本征缓冲层厚度对纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的影响

论文摘要

采用纳米硅和晶体硅材料设计了一种纳米硅（nc-Si:H）/晶体硅（c-Si）异质结太阳电池,并利用wxAMPS软件对该电池的基本性能进行了模拟。仿真发现,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,它对电池的填充因子和开路电压影响非常明显。如果在电池的纳米硅与晶体硅交界处插入1 nm厚的纳米本征缓冲层,可以降低缺陷态密度的消极影响,提高光伏电池的光电转换效率。

论文目录

• 1 实验基础
•   1.1 wxAMPS与AMPS-1D软件的区别
•   1.2 纳米硅/晶体硅异质结太阳电池结构参数设置
•   1.3 本征缓冲层参数设置
• 2 结果与分析
•   2.1 界面态密度对光伏特性的影响
•   2.2 本征纳米硅缓冲层（buffer层）厚度对光伏特性的影响
• 3 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郭群超,刘阳

关键词: 纳米硅,异质结,界面态,能带补偿

来源: 上海电机学院学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 上海电机学院电气学院

分类号: TM914.4

页码: 315-320

总页数: 6

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