导读:本文包含了酞菁薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,质子,磁场,晶体,衬底,偏光,形貌。
酞菁薄膜论文文献综述
张茜,张能,张兆春[1]（2010）在《4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁薄膜的拉曼散射及其表面形貌网络同步性》一文中研究指出利用溶液浇铸法,将4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁(44VOPc)分别沉积在石英和纳米磷化镓(nano-GaP)薄膜表面,制备44VOPc薄膜和nano-GaP/44VOPc复合薄膜。拉曼光谱分析结果表明,在完全相同的光散射测试条件下,44VOPc薄膜的光散射强度普遍高于nano-GaP/44VOPc复合薄膜。应用复杂网络动力学理论,通过构建薄膜表面形貌复杂网络,对2种薄膜拉曼散射强度之间的差异进行对比分析。表面形貌复杂网络的节点可以视为分子的集合体,而每一个节点又可以作为一个振子。由复杂网络同步性原理可知,振子之间在耦合振动过程中的同步性越好,对应系统的拉曼散射强度越大。(本文来源于《光谱实验室》期刊2010年02期）
于书坤,范昭奇,夏道成,程传辉,白青龙[2]（2009）在《用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响》一文中研究指出利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质.在248~1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析,获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数.讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响,结果表明,共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大.分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因,并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).(本文来源于《吉林大学学报(理学版)》期刊2009年06期）
梁氏秋水,陈振兴,朱宏伟,盛勇,胡豫[3]（2009）在《柔性ITO衬底上铜酞菁薄膜有序生长的X射线衍射研究》一文中研究指出采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,通过控制衬底温度与薄膜生长速率,在柔性ITO导电衬底上真空蒸发沉积了铜酞菁薄膜。X射线衍射分析表明,适当提高衬底温度与薄膜生长速率,可促进薄膜的有序生长。当衬底温度为90℃,生长速率为10nm/min时,薄膜的有序度最高,薄膜晶型呈(相和(200)晶面。(本文来源于《化工新型材料》期刊2009年11期）
官德斌,刘学涌,康彬,余堃,程克梅[4]（2009）在《双酞菁薄膜微电极的气敏性能》一文中研究指出本文制备了一种新型的有机气敏材料—取代双酞菁镧(Sub-Re(Pc)2),该材料具有优良的溶解性能和成膜性能,无需任何分子支撑剂即可较好地在纯水亚相上形成LB膜。当铺展量为0.5mg/m2时,崩溃压高达51mN/m。在10μm间距的超微电级上制备了18层LB单分子超薄膜,AFM观测证实其表面形貌均匀致密。在气敏响应的测试中,该材料在较低工作温度(10℃)下有灵敏的电子学响应,瞬时响应为3～5秒,信号变化达4个数量级,在85℃微热条件下能彻底脱附气体分子,已经具备实际应用价值。(本文来源于《第二届全国核技术及应用研究学术研讨会大会论文摘要集》期刊2009-05-01）
苏瑾莉[5]（2009）在《铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备》一文中研究指出通过增加铜酞菁(CuPc)溶液中叁氟乙酸(TFA)的浓度,使铜酞菁相继发生一次质子化反应和二次质子化反应,分别得到了[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+两种衍生物,并用紫外可见分光光度计进行表征。[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+两种衍生物的Q带相继发生红移并且发生裂分,表明两种衍生物具有不对称结构。铜酞菁的质子化反应是可逆反应,因此质子化反应的进行对质子酸的浓度有一定的要求,使用溶剂的碱度越大,使铜酞菁发生质子化反应所需的质子酸的浓度也越大。铜酞菁发生质子化反应后在有机溶剂中的溶解度增大了60倍,放置两周后不会发生降解。