导读:本文包含了微晶玻璃基板论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:玻璃,微晶,基板,表面,纳米,青石,金刚石。
微晶玻璃基板论文文献综述
王金普,白林山,储向峰[1]（2015）在《硬盘微晶玻璃基板化学机械抛光研究》一文中研究指出利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光。研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度。结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 m L/min、抛光压力为9.4 k Pa、SiO2浓度为8wt%、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt%时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm)。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年01期）
吴剑芳[2]（2014）在《钾长石矿制备低温烧结α-堇青石微晶玻璃基板材料》一文中研究指出堇青石微晶玻璃具有介电常数及损耗低、热膨胀系数与Si及GaAs等半导体材料热膨胀系数匹配、力学强度高等优异特性,被认为是低温共烧陶瓷技术理想的基板材料。在已报道研究工作中,堇青石微晶玻璃的制备主要以化学纯原料为主,以天然矿物为主要原料制备能应用于低温共烧陶瓷技术的堇青石微晶玻璃的工作较少,以天然矿物为原料具有成本低的优势,同时对矿物的高效利用具有重要意义。论文以钾长石矿为主要原料制备低温烧结α-堇青石微晶玻璃基板材料,采用傅里叶转变红外光谱、扫描示差量热分析、x-射线衍射、扫描电子显微技术对玻璃前驱结构、微晶玻璃物相组成及显微结构进行了表征,此外,对微晶玻璃的介电、热膨胀性能及抗折强度进行了测试；系统探讨了由于钾长石矿而引入配方中的非主晶相化学成分及配方中Si02含量变化对微晶玻璃烧结-晶化及性能的影响；论文首次采用非等温动力学方程计算了低温条件下(<950℃)由非晶相直接晶化形成a-堇青石的动力学参数。主要结论与成果有：(1)对比化学纯原料制备的微晶玻璃,钾长石矿为原料在玻璃配方中引入了以K20为主的非主晶相化学成分；这些非主晶相化学成分降低了玻璃前躯体的玻璃转变温度、升高了晶化起始温度和晶化峰值温度,最终改善玻璃的烧结性,有利于微晶玻璃致密化；非主晶相化学成分促进微晶玻璃中a-革青石相形成,但由于其含量(>6.29wt%)过高,在微晶玻璃中形成了白榴石相；非主晶相化学成分及白榴石恶化微晶玻璃的介电及热膨胀性能。(2)钾长石矿用量变化导致微晶玻璃配方中非主晶相化学成分含量变化。当配方中非主晶相化学成分含量由5.72wt%增至9.16wt%,玻璃转变温度和晶化温度依次降低；进一步增加非主晶相化学成分含量至10.80wt%,由于其中K20含量增至7.41wt%,K+半径较大抑制质点迁移降低晶化趋势,而使晶化温度升高；非主晶相化学成分含量为5.72wt%和10.80wt%的玻璃低温烧结趋势更高,相应微晶玻璃致密度更高(孔隙含量低)。非主晶相化学成分中的主要成分K2O含量显着影响微晶玻璃主晶相的种类及含量；K20含量≤5.12wt%,升高K20含量促进α-堇青石形成；当K20含量≥6.29wt%时,微晶玻璃中形成白榴石相,且K20含量为7.41wt%时微晶玻璃主晶相为白榴石相。在满足LTCC基板材料性能及钾长石矿用量要求的前提下：非主晶相化学成分含量为5.72wt%(钾长石矿用量32.24wt%)的配方在900℃和925℃制备的微晶玻璃致密度高,晶相仅含有α-堇青石,介电常数(分别为6.74、6.16,10MHz)及损耗(分别为4.00×10-3、14.56×10-3、10MHz)低,热膨胀系数(分别为5.23、5.63×10-6K-1)与半导体材料GaAs热膨胀系数匹配良好,且强度(分别为115MPa、145MPa)较高,具有作为LTCC基板材料的潜力。(3)配方中SiO2含量增加,玻璃网络结构完整性增强不明显,但玻璃转变温度及晶化峰值温度升高,即晶化趋势降低；配方中Si02含量增加,微晶玻璃晶相均为a-堇青石,但结晶度降低,孔隙有微弱减少；这些表明增加配方中Si02含量玻璃烧结性微弱增强。总体而言,配方中Si02含量增加,微晶玻璃的介电常数有所降低,可以达到低于6.5；尤其是微晶玻璃的介电损耗有明显改善,在900℃烧结,配方中SiO2含量在49.91-54.08wt%的微晶玻璃介电损耗均在5.00×10-3(10MHz)附近；这有利于低温烧结α-堇青石微晶玻璃应用作为LTCC基板材料。