导读:本文包含了弹道输运论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:弹道,量子,晶体管,群时延,纳米,电子,器件。
弹道输运论文文献综述写法
朱兆旻,赵青云,于宝旗[1]（2014）在《含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程》一文中研究指出提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年09期）
宋宇[2]（2013）在《石墨烯纳米结构中弹道输运相关物理现象的研究》一文中研究指出石墨烯纳米结构中的弹道输运蕴含着丰富而有趣的物理现象.其中的负微分电阻效应, Goos-Ha¨nchen (GH)位移,隧穿群时延,回旋共振等具有广泛的应用价值.石墨烯中双势垒共振遂穿二极管这一负微分电阻基本模型还没有研究,如何获得电子束横向宽度量级的GH位移尚待解决,个体群时延的二维定义并不完备,如何测量任意费米能的集体群时延需要研究,回旋共振的非磁调控尚不明了.为了解决这些问题,本文对若干石墨烯弹道纳米结构的以上现象进行了较为深入的理论研究.通过在旋转的赝自旋空间中计算I-V特性曲线,我们研究了石墨烯双势垒共振隧穿二极管的负微分电阻效应,发现其最低工作窗口几乎与结构参数无关,而仅由背栅近独立地控制.我们指出该现象的双极输运物理机制及其在某些负微分电阻器件中的潜在应用价值.我们还发现,空穴-电子输运、Klein隧穿和共振隧穿的竞争是该结构产生负微分电阻的物理机制,合适的结构参数是负微分电阻特征出现的必要条件,而可调能隙可以近指数地增大电流峰谷比.我们指出了电子束横向宽度在其空间分离中扮演的重要角色,报道了石墨烯双势垒结构中通过准束缚态增强获得的具有极小半高宽的巨GH位移.我们指出了该性质可用于设计具有广泛可调性和高能量分辨率的谷或自旋电子束分离器,并发现能隙可以进一步地增强分离器的可调性和分辨率.我们揭示了GH位移对二维群时延的本征贡献,提出了利用弱磁自旋进动实验中诱导电导差来测量石墨烯中集体群时延和内秉GH项的方法,该方法对几乎任意费米能量均有效.我们还指出了联系群时延和渡越时间的是非零的自干涉时延.我们使用圆盘形顶栅电势来调制石墨烯的Landau能级和回旋共振.我们发现顶栅电势可诱导束缚态在扩展的Landau型和局域的量子点型间相互转换,这使得在一定的电势范围内,回旋共振频率可以通过顶栅电势近线性地调制.我们指出这一特性可以用作光子的近线性控制频率过滤器.(本文来源于《清华大学》期刊2013-06-01）
贾晓菲,杜磊,唐冬和,王婷岚,陈文豪[3]（2012）在《准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制研究》一文中研究指出目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.本文基于Navid模型推导了准弹道输运纳米MOSEET散粒噪声,并得到了其在费米作用、库仑作用和二者共同作用叁种情形下的抑制因子.在此基础上,对各抑制因子随源漏电压、栅极电压、温度及源漏掺杂浓度的变化特性进行了研究.两者共同作用的抑制因子随源漏电压和栅极电压变化特性与文献中给出的实验结论相符合,从而对实验上得到两者共同作用下的抑制因子随源漏电压和栅极电压的变化特性给出了理论解释.(本文来源于《物理学报》期刊2012年12期）
王伟良,黄南荫[4]（2007）在《分子器件中电子弹道输运理论研究进展》一文中研究指出分子器件中,电子主要是弹道输运,本文总结了非平衡格林函数理论及其与Landauer-Buttiker理论、局域电流分布理论的关系。(本文来源于《中山大学研究生学刊(自然科学、医学版)》期刊2007年03期）
