三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

三维晶体管阵列有望打破摩尔定律

论文摘要

<正>目前,用于计算机处理器的硅集成电路正接近单个芯片上晶体管的最大可行密度,至少在二维阵列中是这样。摩尔定律看似已难以维持。美国密歇根大学一研究团队却另辟蹊径,将晶体管阵列带入三维空间,在最先进的硅芯片上直接堆叠第二层晶体管。这一研究为开发打破摩尔定律的硅集成电路铺平了道路。摩尔定律认为,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔两年便会增加一倍。目前硅集成电路的晶体管密度已接

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类型: 期刊论文

来源: 机床与液压 2019年22期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技

专业: 无线电电子学,计算机硬件技术

分类号: TN32;TP332

页码: 69

总页数: 1

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