(4)α-堇青石晶体均从非晶相中直接晶化形成,而不是由μ-堇青石转变而形成,且化学成分对α-堇青石晶化过程无明显影响；玻璃Bl中α-堇青石晶化活化能分别为279kJ/mol (Kissinger方程)和280kJ/mol(平均值,Ozawa方程)；α-堇青石晶体生长Avrami指数均为1.89(平均值),表现出体成核和一维生长的机制,这也被α-堇青石晶体的形貌特征所验证；玻璃化学成分对α-堇青石晶体形成活化能有一定影响,高非主晶相化学成分含量玻璃B2中a-堇青石晶化活化能为252(Kissinger方程)和261kJ/mol(平均值,Ozawa方程),高Si02含量玻璃B2-4的活化能分别为231(Kissinger方程)和241kJ/mol(平均值,Ozawa方程),高含量的SiO2或非主晶相化学成分均有利于形成α-堇青石；而成分变化对Avrami指数,即晶体生长机制无明显影响。(本文来源于《中国地质大学》期刊2014-05-01）
刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军[3]（2008）在《计算机硬盘微晶玻璃基板抛光研究》一文中研究指出计算机硬盘微晶玻璃基板的微观结构性能与化学成分都不连续,显微硬度非常高(900 kg/mm2~1 000 kg/mm2),难以获得亚纳米级光滑表面。讨论了微晶玻璃基板结构性能、抛光机理、抛光工艺条件等因素对抛光效果的影响。结果表明,硬盘微晶玻璃基板的结晶相颗粒大小、玻璃相与结晶相的比例都会影响抛光表面质量;化学机械抛光引起玻璃相的优先抛除,该作用机理不适宜于微晶玻璃基板抛光。工艺条件中压力对微晶玻璃基板的表面粗糙度影响最大,抛光中需要维持合适的压力。选取合适的抛光条件,最终获得了粗糙度为0.208 nm(AFM:5μm×5μm)的光滑表面。(本文来源于《微细加工技术》期刊2008年02期）
韩文爵,王海风,贺雅飞,郭明星[4]（2007）在《部分稳定氧化锆在低温共烧微晶玻璃基板中的作用研究》一文中研究指出利用氧化锆的相变能够提高材料韧性的作用,在MgO-Al2O3-SiO2微晶玻璃中添加部分稳定超细氧化锆,用烧结法制得微晶玻璃基板。使用AKASHI压痕法测试材料增韧前后的韧性,利用FESEM观察微晶玻璃断口形貌,用XRD测试样品中的晶体组成,并在多芯片基板上初步得到满意的使用效果。实验证明,添加一定量的超细氧化锆后微晶玻璃的韧性有很大的提高,基板的破损率有较大的降低。(本文来源于《玻璃与搪瓷》期刊2007年04期）
刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军[5]（2007）在《硬盘微晶玻璃基板的纳米金刚石抛光》一文中研究指出应用经良好分散的纳米金刚石对硬盘微晶玻璃基板进行抛光,获得了亚纳米级表面(0.618nm)。分析了纳米金刚石抛光的行为,展望了纳米金刚石在超精密抛光领域的应用。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2007年03期）
张树青[6]（2005）在《磁盘微晶玻璃基板纳米表面加工研究》一文中研究指出论文首先从理论上详细探讨了磁盘微晶玻璃基板的抛光机理。在微观尺度上，运用微观断裂力学、位错塞积、微裂纹、机械化学反应等理论，从能量平衡的观点出发，分析研究了微晶玻璃的脆塑转变机理和判据。对行星式双面抛光机的研抛轨迹进行计算机仿真，认为复杂的摆线轨迹保证了磁盘微晶玻璃基板的平面度和表面粗糙度。 在理论分析的基础上，进行磁盘微晶玻璃基板抛光实验研究。通过改变双面抛光机压力和速度参数、抛光液参数等对磁盘微晶玻璃基板进行了抛光实验，得出磁盘微晶玻璃基板抛光的最佳工艺参数。最后的加工样品为：Ra0.19nm、Wa0.31nm。经过希捷等多家公司实验，样品满足要求。(本文来源于《长春理工大学》期刊2005-12-01）
陈国华,刘心宇[7]（2005）在《电子封装微晶玻璃基板的介电性能》一文中研究指出研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性,结果说明,未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化,而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明,添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加,其他样品的介电损耗随测试温度基本不变,并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。(本文来源于《压电与声光》期刊2005年03期）
