导读:本文包含了存贮电荷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:电荷,器件,多孔,晶体管,半导体,电压,基极。
存贮电荷论文文献综述写法
温庆祥,罗宗铁[1]（1993）在《多孔硅的电荷存贮现象》一文中研究指出Uhlir和Tunner发现多孔硅(PS)以来,对其形成机制,电化学特性等进行了深入细致的研究.特别是近年Canham观察到PS的可见光致发光现象后,PS的光电特性成为人们研究的焦点。 在我们的研究中,首次观察到PS具有存贮电荷的能力。这一新性能表现为:(1)阳极电腐蚀后的PS层内存贮一定量电荷;(2)经化学处理后的PS能用直流电源充电,(本文来源于《发光学报》期刊1993年02期）
孙甲明,张吉英,申德振,范希武[2]（1993）在《多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减》一文中研究指出自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.06μm脉冲激光激发下观测到多孔硅的光电压现象是由于多(本文来源于《发光学报》期刊1993年02期）
李惠敏[3]（1989）在《电荷耦合器件在数字存贮中的应用》一文中研究指出本文简述了电荷耦合器件(CCD)的工作原理。介绍了CCD数字存贮方案。实现本方案的关键是设计适当的控制电路,故文章重点介绍CCD用于数字存贮时控制电路的设计并给出实验结果。该方案的优点是,由于避免了使用价格昂贵的高速模数转换器(ADC),因而使高速数字存贮的成本大大降低。(本文来源于《电子测量技术》期刊1989年01期）
李惠敏[4]（1988）在《采用电荷耦合器件的数字存贮方案》一文中研究指出采用电荷耦合器件(CCD)的数字存贮方案,在高速数字存贮中,由于避免了使用价格昂贵的高速模数转换器ADC,使成本大大降低。实现本方案的关键在于使CCD以快入慢出方式工作。本文重点介绍了CCD快入慢出控制电路的设计,给出了实验结果及波形。(本文来源于《电子技术应用》期刊1988年11期）
夏钟福[5]（1987）在《淬火对聚合物薄膜电荷存贮寿命的影响》一文中研究指出淬火可以使聚合物薄膜材料改性。本文主要通过TSD电流谱,研究淬火对高聚物薄膜驻极体电荷存贮寿命的影响。对淬火前样品的升温率、淬火时间、淬火温度、淬火后和注极前存放时间等因素与样品注入电荷稳定性的关系进行探讨,并试从晶体结构变化角度进行一些初步解释。(本文来源于《同济大学学报》期刊1987年02期）
夏武颖[6]（1981）在《Si开关晶体管电荷存贮效应的模拟》一文中研究指出对硅开关晶体管来说,在基极驱动电流I_B_1和反抽电流I_B_2固定的条件下,测量出的存贮时间t_s随集电极电流的增加而增加或不变.这种现象是无法用一般常用的Ebers-Moll模型来解释和模拟的.通过实验我们看到:在这种开关晶体管中集电结正向电流主要是空间电荷区中的复合电流而不是注入电流.而空间电荷区中的复合电流并不伴随着电荷存贮,因而可以起抗饱和的作用.而抗饱和的程度受到集电极串联电阻,集电极电流,基极串联电阻和电流增益的影响.我们称这种效应为空间电荷区复合流抗饱和效应.我们提出考虑此效应的模型.用此模型可以模拟一般Ebers-Moll模型无法模拟的硅开关晶体管的特性,使计算结果和实验符合得较好.(本文来源于《半导体学报》期刊1981年02期）
SHUICHI,SATO,TADANORI,YAMAGUCHI,蔡庚富[7]（1975）在《MAOS器件电荷存贮特性的研究》一文中研究指出金属-Al_2O_3-SiO_2-硅(MAOS)场效应晶体管的基本特性和电荷存贮特性作为氧化物厚度的函数已进行了研究。测量了SiO_2膜为50A°和Al_2O_3为700A°的器件的典型电荷存贮特性。依据隧道效应机理电子和空穴穿过薄的SiO_2层的传输过程和从Al电极的电子注入对结果进行了解释。在MAOS结构中,阈值电压从初始状态漂移在大约23伏以内。而且可以在适当应力条件下改变电场反转控制。至少10~6次以上。可以认为电荷存贮时间在室温下实际上是无限长的,在150℃是10~6小时数量级。在反复循环施加电场应力下器件参数的故障行为也可依据在Al_2O_3膜内和在Al_2O_3和SiO_2膜界面的电子积累予以考虑。(本文来源于《电子计算机参考资料》期刊1975年08期）
刘鹿生[8]（1973）在《基于表面电荷传输的一种存贮系统》一文中研究指出Ⅰ.引言在讨论表面电荷传输器件对移位寄存器的适用性时,重要的问题是怎样才能根据目前采用的MOS晶体管工艺的正常发展,可指望将这种器件的成本大大地降低,或者是提高最大工作速度。为了回答这个问题,必须对成本作深入的了解。在量度每位的成本时,考虑了包括两种直接的成本,即材料成本和工艺成本。当然,和系统成本也有关。还考虑了另外的因素,诸如功率耗散,必需的互连数和系统中输入、输出与其他元件的相容性。(本文来源于《微电子学动态》期刊1973年Z1期）
柳井久义,菅野卓雄,金相译[9]（1964）在《根据存贮电荷对基极时常数及饱和时常数的测量》一文中研究指出把晶体叁极管视力以基极电荷控制的电流源的方法是众所周知的电荷控制法。如果采用这种方法,则可把基极电荷与被控制的电流之比看作是晶体叁极管的基本参数。由于这些具有时间因子的参数在晶体叁极管大信号工作线路的设计中起着重要的作用,因此,在本文中将介绍对晶体叁极管的作用区基极时常数和饱和区的时常数(饱和时常数)的测量,以及对在测量过程中所遇到的各种问题所进行的研究结果。被测晶体叁极管是一种中速、中等输出功率结式锗合金开关晶体管2SA173。(本文来源于《电子计算机动态》期刊1964年10期）
存贮电荷论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
自从Canham在1990年报道了多孔硅的光致发光以来,人们便开始了多孔硅的发光特性及其发光机理的研究。我们在获得多孔硅材料的基础上,曾首次报道了多孔硅光电压的滞后衰减现象。在本文中主要对如上实验结果进行了分析和探讨。认为在Nd:YAG激光器的1.06μm脉冲激光激发下观测到多孔硅的光电压现象是由于多
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
存贮电荷论文参考文献
[1].温庆祥,罗宗铁.多孔硅的电荷存贮现象[J].发光学报.1993
[2].孙甲明,张吉英,申德振,范希武.多孔硅的电荷存贮特性与光电压滞后衰减[J].发光学报.1993
[3].李惠敏.电荷耦合器件在数字存贮中的应用[J].电子测量技术.1989
[4].李惠敏.采用电荷耦合器件的数字存贮方案[J].电子技术应用.1988
[5].夏钟福.淬火对聚合物薄膜电荷存贮寿命的影响[J].同济大学学报.1987
[6].夏武颖.Si开关晶体管电荷存贮效应的模拟[J].半导体学报.1981
[7].SHUICHI,SATO,TADANORI,YAMAGUCHI,蔡庚富.MAOS器件电荷存贮特性的研究[J].电子计算机参考资料.1975
[8].刘鹿生.基于表面电荷传输的一种存贮系统[J].微电子学动态.1973
[9].柳井久义,菅野卓雄,金相译.根据存贮电荷对基极时常数及饱和时常数的测量[J].电子计算机动态.1964