全文摘要
本实用新型公开了一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，包括：深紫外芯片、近紫外芯片、无机玻璃和支架，所述支架包括底座、焊盘和框架，所述焊盘位于所述底座上下表面，所述框架固定于所述底座上方形成凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述无机玻璃架于所述框架上方密封所述凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片均为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面，所述底座下方设有可焊引脚。本实用新型可最终实现不同波长的紫外的无机集成，简化生产工艺流程，封装内的器件采用同种工艺完成，减少设备投资，并减少人工成本2倍以上；提高了该产品的稳定性，使产品的集成化程度更高，功率更大化。
主设计要求
1.一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，包括：深紫外芯片、近紫外芯片、无机玻璃和支架，所述支架包括底座、焊盘和框架，所述焊盘位于所述底座上下表面，所述框架固定于所述底座上方形成凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述无机玻璃架于所述框架上方密封所述凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片均为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面，所述底座下方设有可焊引脚。
设计方案
1.一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，包括：深紫外芯片、近紫外芯片、无机玻璃和支架，所述支架包括底座、焊盘和框架，所述焊盘位于所述底座上下表面，所述框架固定于所述底座上方形成凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述无机玻璃架于所述框架上方密封所述凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片均为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面，所述底座下方设有可焊引脚。
2.根据权利要求1所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，还包括齐纳管芯片，所述齐纳管芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述齐纳管芯片为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面。
3.根据权利要求1所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，所述框架为双层结构，呈回字形或双圆环形固定于所述底座上方，其夹层用于容置无机焊料。
4.根据权利要求3所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，所述框架的外层高于内层。
5.根据权利要求4所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，其特征在于，所述无机玻璃底面覆盖于所述内层框架顶端，所述无机玻璃的底面与所述内层框架的顶端以及无机焊料紧密接触。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种无机深紫外与近紫外集成封装结构。
背景技术
紫外LED(UV LED)主要应用在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面，而且随着技术的发展，新的应用会不断出现以替代原有的技术和产品。紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。深紫外LED和近紫外LED结合有着广阔的市场应用前景，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大应用价值。限制其发展的一个重要因素是深紫外LED和近紫外LED的封装。
现有的技术主要有以一颗倒装的深紫外芯片和一颗平面正装的近紫外芯片组成，如图1所示，平面的正装需要固定就需要使用有机胶水固定和金线键合的方式，所封装的器件近紫外的芯片就含有有机材质，在深紫外长期使用和点亮过程对产品的可靠性能大大的降低，并且深紫外芯片的结构和近紫外芯片结构方式不一样，需要使用不同的生产工艺设备和人力进行生产。
发明内容
针对上述问题，本实用新型提供了一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，实现深紫外和近紫外集成的无机封装，且封装器件内所有芯片元件的封装工艺相同。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，包括：深紫外芯片、近紫外芯片、无机玻璃和支架，所述支架包括底座、焊盘和框架，所述焊盘位于所述底座上下表面，所述框架固定于所述底座上方形成凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述无机玻璃架于所述框架上方密封所述凹槽，所述深紫外芯片和近紫外芯片均为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面，所述底座下方设有可焊引脚。
优选地，还包括齐纳管芯片，所述齐纳管芯片设于所述底座上方的凹槽内，所述齐纳管芯片为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在所述底座上表面。
本优化方案所带来的优化效果是齐纳管芯片具有稳压作用。
优选地，所述框架为双层结构，呈回字形或双圆环形固定于所述底座上方，其夹层用于容置无机焊料。
更优选地，所述框架的外层高于内层。
更优选地，所述无机玻璃底面覆盖于所述内层框架顶端，所述无机玻璃的底面与所述内层框架的顶端以及无机焊料紧密接触。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构可含两颗或以上的不同紫外芯片集成，最终实现不同波长的紫外的无机集成，简化生产工艺流程，封装内的器件采用同种工艺完成，减少设备投资，并减少人工成本2倍以上，降低了产品的制造成本，易于推广，提升竞争力。
2、本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构提高了该产品的稳定性，在器件整体封装过程都采用无机材料，对产品抗黄化，寿命大大提高。
3、本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构不采用胶水，采用共晶方式，不需要胶水的空间，可使器件更加小型化，相同尺寸的腔体结构内可以放置更多的器件或放置更大的器件，使产品的集成化程度更高，功率更大化。
附图说明
图1是背景技术所述的深紫外LED和近紫外LED的封装结构图。
图2是本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构示意图。
图3是本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构成品俯视图。
图4是本实用新型所述的一种无机深紫外与近紫外集成封装结构成品的沿图2中直线L垂直与底座的侧面剖视图。
其中，1、深紫外芯片；2、近紫外芯片；3、齐纳管芯片；4、支架，41、焊盘，42、框架，43、底座；5、无机焊料；6、无机玻璃；7、可焊引脚；8、导电引线；9、有机胶水；L、底座的中线。
具体实施方式
为了更好的理解本实用新型，下面结合附图和实施例进一步阐明本实用新型的内容，但本实用新型不仅仅局限于下面的实施例。
实施例
在本实用新型的描述中，有必要理解的是，“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系，目标仅为便于描述本实用新型和简化描述，并不是指示或暗示所指部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
如图2至图4所示，一种无机深紫外与近紫外集成封装结构，包括：深紫外芯片1、近紫外芯片2、无机玻璃6和支架4，支架4包括底座43、焊盘41和框架42，焊盘41位于底座43上下表面，框架42固定于底座43上方形成凹槽，深紫外芯片1和近紫外芯片2设于底座43上方的凹槽内，无机玻璃6架于框架42上方密封凹槽。深紫外芯片1和近紫外芯片2均为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在底座43上表面，底座43下方设有可焊引脚7，可焊引脚7可选用金、银、铜、锡等可焊材料。
本无机深紫外与近紫外集成封装结构还包括齐纳管芯片3，齐纳管芯片3设于底座43上方的凹槽内。齐纳管芯片3为倒装芯片，其电极采用金锡合金并在底座43上表面。其中，深紫外芯片1、近紫外芯片2和齐纳管芯片3均为独立的工作电路，采用共晶加热方式，使得深紫外芯片1、近紫外芯片2和齐纳管芯片3与支架4形成共晶焊接，其电极采用金锡合金并在底座43上表面的焊盘41上。
框架42为双层结构，呈回字形或双圆环形固定于底座43上方，本实施例选用回字形框架42。框架42的外层高于内层。框架42的双层结构形成的夹层用于容置无机焊料5。使用无机焊料5填充完毕后，用无机玻璃6底面覆盖于内层框架42顶端，无机玻璃6的底面与内层框架42的顶端以及无机焊料5紧密接触。最后进行加热封焊，成形无机密封件。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201921945030.4
申请日:2019-11-12
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:36(江西)
授权编号:CN209804654U
授权时间:20191217
主分类号:H01L25/16
专利分类号:H01L25/16;H01L33/48;H01L33/62
范畴分类:38F;
申请人:南昌易美光电科技有限公司
第一申请人:南昌易美光电科技有限公司
申请人地址:330095 江西省南昌市高新区天祥大道699号中节能低碳园7-1号楼
发明人:魏峰;刘国旭;孙国喜;朱磊;雷利宁
第一发明人:魏峰
当前权利人:南昌易美光电科技有限公司
代理人:刘奇
代理机构:32266
代理机构编号:苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计