顾长志,吕文刚,李海钧,李俊杰,白雪冬[5]（2005）在《多壁碳纳米管中的多通道弹道输运特性》一文中研究指出借助于扫描电子显微镜中可移动金属探针的测量系统,实现了探针电极与W衬底上生长的单根多壁碳纳米管一端的完美接触.研究了单根多壁碳纳米管室温下的电输运特性,发现多壁碳纳米管具有非常高的电流承载能力.对于直径100nm的碳纳米管,其电阻为34.4Ω,流经碳纳米管的最大电流可达7.27 mA,对应的电导为460—490G0.这一实验结果表明,大直径的多壁碳纳米管在室温下可以实现多通道弹道输运,是未来纳电子器件与电路的理想互联导线.(本文来源于《物理》期刊2005年12期）
刘隆鉴,高洁[6]（2004）在《弹道输运与高温超导电性》一文中研究指出本文在引入了弹道输运的概念后 ,对高温超导体正常态下电阻率和霍耳效应的各向异性以及它们奇异的温度特性统一地进行了解释 ;对温差电势率的各向异性及其温度行为进行了讨论 ;也分析了高温超导体由正常态向超导态转变的过程 ,并给出了超导转变温度与材料一些物理参数的关系(本文来源于《低温物理学报》期刊2004年02期）
郑期彤,张大伟,江波,田立林,余志平[7]（2004）在《考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟》一文中研究指出在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .(本文来源于《半导体学报》期刊2004年05期）
李鹏飞[8]（2002）在《磁量子结构中电子的弹道输运》一文中研究指出二十世纪九十年代初，由于电子束微刻等技术的发展和成熟，人们在实验室中实现了对二维电子气的纳米尺度的磁调制。由于这种结构具有奇异的电子输运特性，因此吸引了许多物理学家的兴趣。本文我们利用转移矩阵方法研究了自旋与磁场的耦合和缺陷对磁量子结构中电子输运性质的影响，以及周期磁量子体系中的子带结构和包络波函数。 全文包括引言及六章。引言部分主要介绍了本研究课题的历史沿革和意义，并简要说明了超晶格结构的一些重要的物理性质。第一章是基本理论，推导了本文中所用到的基本公式。第二章和第叁章研究了考虑自旋后，周期和准周期磁量子结构中电子的输运性质。发现对于周期结构，计及自旋后并不改变电导的n-1重劈裂的特性，但是会影响弹道电导的幅值；对Fibonacci准周期序列的计算也表明了其中的叁重劈裂和自相似的特征，并且其中的自旋滤过特性表现的非常明显。第四章研究了缺陷对准周期磁超晶格电子输运性质的影响，结果表明缺陷使得隧穿几率和弹道电导发生显着变化，尤其在低能端。加入缺陷后的赝守恒量出现振荡行为。第五章给出了计算能级结构和包络波函数的普适公式，并探讨了周期磁超晶格中的能级结构和包络波函数，结果显示横向波矢不同会造成能级的移动，包络波函数更局域于高势垒中。第六章为本文的总结与展望。(本文来源于《湘潭大学》期刊2002-04-01）
李国华[9]（2001）在《半导体量子器件物理讲座 第五讲 弹道输运器件和量子干涉器件》一文中研究指出当器件的尺度小到与电子的平均自由程相当时 ,电子的输运可以看作弹道输运 .文章介绍了隧穿热电子晶体管在输运放大器和电子能谱仪两种工作模式下的工作原理以及用共振隧穿热电子晶体管做成的记忆器 .如果器件的尺寸进一步减小 ,电子的波动特性也必须考虑 .文章介绍了研究这种器件中的输运特性的方法及量子干涉晶体管和量子反射晶体管的工作原理 .(本文来源于《物理》期刊2001年08期）
王传奎,江兆潭[10]（2001）在《Y型量子线中电子弹道输运性质》一文中研究指出对有限长 Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算 .该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连 ,当施加一偏压时 ,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极 .采用了转移矩阵方法和截断近似技术 .计算结果表明 ,当结构对于 x轴对称时 ,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时 ,电导存在着两个峰 ;当结构对于 x轴不对称时 ,电导则存在着叁个峰 .进一步分析表明 ,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态 .该结构对于经典粒子来说是非束缚体系 .当结构对于 x轴对称时 ,较高能级是双重简并的 ,而当结构对于 x轴不对称时 ,该能级的简并度消除(本文来源于《半导体学报》期刊2001年03期）
