导读:本文包含了片式元件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:网版印刷技术,铁氧体,电感器,网版印刷工艺
片式元件论文文献综述
熊祥玉[1]（2019）在《片式电子元件制造——网版印刷技术新的机会与挑战(二)》一文中研究指出5.片式多层电感器.1)电感器原理电感器是在电路中以磁场形式储积电能的电子元件。电感器能够将变化的电流变为变化的磁场;同时也能够将变化的磁场转化为变化的感应电动势,即产生变化的电流。电感器在电路中的符号为L。电感器是一种储能原件,通常指空心线圈成磁芯线圈。电感器在电路中可与电容器组成振荡电路,也用于能量转换等。电感器的特性是通直流,阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。片式电(本文来源于《丝网印刷》期刊2019年10期）
熊祥玉[2]（2019）在《片式电子元件制造——网版印刷技术新的机会与挑战(一)》一文中研究指出阐述了片式电子元件的概念、片式电子元件在信息技术中的作用,同时也介绍了片式电子元件在高科技产品中的实际应用及工艺制造技术。(本文来源于《丝网印刷》期刊2019年09期）
严峰,孔祥喆,丁淑蓉,何大明,李垣明[3]（2019）在《芯体多孔结构对单片式燃料元件辐照热-力耦合行为的影响研究》一文中研究指出在中子辐照的环境中,由于裂变气体产物的产生, UMo燃料芯体将演化为多孔结构,孔隙率和孔压随着燃耗增长而不断变化,促使单片式燃料元件内产生复杂的多尺度辐照热力耦合行为.本文针对UMo/Al单片式燃料元件,基于考虑芯体亚晶化及外界静水压力相关性的裂变气体肿胀模型,建立了芯体孔隙率随燃耗演化的理论模型,进一步考虑孔隙率及孔压影响建立了芯体/包壳界面微观正应力计算模型.将芯体孔隙率演化模型引入燃料元件多尺度辐照热力耦合行为的叁维有限元模拟,实现了温度和孔隙率与芯体热传导率的实时关联,获得了辐照过程中燃料元件内热-力学场量的分布及演化规律,计算分析了孔隙率对燃料元件温度、变形、芯体/包壳界面微观正应力所产生的影响,并考察了燃料元件表面热交换系数对其辐照热-力耦合行为的影响,获得了芯体/包壳界面破坏的重要影响因素.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2019年11期）
谢涛,李玉学,马奎[4]（2019）在《基于图像处理的微小片式元件自动计数算法》一文中研究指出为了解决人工计数微小片式元件低效、耗时并且容易产生计数误差问题,对基于图像处理的微小片式元件自动计数算法进行了研究,提出一种结合Canny算子的图像分割方法,有效地提高了图像分割的准确性,并采用轮廓回填抹除图像逐次分割方法提高算法效率。设计了基于图像处理的微小片式元件自动计数系统,计数结果准确率高,计数效率高,表明该算法实现了微小片式元件的实时高精度计数。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2019年01期）
付柯楠,石宝松,王玉龙,聂磊[5]（2018）在《基于振动方式的片式元件翻面装置研究》一文中研究指出在SMT组装过程中,针对科研、军工项目印制电路板组装"多品种,小批量"的特点,多采取"手工贴片,回流焊接"的方式。在手工贴片方式下,一些需要向上放置的片式元件通常使用镊子翻面,耗费很大精力,效率低下。制作了一种以振动方式使片式元件翻面的装置,通过多种实验验证了可行性,并将其运用在实际生产中显着提高了效率。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2018年02期）
朱永鑫,常烁[6]（2018）在《基于片式元件的回流焊焊点气孔研究》一文中研究指出影响回流焊焊点气孔的因素很多,本文尝试从热输入设置及元件氧化程度角度研究其对气孔生成的影响,定量对比了不同试验条件下气孔面积比例。结果表明,调整链速进而控制热输入能改善焊点气孔的产生,但作用有限;对焊盘和器件焊端重新搪锡后,可大幅降低气孔的生成。因此,降低焊端氧化物含量是降低焊点气孔率的关键举措。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2018年01期）
