过程达到稳态后的电子离子的相空间分布,得到了放电过程中带电粒子的速度、能量的空间变化,同时对粒子进行统计平均,得到了空间中的电势和电场强度分布,模拟结果与实验和理论相符,对实验有一定的指导意义。(本文来源于《真空与低温》期刊2018年03期）
徐乐[8]（2018）在《大气压直流辉光放电等离子体气体温度场诊断研究》一文中研究指出大气压辉光微放电是大气压下产生的一种等离子体形式,近年来受到等离子体科学与技术领域广泛关注。由于其非热平衡特性,即气体温度低、物化活性强,在环境、生物、材料等领域都有广阔的应用前景。然而,迄今人们对等离子体产生及作用机制仍缺乏了解,这也制约相关等离子体技术的应用。本文以大气压辉光微放电气体温度场这一基本物理量为研究对象,展开了以下几个方面的研究:1.轴对称断层算法的研究:常用无干扰性的光学诊断通常是线积分的,对光谱测量来说得到是光线沿光程上光强的积分,而对纹影测量来说得到的是折射率导数的积分,基于积分量反求分布物理量需经过反卷积过程。(1)这里针对两种不同情况分别介绍了重建过程常用实现方法的基本原理及特性:对于积分量为强度的辐射光谱测量,介绍了离散矩阵法、投影量插值法、傅里叶法叁种代表性方法;对于积分量为偏折程度的定量纹影测量,介绍了辛普森公式法、叁点法、自适应的傅里叶—汉克尔变换法叁种代表性方法。(2)针对光偏折断层重建算法,通过数值实验选择了最佳算法并确定了其参数。具体过程即假定温度分布由Abel正变换算得偏折角分布,然后再由不同算法进行重建,计算结果与假设分布之间偏差来评估其算法性能。由此比较了不同方法在无噪声理想情况与有噪声情况下的表现,确定了傅里叶—汉克尔变换法更优的性能。2.针-针直流辉光微等离子体放电区域的气体温度测量:气体温度不论是对等离子体基础研究还是应用开发都是十分重要的参数。使用校正纹影法确定了具有高温度梯度的空气微等离子体全空间气体温度场。通过与两种常用的诊断方法即发射光谱法与瑞利散射法比对,取得了较好的一致性。这也展示了校正纹影法诊断温度场的优势,即仅需拍摄一张纹影图像就能获取全空间气体温度场。即使对发光微弱的放电结构如法拉第暗区,校正纹影法仍然可以取得可靠的结果;结果显示所研究的微等离子体的气体温度场随着放电电流的增加其分布持续拓展,特别是在阴极区尤为显着;轴向的温度分布呈现“W”形,在阴极与阳极辉光区均有陡峭的梯度,在正柱区呈和缓的拱形,而在法拉第暗区温度最低。并发现得到的气体温度场与放电发光强度分布有一定关联性。当电流增加时,更多的电场能量耗散在放电区域,起到加热空气和收缩法拉第暗区的作用。除了在电极边缘会受到光线衍射的干扰,校正纹影法能够精确估计出放电的全空间气体温度分布。3.湿度对针-针直流辉光微等离子体热场的影响:在等离子体处理环境中经常不可避免存在水蒸汽,本文主要研究了湿度对氩气直流辉光放电热场的影响。分别通过校正纹影法和空间分辨的发射光谱法获取了放电区域气体温度场。两种方法得到的叁维温度分布在相同区域较一致,整体呈现圆锥形而在其轴线上类似“W”形分布。结果显示发射光谱法只能刻画发光区域的温度,这通常对应着放电热核区域。同时观察到发光区域受相应激发态粒子的分布和产生及消失机制的影响,随着放电条件不同而变化,如本文中湿度强烈影响OH(A-X)的辐射图样。相反地,通过校正纹影法能够准确地获取全空间的温度分布,即使是对如法拉第暗区等发光微弱区域。因而本文基于校正纹影法研究了湿度对气体温度和维持热场所耗散热量分布的影响,揭示了各放电区域温度分布及热量耗散随水汽含量变化的定量关系,并发现根据发射光谱法估测的热量耗散会远远低估其真实值。(本文来源于《重庆大学》期刊2018-04-01）
李静,朱莎,徐永刚,张同意,汤洁[9]（2017）在《大气压纵向氦气流对直流辉光放电特性影响的研究》一文中研究指出利用一维自洽流体模型系统研究了大气压条件下纵向氦气流对直流辉光放电特性的影响.研究结果表明,在不同的氦气流速条件下,对应不同放电空间中带电粒子的动力学行为特征表现出显着的差异,进而引起放电结构的变化.正向氦气流导致放电空间中正柱区和负辉区的带电粒子密度减少,甚至能够使得负辉区逐渐消失.负向氦气流能够使得放电空间负辉区的带电粒子密度增大.通过比较氦气流速与离子迁移速率的差异,分析结果发现,因氦气流导致对流效应,其通过不同方式影响放电空间带电粒子的输运机制,最终引起了放电空间结构行为特性的变化.等离子体密度的增加说明在实际应用中通过控制气流大小和方向可以提高等离子体源的化学活性和工作效率,这对于等离子体在工业领域中的应用具有一定的参考和指导意义.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2017年09期）