康利军[8]（2005）在《光纤布拉格光栅用负膨胀微晶玻璃基板的研究》一文中研究指出本论文以研发能够应用于光纤布拉格光栅温度补偿的材料为目的,开展了负膨胀β-锂霞石微晶玻璃的制备与表征。通过DTA、XRD、SEM等研究手段,对β-锂霞石负膨胀微晶玻璃析晶性能、显微结构、热膨胀性能及力学性能等问题开展了较深入的研究。 首先研究了微晶玻璃材料的制备工艺,包括玻璃的配方设计、熔制、晶化热处理工艺。其次,通过DTA、XRD、SEM等研究手段,研究了微晶玻璃相变过程中材料微结构的变化。结果表明在690℃时,玻璃的分相发生。分相是微晶化的前导,它促进玻璃晶核的生成。在晶化热处理阶段,β-石英固溶体作为亚稳晶相首先在870℃左右从玻璃中大量析出,温度升高至1050℃时生成的是β-锂辉石。随着温度的升高,超过1050℃时,β-锂霞石才明显形成。在1300℃时,晶粒尺寸迅速长大(5-10μm),在1320℃时溶解,分解生成TiO_2和Al_2O_3。然后,对制得微晶玻璃材料的热膨胀性能及力学性能与材料组成的关系,成核剂对玻璃析晶性能和膨胀系数的影响,以及晶化温度和时间的关系进行了分析。并对材料的力学性能、密度及化学稳定性等进行了测试。最后总结出了一套合理的微晶玻璃配方和制备工艺。(本文来源于《中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）》期刊2005-05-01）
井传发[9]（2003）在《微晶玻璃基板超光滑表面加工技术研究》一文中研究指出针对磁盘微晶玻璃基板的表面要求，论文提出了获取超光滑表面的系统的观点，并对获取超光滑表面的各个环节提出了解决方法。 论文概述了国内外超光滑表面加工技术的现状和存在的问题，阐述了超光滑表面的加工机理。在研究各种超光滑表面加工技术的基础上，提出了两步抛光法获得磁盘微晶玻璃基板超光滑表面的加工方法，阐述了该方法的加工原理，采用双面加工设备，进行了双面抛光试验；根据获取超光滑表面的系统观点，论文提出了超光滑表面的清洗技术和检测方法，这些都是获得超光滑表面不可缺少的因素。通过两步抛光的磁盘微晶玻璃基板，其表面粗糙度达到3。(本文来源于《长春理工大学》期刊2003-12-01）
王朝钦[10]（2003）在《微晶玻璃基板晶化与双面研磨加工技术》一文中研究指出针对磁盘微晶玻璃基板的超光滑表面对其基体材料和研磨表面的要求，本论文提出了解决微晶玻璃基板毛坯的晶化和获取特殊研磨表面的基本观点。 本文概述了国内外玻璃基板发展的现状和存在的问题，阐述了双面研磨的加工机理。 本文提出了二步微晶化法方案作为微晶玻璃基板的最终的晶化处理工艺，并获取了具有最佳机械强度的基板材料。在分析双面研磨加工运动原理的基础上，提出了微晶玻璃基板的具体研磨加工过程，即粗磨及精磨过程。通过散粒磨料和固着磨料双面粗研磨加工试验，研究了各种因素对研磨平面度、平行度、表面粗糙度的影响规律，确定了采用绿碳化硅进行粗(SiC W40)、精(SiC JIS1200)研磨的工艺，双面精研磨结果达到了抛光所要求的坯料标准。 本文还对研磨盘的修整工艺进行了探讨。(本文来源于《长春理工大学》期刊2003-12-01）
微晶玻璃基板论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
堇青石微晶玻璃具有介电常数及损耗低、热膨胀系数与Si及GaAs等半导体材料热膨胀系数匹配、力学强度高等优异特性,被认为是低温共烧陶瓷技术理想的基板材料。在已报道研究工作中,堇青石微晶玻璃的制备主要以化学纯原料为主,以天然矿物为主要原料制备能应用于低温共烧陶瓷技术的堇青石微晶玻璃的工作较少,以天然矿物为原料具有成本低的优势,同时对矿物的高效利用具有重要意义。论文以钾长石矿为主要原料制备低温烧结α-堇青石微晶玻璃基板材料,采用傅里叶转变红外光谱、扫描示差量热分析、x-射线衍射、扫描电子显微技术对玻璃前驱结构、微晶玻璃物相组成及显微结构进行了表征,此外,对微晶玻璃的介电、热膨胀性能及抗折强度进行了测试；系统探讨了由于钾长石矿而引入配方中的非主晶相化学成分及配方中Si02含量变化对微晶玻璃烧结-晶化及性能的影响；论文首次采用非等温动力学方程计算了低温条件下(<950℃)由非晶相直接晶化形成a-堇青石的动力学参数。