型分布布拉格反射器论文_范杰,龚春阳,杨晶晶,邹永刚,马晓辉

导读:本文包含了型分布布拉格反射器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:布拉格,反射,矩阵,激光器,光电子学,半导体,反射率。

型分布布拉格反射器论文文献综述

范杰,龚春阳,杨晶晶,邹永刚,马晓辉[1](2019)在《分布布拉格反射器半导体激光器的研究进展》一文中研究指出与传统的法布里-珀罗(F-P)腔半导体激光器相比,采用分布布拉格反射器(DBR)光栅的边发射半导体激光器在窄线宽、输出波长稳定等方面展示出了优异的特性,其在激光通信、光互联及非线性频率转换等领域有着巨大的应用需求。通过合理设计DBR光栅及器件结构,DBR半导体激光器可以实现激光窄线宽、双波长输出以及波长可调谐等性能。基于内置DBR光栅结构,DBR锥形半导体激光器可以同时兼具高功率、窄线宽及高光束质量等特性。针对这几类激光器,阐述了其结构设计、制作工艺及其性能优势,总结了国内外最新研究进展与发展现状,并对DBR半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2019年06期)

侯仕东,严高师[2](2010)在《GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计》一文中研究指出采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究。计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的;S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明:入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构。复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射.复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。(本文来源于《量子电子学报》期刊2010年02期)

郑树文,范广涵,李述体,周天明[3](2007)在《入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响》一文中研究指出利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析。计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系。根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式。分析了从空气和Al_(0.4)Ga_(0.5)In_(0.1)N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异。为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构。分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势。(本文来源于《量子电子学报》期刊2007年04期)

李逢君[4](2007)在《分布布拉格反射器在紫外发光二极管中应用的基础研究》一文中研究指出如今,波长范围在350-280nm的紫外发光二极管的应用范围越来越广,特别是350nm的紫外发光二极管已经应用在了许多的领域,比如环保、医疗装置等等各个领域。然而,由于量子效率非常的低,和InGaN基的近紫外或者蓝光二极管相比,350nm的紫外发光二极管的发光效率非常的低。因此,如何有效的提高紫外发光二极管的发光效率有着重要的应用意义。本文通过对紫外发光二极管的发光机理的分析,并将紫外发光二极管同其它半导体发光二极管进行对比,发现由于蓝光波长远远大于362nm(GaN的Bandgap),因此蓝光二极管并不存在内部吸收问题。这就说明,内部吸收问题极大地影响了紫外发光二极管的发光性能,这也就是紫外发光二极管的性能大大低于近紫外和蓝光二极管的原因。而相关研究表明,若在其中置入分布布拉格反射器则可较大程度上提高其出光效率和发光亮度。因此,本文的主要工作内容如下:(1)全面了解掌握布拉格反射器在发光二极管中的应用概况,并从理论上分析了通过将分布式布拉格反射器应用于紫外发光二极管中可以有效抑制内部吸收,从而获得较大输出能量的原理及方法。(2)深入研究了DBR膜层的折射系数与掺Al浓度及波长之间的关系,得出了在Al_xGa_(1-x)N中Al的含量越高(x越大),波长越大,膜层的折射系数(n)越小的结论。(3)定量分析了决定DBR系统性能的几个主要因素之间的关系,即:A.膜层禁带宽度Eg与膜层材料中Al的摩尔浓度之间的关系B.室温下折射系数与Al的摩尔浓度之间的关系C.膜层禁带宽度Eg与温度之间的关系D.折射系数与温度之间的关系(4)验证了室温( T = 300K )下AlxGa1-xN的折射系数(n)同Al的摩尔浓度(x)关系式(B)的可靠性和实用性,说明了该关系式可以用于常温下若已知Al_xGa_(1-x)N中Al的摩尔浓度,可求得Al_xGa_(1-x)N的折射系数的计算之中。(本文来源于《天津大学》期刊2007-06-01)

郑树文,范广涵,章勇,李述体,孙惠卿[5](2006)在《基于LED应用的分布布拉格反射器研究进展》一文中研究指出从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(DBR)在发光二极管(LED)器件中的发展情况,并对分布DBR的发展提出了几点研究意见。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2006年12期)