徐乐,王厦,熊琳,黄清华,熊青[10]（2017）在《定量纹影法确定空气直流辉光放电的温度分布》一文中研究指出气体温度是表征等离子体放电重要的基本参数,它决定等离子体的宏观性质,因此准确地测量其温度无论对于理论研究还是工业应用都有重要的意义。由于光谱方法具有无干扰性,使其成为常用的测量方法。但光谱仪价格昂贵,且探测的是线积分光谱信号,难以获取高分辨率的空间分布信息,从一定程度上限制了它的应用。纹影方法作为一种流场显示技术,具有高空间分辨、造价低、易实现等多方面的优点,近年来得到了等离子体领域学者的关注,但大多数报道仅限于运用结果对放电进行定性的分析。本文采用定量纹影方法对针-针电极的空气直流辉光放电展开研究,由纹影图像可知,随着电流的增大,放电温度空间分布范围随之扩展。经标定程序计算图像每个像素点对应的偏折角,在轴对称假定下,通过abel变换重建出放电区域的温度分布。并将其与发射光谱法和瑞利散射得到相同位置的温度结果进行对比,验证定量纹影方法的正确性。由于纹影法只需拍摄一张图片即可确定全空间的叁维温度分布,省却了光谱法和瑞利散射繁琐的工作,为进一步研究针-水电极的辉光放电提供了实验基础和依据。同时纹影测量系统相对光谱仪的成本更低,对稳态放电等离子体的温度空间分布诊断,提供了更简单直接的途径。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
直流辉光放电论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
取高纯GeO_2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g~(-1),于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO_2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO_2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显着的差异,其比值大都在2～3之间。由此可见制备的一组GeO_2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO_2中16种杂质元素的问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直流辉光放电论文参考文献
[1].谭秀珍,李瑶,朱刘,邓育宁.不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响[J].冶金分析.2019
[2].谭秀珍,李瑶,林乾彬,朱刘,邓育宁.直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取[J].理化检验(化学分册).2019
[3].欧文新.液相直流阴极辉光放电时空演化研究[D].北京石油化工学院.2019
[4].杨宽,丁芳,刘汉兴,朱晓东.高气压直流辉光CH_4/H_2等离子体放电过程中的占空比效应[J].真空科学与技术学报.2019
[5].谭秀珍,李瑶,林乾彬,朱刘,邓育宁.直流辉光放电质谱分析导体和非导体样品的高纯铟片制样方法研究[J].冶金分析.2018
[6].胡维铸,唐语,燕际军.直流辉光放电原子发射光谱法测定中低合金钢中锆[J].冶金分析.2018
[7].石峰,王昊,朱红伟.直流氩气辉光放电的PIC/MCC模拟分析[J].真空与低温.2018
[8].徐乐.大气压直流辉光放电等离子体气体温度场诊断研究[D].重庆大学.2018
[9].李静,朱莎,徐永刚,张同意,汤洁.大气压纵向氦气流对直流辉光放电特性影响的研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2017
[10].徐乐,王厦,熊琳,黄清华,熊青.定量纹影法确定空气直流辉光放电的温度分布[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
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