ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索

论文摘要

制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。

论文目录

• 1 实验设备
• 2 测试设备与耗材
• 3 实验过程和方法
•   3.1 改变沉积温度制备氮化硅薄膜
•   3.2 改变SiH4/N2流量比制备氮化硅薄膜
•   3.3 改变ICP功率制备氮化硅薄膜
•   3.4 改变工作气压制备氮化硅薄膜
• 4 结果分析讨论
•   4.1 改变沉积温度制备氮化硅薄膜实验结果分析
•   4.2 改变SiH4/N2流量比制备氮化硅薄膜实验结果分析
•   4.3 改变ICP功率制备氮化硅薄膜实验结果分析
•   4.4 改变工作气压制备氮化硅薄膜实验结果分析
• 5 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英

关键词: 氮化硅薄膜,低温,低应力

来源: 真空科学与技术学报 2019年10期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学

单位: 上海交通大学先进电子材料与器件校级平台

基金: 2018年度上海交通大学决策咨询立项课题(编号JCZXSJB2018-028)

分类号: TN304.055;TB383.2

DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.10.11

页码: 896-900

总页数: 5

文件大小: 1137K

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