胡朗然[7]（2017）在《电子元件的片式化发展趋势》一文中研究指出社会的革新让多个领域的技术取得了突破性进展,电子元件随着人类对电子产品功能要求的提高而不断进化,片式化电子元件已经成为当前市场电子元件的主流。本文就电子元件的片式化发展趋势进行分析。(本文来源于《科技风》期刊2017年26期）
刘钊根,计景春[8]（2017）在《影响0201片式元件组装因素分析》一文中研究指出0前言当今电子产业中电子产品高密度、高性能、高可靠性、低成本的持续要求,驱动着组装工艺技术不断向微型化、密间距方向发展。0201元件在体积重量上比0402小75%,占用板面空间小66%;在高频应用场合,0201电容的等效串联电阻(ESR)和阻抗较低,比0402性能更优。电介质层的厚度减小及层数增多0201电容的容值范围和0402电容相同,(本文来源于《第十一届中国高端SMT学术会议论文集》期刊2017-11-01）
邓永芳,张丽巍,李晓红[9]（2017）在《片式电阻电容元件焊点剪切强度试验研究》一文中研究指出通过分析片式电阻电容元件焊接后的成形形貌,进而分析对剪切试验结果的影响,并采用不同的剪切试验进行比对试验验证。(本文来源于《环境技术》期刊2017年04期）
陈涛[10]（2017）在《还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其迭层片式元件关键技术研究》一文中研究指出多层片式ZnO压敏电阻(ZnO MLVs)因其独特的非线性电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性被广泛地应用于低压集成电路中的静电防护(ESD)。由于ZnO及其组分在低氧分压下高温烧结容易被还原从而发生组分挥发损失,目前ZnOMLVs只能在空气中烧结制备,导致其内电极需使用能够抗高温氧化且熔点较高的贵金属银(Ag)/钯(Pd)合金材料,致使得其生产成本居高不下。此外,内电极与ZnO压敏组分的化学反应和扩散会导致器件电性能的恶化。为解决电极成本高及其与成分反应扩散的问题,本文采用还原再氧化工艺,首先通过对ZnO压敏材料的掺杂改性,使其适应于还原再氧化工艺,在此基础上,用贱金属镍(Ni)替代贵金属Ag/Pd合金作为内电极制备片式元件以降低ZnO MLVs的生产成本,同时保证器件具备良好电性能。主要研究如下:研究了 ZnO单组分体系及ZnO-Bi_2O_3双组份体系在保护气氛(N2)及还原气氛N2-H2(99.5%-0.5%)中的烧结特性,发现ZnO及Bi_2O_3在低氧分压下容易被还原从而产生大量的挥发,导致样品发生严重的质量损失,不能烧成致密陶瓷,且晶粒难以生长(晶粒尺寸小于0.6 μm)。针对此问题,采用氮化硼(BN)作为还原抑制剂来抑制组分的还原挥发及促进瓷体的致密和晶粒的生长。研究发现,BN的添加,有效地抑制了样品中组分的挥发,经还原气氛中烧结后得到了较为致密的陶瓷,经N2-H2气氛中1000℃烧结后,样品的致密度升高到了 95.9%,平均晶粒尺寸为10.6μm,且样品的失重率降低到了 2.4%。通过样品在烧结高温阶段淬火的背散射SEM图及XRD结果,发现烧结过程中BN会吸收组分中释放的氧(O),形成液相Bi-B-O。第一性原理计算结果表明,晶界液相的存在,使ZnO晶粒表面与液相结合,降低了 ZnO晶粒表面的活性,抑制了晶粒表面O的挥发及Zn间隙的形成,从而抑制了 ZnO的还原挥发。液相的存在,加快了烧结过程中的液相传质过程,促进了瓷体的致密及晶粒的生长。由于还原气氛中烧结的样品晶界O的缺乏以及Bi_2O_3被还原成了金属Bi,导致晶界受主态的缺失,使得晶界势垒难以形成,样品不具备非线性Ⅰ-Ⅴ特性。通过再氧化处理,使多晶粒结点处被还原的金属Bi吸附O形成富Bi_2O_3液相,重新在晶界及多晶粒的结点处偏析,这为晶界中的O传输及吸附提供了前提条件,晶界势垒得以形成,所以空气中850 ℃再氧化后的样品具备了一定的非线性特性。对Sb_2O_3添加的ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷微观结构及电性能进行了研究。