弹道输运论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
石墨烯纳米结构中的弹道输运蕴含着丰富而有趣的物理现象.其中的负微分电阻效应, Goos-Ha¨nchen (GH)位移,隧穿群时延,回旋共振等具有广泛的应用价值.石墨烯中双势垒共振遂穿二极管这一负微分电阻基本模型还没有研究,如何获得电子束横向宽度量级的GH位移尚待解决,个体群时延的二维定义并不完备,如何测量任意费米能的集体群时延需要研究,回旋共振的非磁调控尚不明了.为了解决这些问题,本文对若干石墨烯弹道纳米结构的以上现象进行了较为深入的理论研究.通过在旋转的赝自旋空间中计算I-V特性曲线,我们研究了石墨烯双势垒共振隧穿二极管的负微分电阻效应,发现其最低工作窗口几乎与结构参数无关,而仅由背栅近独立地控制.我们指出该现象的双极输运物理机制及其在某些负微分电阻器件中的潜在应用价值.我们还发现,空穴-电子输运、Klein隧穿和共振隧穿的竞争是该结构产生负微分电阻的物理机制,合适的结构参数是负微分电阻特征出现的必要条件,而可调能隙可以近指数地增大电流峰谷比.我们指出了电子束横向宽度在其空间分离中扮演的重要角色,报道了石墨烯双势垒结构中通过准束缚态增强获得的具有极小半高宽的巨GH位移.我们指出了该性质可用于设计具有广泛可调性和高能量分辨率的谷或自旋电子束分离器,并发现能隙可以进一步地增强分离器的可调性和分辨率.我们揭示了GH位移对二维群时延的本征贡献,提出了利用弱磁自旋进动实验中诱导电导差来测量石墨烯中集体群时延和内秉GH项的方法,该方法对几乎任意费米能量均有效.我们还指出了联系群时延和渡越时间的是非零的自干涉时延.我们使用圆盘形顶栅电势来调制石墨烯的Landau能级和回旋共振.我们发现顶栅电势可诱导束缚态在扩展的Landau型和局域的量子点型间相互转换,这使得在一定的电势范围内,回旋共振频率可以通过顶栅电势近线性地调制.我们指出这一特性可以用作光子的近线性控制频率过滤器.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
弹道输运论文参考文献
[1].朱兆旻,赵青云,于宝旗.含弹道输运模型的纳米尺寸GaAsHEMT电流方程[J].半导体技术.2014
[2].宋宇.石墨烯纳米结构中弹道输运相关物理现象的研究[D].清华大学.2013
[3].贾晓菲,杜磊,唐冬和,王婷岚,陈文豪.准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制研究[J].物理学报.2012
[4].王伟良,黄南荫.分子器件中电子弹道输运理论研究进展[J].中山大学研究生学刊(自然科学、医学版).2007
[5].顾长志,吕文刚,李海钧,李俊杰,白雪冬.多壁碳纳米管中的多通道弹道输运特性[J].物理.2005
[6].刘隆鉴,高洁.弹道输运与高温超导电性[J].低温物理学报.2004
[7].郑期彤,张大伟,江波,田立林,余志平.考虑源漏隧穿的DGMOSFET弹道输运及其模拟[J].半导体学报.2004
[8].李鹏飞.磁量子结构中电子的弹道输运[D].湘潭大学.2002
[9].李国华.半导体量子器件物理讲座第五讲弹道输运器件和量子干涉器件[J].物理.2001
[10].王传奎,江兆潭.Y型量子线中电子弹道输运性质[J].半导体学报.2001