WS2与WSe2单层膜中的A激子及其自旋动力学特性研究

WS2与WSe2单层膜中的A激子及其自旋动力学特性研究

论文摘要

单层过渡金属硫化物由于其特有的激子效应以及强自旋-谷耦合性质,在光电子学及谷电子学等方面有着很广阔的应用前景.利用超快时间分辨光谱,本文系统地比较了两类钨基单层硫化物(WS2和WSe2)的A-激子动力学和谷自旋弛豫特性.实验结果表明, WS2单层膜的A-激子弛豫表现为双指数过程,而对于WSe2,其A-激子衰减表现为三指数过程,且激子的寿命远长于前者. WS2谷自旋极化弛豫表现为单指数衰减,其寿命约0.35 ps,主要由电子-空穴交换作用所主导.而对于WSe2,谷自旋弛豫表现出双指数弛豫特性:一个寿命为0.5 ps的快过程和一个寿命为28 ps的慢过程.快过程的弛豫来源于电子-空穴交换作用,而慢过程则由于自旋晶格散射形成暗激子的过程.通过调谐抽运光波长,进一步证实WSe2较WS2更容易形成暗激子.

论文目录

  • 1 引言
  • 2 样品制备与实验装置
  • 3 结果与讨论
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 俞洋,张文杰,赵婉莹,林贤,金钻明,刘伟民,马国宏

    关键词: 过渡金属硫化物,激子,谷极化

    来源: 物理学报 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 化学,材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 上海大学理学院物理系,上海科技大学物质与技术学院

    基金: 国家自然科学基金(批准号:11674213,11604202,61735010),上海高校青年东方学者(批准号:QD2015020),上海市教育委员会和上海市教育发展基金会“晨光计划”(批准号:16CG45),上海市青年科技启明星计划(批准号:18QA1401700)资助的课题~~

    分类号: TB383.2;O614.613

    页码: 220-227

    总页数: 8

    文件大小: 824K

    下载量: 191

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