发现Sb_2O_3的添加,使压敏陶瓷的有效再氧化温度(研究发现压敏陶瓷的非线性系数随着再氧化温度的上升而升高,当再氧化温度达到一定值时,非线性系数基本不变,达到稳定值,这里的“有效再氧化温度”定义为非线性系数达到稳定时的最低再氧化温度)向高温方向移动,在不含Sb_2O_3的样品中,有效再氧化温度为800℃,而添加Sb_2O_3后,有效再氧化温度上升到了 850 ℃。EDAX研究表明,随着Sb_2O_3添加量的增加,金属Bi相中溶解的Sb元素含量也会增加,由于Sb在再氧化过程中先于Bi氧化,会吸收部分O,从而抑制金属Bi的氧化。此外,因被氧化而形成的Sb_2O_3(Sb2O5)会继续与ZnO结合形成尖晶石或与Bi_2O_3及ZnO结合形成焦绿石钉扎在多晶粒的结点处及晶界上,这会阻碍O的传输路径,增加O的迁移势垒,从而使有效再氧化温度上升。为提高ZnO压敏陶瓷的电性能,对样品进行了过渡金属氧化物掺杂改性。研究发现,适当的MnO2、Co_2O_3掺杂利于ZnO晶粒的生长,提升了压敏陶瓷的非线性,降低了样品漏电流密度,且MnO2、Co_2O_3共掺杂对样品电性能的协同作用能更为有效地促进晶粒生长,提高电性能。第一性原理计算结果表明,Co_2O_3、MnO2共掺杂时,增加了 Co、Mn在晶粒内的固溶能,对Co、Mn元素在ZnO晶粒的固溶产生相互的抑制作用,促使Co、Mn向晶界偏析,从而促进再氧化过程中晶界O吸附,增加受主VZn浓度,提高晶界肖特基势垒,提升样品电性能。通过流延工艺制备了以贱金属Ni为内电极的ZnO MLVs生片,发现N2中烧结的样品,Ni电极与瓷体有着良好的共烧兼容性;通过再氧化过程对样品微观结构及电性能影响的研究,发现再氧化温度对ZnO MLVs电性能有着重要影响,再氧化温度过低时(低于650℃),晶界不能充分氧化,样品电性能较差,而再氧化温度过高时(高于750℃),Ni电极的氧化也会导致电性能的恶化;通过建立Ni电极氧化后样品的等效结构模型及改善的RC电路模型,研究了 Ni电极的氧化对器件电性能的影响机制;通过再氧化保温时间对样品电性能的影响研究,发现需要足够高的温度给Bi_2O_3的形成及重新在晶粒结点和晶界处偏析提供动力,同时也需要足够的保温时间来完成这个过程,才能使晶界充分氧化,形成较高的晶界势垒,从而得到电性能良好的器件。本文制备的以贱金属Ni为内电极的ZnOMLVs压敏电压低至16.3 V,非线性系数达到26.5,漏电流为0.68 μA。本文提供的方法适合大规模工业生产,为采用贱金属Ni取代贵金属Ag、Pd,降低电极材料在ZnO MLVs中的成本提供了新的思路。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-04-08）
片式元件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
阐述了片式电子元件的概念、片式电子元件在信息技术中的作用,同时也介绍了片式电子元件在高科技产品中的实际应用及工艺制造技术。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
片式元件论文参考文献
[1].熊祥玉.片式电子元件制造——网版印刷技术新的机会与挑战(二)[J].丝网印刷.2019
[2].熊祥玉.片式电子元件制造——网版印刷技术新的机会与挑战(一)[J].丝网印刷.2019
[3].严峰,孔祥喆,丁淑蓉,何大明,李垣明.芯体多孔结构对单片式燃料元件辐照热-力耦合行为的影响研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2019
[4].谢涛,李玉学,马奎.基于图像处理的微小片式元件自动计数算法[J].计算机与数字工程.2019
[5].付柯楠,石宝松,王玉龙,聂磊.基于振动方式的片式元件翻面装置研究[J].电子工艺技术.2018
[6].朱永鑫,常烁.基于片式元件的回流焊焊点气孔研究[J].电子工艺技术.2018
[7].胡朗然.电子元件的片式化发展趋势[J].科技风.2017
[8].刘钊根,计景春.影响0201片式元件组装因素分析[C].第十一届中国高端SMT学术会议论文集.2017
[9].邓永芳,张丽巍,李晓红.片式电阻电容元件焊点剪切强度试验研究[J].环境技术.2017
[10].陈涛.还原再氧化法制备ZnO压敏陶瓷及其迭层片式元件关键技术研究[D].华中科技大学.2017