导读:本文包含了卢瑟福背散射沟道论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:卢瑟福,沟道,应变,弹性,离子束,畸变,中子。
卢瑟福背散射沟道论文文献综述
张硕[1]（2017）在《利用卢瑟福沟道背散射模拟研究合金与石英的辐照效应》一文中研究指出晶体材料的辐照效应是核能、半导体技术、微电子技术以及航空航天等领域关注的重要课题之一。然而,离子辐照引起的级联碰撞过程发生在皮秒量级,目前实验上无法对该过程进行直接观测。近年来计算机技术的发展使得我们对该过程可以进行模拟重现,进而对辐照损伤效应的微观机理开展深入研究。卢瑟福沟道背散射技术是研究材料表面(_～μm深度处)辐照损伤的重要手段,目前该技术已经广泛地应用于离子辐照损伤分析领域。然而,由于离子辐照导致的损伤结构十分复杂,这使得我们很难从实验测得的沟道背散射能谱中直接了解其反映的损伤结构。本工作基于计算机模拟技术,利用两体碰撞近似,开发了一个能够模拟任意损伤结构中沟道背散射能谱的计算程序;结合分子动力学模拟,提出了一种晶体的辐照损伤后的沟道背散射模拟方法;并应用于高浓固溶体合金和石英等材料,开展了辐照损伤效应的微观机理研究。本论文工作主要包括叁个部分:第一部分,基于两体碰撞近似模型,开发了一个能够模拟任意损伤结构中沟道背散射能谱的计算程序RBSADEC(Rutherford Backscaterring Spectrometry in Arbitrary DEfected Crystals)。该程序可以从单独的输入文件中读入被模拟材料的结构(由一系列原子坐标描述),这使得该程序可以适用于任何结构的材料,并能与其它原子尺度的模拟手段结合,如分子动力学方法、蒙特卡洛方法和动力学蒙卡方法等。RBSADEC可实现以下功能:(I)模拟离子在任意结构材料中的射程;(II)模拟任意结构材料中的沟道背散射能谱。利用RBSADEC程序研究了晶体Ni中不同类型缺陷(点缺陷和长程缺陷)对沟道背散射产额的贡献,发现Ni中的长程缺陷(包括位错、层错等)比点缺陷对沟道背散射的产额影响更大;同时结果表明长程缺陷对沟道背散射的影响主要通过使沟道离子偏离沟道而导致较大的背散射产额,而非沟道离子与缺陷直接作用所致;并解释了实验中观测到较高的背散射产额,而从高分辨扫描透射电子显微镜(high-resolution scanning transmission electron microscopy,HTEM)图像中仅仅观测到较低浓度缺陷的原因。第二部分,将RBSADEC应用于高浓固溶体合金(Concentrated Solid Solu-tion alloys,CSAs)NiFe和NiCoCr辐照损伤的研究。利用用分子动力学方法和RBSADEC程序相结合,模拟了上述合金样品中离子辐照损伤后的沟道背散射能谱,结果表明模拟的沟道背散射能谱与实验能谱符合较好。在本研究中,(I)结合分子动力学方法和两体碰撞近似程序RBSADEC,提出了一种不采用任何经验参数的沟道背散射模拟方法(以下简称分子动力学-两体碰撞近似方法);(II)利用沟道背散射模拟,证实了CSAs合金比纯金属Ni表现出更好的抗辐照性能;(III)比较模拟沟道背散射能谱与实验能谱,证明了离子辐照对NiFe和NiCoCr的损伤过程中,发生在离子辐照级联碰撞过程中缺陷的演化是形成最终缺陷结构的主导因素,而较长时间尺度平衡态下的缺陷演化对辐照损伤结构的影响不大。第叁部分,将RBSADEC应用于石英晶体的辐照损伤的研究。利用分子动力学方法模拟了50 keV Na离子辐照下石英晶体的无定型化的过程;通过上述的分子动力学-两体碰撞近似方法,模拟了不同辐照剂量下的沟道背散射能谱;并采用多种分析方法(角度结构因子分析、Wigner-Seitz分析、配位数分析和环分析等),研究了不同辐照剂量下的损伤结构。结果表明:(I)石英晶体的表面对辐照导致的缺陷具有沉积作用;(II)较长时间尺度的退火会在一定程度上使辐照产生的缺陷复合;(III)石英晶体在低能离子辐照时,其无定型化的临界剂量不依赖于反冲离子的能谱或辐照离子的种类;(IV)不同分析方法的结果显示,在沟道背散射产额达到饱和后,继续辐照仍然会导致结构继续变化,这使得我们很难在原子尺度定义其无定型化的临界剂量。综上所述,本文利用分子动力学方法和两体碰撞方法提出了一种不采用任何经验参数模拟(甚至预测)沟道背散射能谱的新方法,使得沟道背散射可作为一种微观分析方法,用于研究晶体辐照损伤过程中的机理。并将该方法成功地应用于合金以及石英的离子辐照损伤的模拟中,揭示了损伤过程中的微观机理。(本文来源于《兰州大学》期刊2017-10-01）
刘玉娟,张斌,王坤,姚淑德,王立[2]（2007）在《用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变》一文中研究指出用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变。ZnO薄膜的χmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质。ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变。弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小。(本文来源于《核技术》期刊2007年08期）
王欢,姚淑德,潘尧波,张国义[3]（2007）在《用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变》一文中研究指出利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(1015)面的θ—2θ扫描及倒空间扫描,可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响,结合Vegard定理,对这一现象给出了理论的解释.(本文来源于《物理学报》期刊2007年06期）
王坤,姚淑德,侯利娜,丁志博,袁洪涛[4]（2006）在《用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变》一文中研究指出利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0·9Mg0·1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得到了异质结弹性应变随深度的变化,应变由界面向表面逐渐释放,并由负变正,且在ZnO与Zn0·9Mg0·1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配,而逐渐变为正值是Zn0·9Mg0·1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的逐渐释放所致.(本文来源于《物理学报》期刊2006年06期）
刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰[5]（1998）在《中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究》一文中研究指出用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为．结果表明，在１０１４～１０１７／ｃｍ２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长．中子辐照效应对ψ１／２没有影响．经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显．１０１５／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ１０．３５ｅＶ，可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而１０１７／ｃｍ２剂量辐照损伤的恢复激活能Ｅ２０．１３ｅＶ，对应空位与其附近的填隙原子的复合．(本文来源于《半导体学报》期刊1998年09期）
卢瑟福背散射沟道论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变。ZnO薄膜的χmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质。ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变。弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
卢瑟福背散射沟道论文参考文献
[1].张硕.利用卢瑟福沟道背散射模拟研究合金与石英的辐照效应[D].兰州大学.2017
[2].刘玉娟,张斌,王坤,姚淑德,王立.用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变[J].核技术.2007
[3].王欢,姚淑德,潘尧波,张国义.用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变[J].物理学报.2007
[4].王坤,姚淑德,侯利娜,丁志博,袁洪涛.用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变[J].物理学报.2006
[5].刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰.中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J].半导体学报.1998
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