镉掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能

论文摘要

采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜（Cd/Cu2O）,分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响。结果表明,当反应釜中CuSO4浓度为0.114 2 mol/L、NaOH浓度为0.028 6 mol/L、反应时间为8 h、反应温度为90℃、CdSO4浓度分别为0 mol/L和0.571 4μmol/L时,可在基底Cu片上分别获得光电压为0.366 7 V的Cu2O样品和光电压为0.460 2 V的Cd/Cu2O薄膜样品。紫外可见吸收光谱（UV-Vis）、X射线衍射（XRD）图谱、扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）表征结果显示,Cu2O的禁带宽度为2.1 eV,而Cd/Cu2O的禁带宽度最小达到1.8 eV;Cd/Cu2O的择优生长面为（111）面,其衍射峰强度比Cu2O明显增强; Cd/Cu2O样品表面与Cu2O对比变得光滑,粒径由Cu2O的1.0～3.0μm减小到Cd/Cu2O的0.3～0.9μm。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
•   1.1 Cd/Cu2O薄膜的制备
•   1.2 制备Cd/Cu2O薄膜的反应机理
• 2 结果与讨论
•   2.1 制备条件对Cu2O样品光电性能的影响
•     2.1.1 CuSO4浓度对Cu2O光电性能的影响
•     2.1.2 NaOH浓度对Cu2O光电性能的影响
•     2.1.3 反应温度对Cu2O光电性能的影响
•     2.1.4 反应时间对Cu2O光电性能的影响
•     2.1.5 CdSO4浓度对Cd/Cu2O Uph的影响
•   2.2 样品的结构表征
•     2.2.1 紫外可见吸收光谱 （UV-Vis） 分析
•     2.2.2 样品的X射线衍射 （XRD） 表征
•     2.2.3 样品的扫描电镜 （SEM） 和能谱仪 （EDS） 表征
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 赵英杰,伍泳斌,王晓娟,莫德清,钟福新

关键词: 水热法,氧化亚铜,光电性能,光电压,掺杂

来源: 半导体技术 2019年01期

年度: 2019

分类: 信息科技,基础科学,工程科技Ⅱ辑

专业: 物理学,工业通用技术及设备

单位: 桂林理工大学化学与生物工程学院,桂林电子科技大学生命与环境科学学院

基金: 国家自然科学基金资助项目(61264007)

分类号: O484

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.01.008

页码: 43-50

总页数: 8

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