郑树文,范广涵,李述体,雷勇,黄琨[6](2006)在《入射角对Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响》一文中研究指出采用传输矩阵法对Al0.5Ga0.5As-AlAs材料的发光二极管分布布拉格反射器进行入射角的反射光谱研究,计算发现反射偏振光p和s随入射角的增大呈“V”形变化,在49.8°处有最小反射值。不同入射介质[以空气和限制层(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P材料]下的反射光谱受入射角的影响差异很大,其中入射角对空气入射介质的反射谱影响较小,由0°入射的反射率88.13%降至45°的84.94%,反射峰值波长蓝移仅10 nm;但入射角对(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P入射介质的反射谱影响很大,仅从0°到45°入射,反射率降幅就超过45%,反射峰值波长蓝移超过127 nm。为了减缓这种影响,提出了多波长布拉格反射器结构设计。计算表明多波长分布布拉格反射器在0ο~45°的入射角内比传统的分布布拉格反射器有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。(本文来源于《光学学报》期刊2006年05期)

洪灵愿,刘宝林[7](2005)在《AlN /GaN分布布拉格反射器反射率的研究》一文中研究指出从理论上推导出分布布拉格反射器(DBR)反射率的计算公式,分析了GaN基材料DBR反射率与单层膜折射率、多层膜的对数、单层膜的厚度等的关系,发现20对AlN/GaN构成的1/4波长DBR的反射率在中心波长410nm下达到了0.9995,分析了DBR反射率随单层厚度波动的影响,并发现随着正偏差的增大,最大反射率对应的波长增大.相同对数AlN/GaN多层膜的反射率比AlGaN/GaN多层膜的反射率大,因此,AlN/GaN比AlGaN/GaN更适合做反射器.(本文来源于《集美大学学报(自然科学版)》期刊2005年02期)

刘宝利,王炳燊,徐仲英[8](2001)在《分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响》一文中研究指出从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0 腔不同情况的最佳生长模式(本文来源于《半导体学报》期刊2001年03期)

T.Tanbun--ek,黄以明[9](1983)在《发射波长1.5~1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导激光器的低阈值电流CW工作》一文中研究指出波长1.5~1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率和最大输出功率分别为37mA、16.3%/端面和6mW。(本文来源于《半导体情报》期刊1983年02期)

型分布布拉格反射器论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究。计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的;S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应。通过修改结构参数多次计算表明:入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构。复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射.复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

型分布布拉格反射器论文参考文献

[1].范杰,龚春阳,杨晶晶,邹永刚,马晓辉.分布布拉格反射器半导体激光器的研究进展[J].激光与光电子学进展.2019

[2].侯仕东,严高师.GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计[J].量子电子学报.2010

[3].郑树文,范广涵,李述体,周天明.入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响[J].量子电子学报.2007

[4].李逢君.分布布拉格反射器在紫外发光二极管中应用的基础研究[D].天津大学.2007

[5].郑树文,范广涵,章勇,李述体,孙惠卿.基于LED应用的分布布拉格反射器研究进展[J].激光与光电子学进展.2006

[6].郑树文,范广涵,李述体,雷勇,黄琨.入射角对Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器反射光谱的影响[J].光学学报.2006

[7].洪灵愿,刘宝林.AlN/GaN分布布拉格反射器反射率的研究[J].集美大学学报(自然科学版).2005

[8].刘宝利,王炳燊,徐仲英.分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响[J].半导体学报.2001

[9].T.Tanbun--ek,黄以明.发射波长1.5~1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导激光器的低阈值电流CW工作[J].半导体情报.1983

论文知识图

含传统20周期分布布拉格反射器(b)的含传统20周期分布布拉格反射器(b)的AlG...VCSEL典型结构示意侄按波导结构光纤光栅的分类a均匀光纤光...矩形顶发射VCSEL结构示意图

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型分布布拉格反射器论文_范杰,龚春阳,杨晶晶,邹永刚,马晓辉
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