主要结论与成果有：(1)对比化学纯原料制备的微晶玻璃,钾长石矿为原料在玻璃配方中引入了以K20为主的非主晶相化学成分；这些非主晶相化学成分降低了玻璃前躯体的玻璃转变温度、升高了晶化起始温度和晶化峰值温度,最终改善玻璃的烧结性,有利于微晶玻璃致密化；非主晶相化学成分促进微晶玻璃中a-革青石相形成,但由于其含量(>6.29wt%)过高,在微晶玻璃中形成了白榴石相；非主晶相化学成分及白榴石恶化微晶玻璃的介电及热膨胀性能。(2)钾长石矿用量变化导致微晶玻璃配方中非主晶相化学成分含量变化。当配方中非主晶相化学成分含量由5.72wt%增至9.16wt%,玻璃转变温度和晶化温度依次降低；进一步增加非主晶相化学成分含量至10.80wt%,由于其中K20含量增至7.41wt%,K+半径较大抑制质点迁移降低晶化趋势,而使晶化温度升高；非主晶相化学成分含量为5.72wt%和10.80wt%的玻璃低温烧结趋势更高,相应微晶玻璃致密度更高(孔隙含量低)。非主晶相化学成分中的主要成分K2O含量显着影响微晶玻璃主晶相的种类及含量；K20含量≤5.12wt%,升高K20含量促进α-堇青石形成；当K20含量≥6.29wt%时,微晶玻璃中形成白榴石相,且K20含量为7.41wt%时微晶玻璃主晶相为白榴石相。在满足LTCC基板材料性能及钾长石矿用量要求的前提下：非主晶相化学成分含量为5.72wt%(钾长石矿用量32.24wt%)的配方在900℃和925℃制备的微晶玻璃致密度高,晶相仅含有α-堇青石,介电常数(分别为6.74、6.16,10MHz)及损耗(分别为4.00×10-3、14.56×10-3、10MHz)低,热膨胀系数(分别为5.23、5.63×10-6K-1)与半导体材料GaAs热膨胀系数匹配良好,且强度(分别为115MPa、145MPa)较高,具有作为LTCC基板材料的潜力。(3)配方中SiO2含量增加,玻璃网络结构完整性增强不明显,但玻璃转变温度及晶化峰值温度升高,即晶化趋势降低；配方中Si02含量增加,微晶玻璃晶相均为a-堇青石,但结晶度降低,孔隙有微弱减少；这些表明增加配方中Si02含量玻璃烧结性微弱增强。总体而言,配方中Si02含量增加,微晶玻璃的介电常数有所降低,可以达到低于6.5；尤其是微晶玻璃的介电损耗有明显改善,在900℃烧结,配方中SiO2含量在49.91-54.08wt%的微晶玻璃介电损耗均在5.00×10-3(10MHz)附近；这有利于低温烧结α-堇青石微晶玻璃应用作为LTCC基板材料。(4)α-堇青石晶体均从非晶相中直接晶化形成,而不是由μ-堇青石转变而形成,且化学成分对α-堇青石晶化过程无明显影响；玻璃Bl中α-堇青石晶化活化能分别为279kJ/mol (Kissinger方程)和280kJ/mol(平均值,Ozawa方程)；α-堇青石晶体生长Avrami指数均为1.89(平均值),表现出体成核和一维生长的机制,这也被α-堇青石晶体的形貌特征所验证；玻璃化学成分对α-堇青石晶体形成活化能有一定影响,高非主晶相化学成分含量玻璃B2中a-堇青石晶化活化能为252(Kissinger方程)和261kJ/mol(平均值,Ozawa方程),高Si02含量玻璃B2-4的活化能分别为231(Kissinger方程)和241kJ/mol(平均值,Ozawa方程),高含量的SiO2或非主晶相化学成分均有利于形成α-堇青石；而成分变化对Avrami指数,即晶体生长机制无明显影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微晶玻璃基板论文参考文献
[1].王金普,白林山,储向峰.硬盘微晶玻璃基板化学机械抛光研究[J].人工晶体学报.2015
[2].吴剑芳.钾长石矿制备低温烧结α-堇青石微晶玻璃基板材料[D].中国地质大学.2014
[3].刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军.计算机硬盘微晶玻璃基板抛光研究[J].微细加工技术.2008
[4].韩文爵,王海风,贺雅飞,郭明星.部分稳定氧化锆在低温共烧微晶玻璃基板中的作用研究[J].玻璃与搪瓷.2007
[5].刘学璋,王柏春,许向阳,谢圣中,翟海军.硬盘微晶玻璃基板的纳米金刚石抛光[J].微纳电子技术.2007
[6].张树青.磁盘微晶玻璃基板纳米表面加工研究[D].长春理工大学.2005
[7].陈国华,刘心宇.电子封装微晶玻璃基板的介电性能[J].压电与声光.2005
[8].康利军.光纤布拉格光栅用负膨胀微晶玻璃基板的研究[D].中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）.2005
[9].井传发.微晶玻璃基板超光滑表面加工技术研究[D].长春理工大学.2003
[10].王朝钦.微晶玻璃基板晶化与双面研磨加工技术[D].长春理工大学.2003
论文知识图