以发生质子化反应的铜酞菁溶液为电解液,ITO导电玻璃片和铂片分别作为阴极和阳极,用电沉积方法在ITO导电玻璃上制备纳米铜酞菁薄膜,通过改变电沉积时使用的电压、电沉积时间、溶液温度以及溶液浓度制备了具有不同结构和尺寸的纳米铜酞菁薄膜,并用扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计以及X射线衍射(XRD)进行表征。电沉积时使用的电压越大、电沉积时间越长、溶液浓度越大制备的纳米铜酞菁薄膜的紫外吸收越强。电沉积时使用的溶液的温度越大,制备的纳米铜酞菁薄膜的紫外吸收越弱。在未经处理的ITO基片上制备的纳米CuPc薄膜,取向良好,纳米铜酞菁薄膜的衍射吸收峰2θ是6.819°,对应的晶面间距D为12.950A,具有α相晶体结构,分子的堆积方向(b轴)平行于基片。当ITO基片分别经过六甲基二硅胺烷,3-(甲基丙烯酰氧)丙基叁甲氧基硅烷以及苯基叁氯硅烷处理后,在其上制备的纳米CuPc薄膜的形貌都发生改变,晶体结构都转变为β相晶体结构并且取向良好。(本文来源于《上海交通大学》期刊2009-01-01）
苏瑾莉,薛敏钊,马宁,盛巧蓉,张青[6]（2008）在《铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备》一文中研究指出通过增加铜酞菁(CuPc)溶液中叁氟乙酸(TFA)的浓度,使铜酞菁发生质子化反应得到[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+两种衍生物,并用紫外可见分光光度计进行表征[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+两种衍生物的Q带相继发生红移.[CuPc·H]+和[CuPc·H2]2+两种衍生物的Q带都发生裂分,表明两种衍生物具有不对称结构.铜酞菁发生质子化反应后在有机溶剂中的溶解度增大了60倍,放置两周后不会发生降解.以发生质子化反应的铜酞菁溶液为电解液,用电沉积方法在ITO导电玻璃上制备铜酞菁薄膜并用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)进行表征.在ITO基片上沉积的纳米CuPc薄膜,尺寸在100～200nm之间,具有α相晶体结构,分子的堆积方向(b轴)平行于基片.(本文来源于《中国科学(B辑:化学)》期刊2008年11期）
孙艳美[7]（2008）在《酞菁薄膜材料气体传感器研制及其特性研究》一文中研究指出气体传感器作为新型敏感元器件,近年来有了很大的发展,其核心薄膜型气敏材料以其独特的微观结构和物理、化学性能以及优良的表面特性主导了气敏技术的发展方向。金属酞菁配合物(MPc)是一种P型有机半导体,具有良好的化学稳定性和热稳定性。由于MPc骨架结构特征和可通过选择中心离子、轴向配体和在酞菁环上引入功能性取代基团等方法调整其分子的组成与结构,因此它具有特定的光、电、声、热、磁、化学等性质。本文首先讨论了酞菁配合物的气敏机理、薄膜特性及中心金属和取代基对气敏性的影响及其规律。研究结果表明,酞菁配合物的气敏性不仅与其自身的结构特点(如中心金属、外围取代基)有关外,还与其膜的形貌有关。本课题在研究了酞菁配合物的合成方法的基础上,利用苯酐—尿素液相法合成了金属酞菁配合物,通过XRD和红外光谱表征了配合物和分子结构。采用真空镀膜的薄膜制备技术,在叉指电极上形成敏感薄膜,扫描电子显微(SEM)形貌分析表明,薄膜颗粒尺寸均匀。通过紫外—可见吸收光谱可以发现金属酞菁配合物半导体材料,主要有两个吸收带,一个是在600~800nm附近的Q带;另一个是在250~350nm附近的B带。同时通过对薄膜进行退火处理后的实验研究证实,吸收光谱发生红移,说明了金属酞菁晶型由α型转变为β型。本文同时利用Intellisuite软件对气体传感器结构进行模拟,设计并制作了MEMS集成薄膜型气体传感器,并从理论上分析了薄膜型气体传感器的工作原理。对研制出的气体传感器敏感材料特性进行了测试分析。测试结果表明,气体传感器工作在室温或较低温度下能够使金属酞菁敏感膜发挥最佳的敏感性能。该敏感膜对氧化性气体NO2具有较好的选择性,电流随NO2气体浓度的增加而增大,符合氧化性气体(NO2)吸附到P型半导体上时将使载流子增多,电阻减小,电流增大的规律。酞菁铜薄膜对NO2气体响应速度较快,气体浓度是160ppm时响应时间为6s,恢复时间为15s。退火前的NiPc薄膜对65ppm NO2响应时间为13s,经过退火处理后响应时间为1.8min。而还原性气体H2、NH3和CO具有相似的电流—浓度变化规律,与氧化性气体NO2的变化规律相反。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2008-05-10）
向因[8]（2004）在《磁场下热处理及有机无机复合对酞菁薄膜结构及性能的影响》一文中研究指出酞菁类金属配合物作为一种有机功能材料，在光电导器件、电致发光器件、非线性光学器件、气体传感器、太阳能电池等众多领域得到广泛应用。酞菁金属配合物的突出特点之一是其能带结构易于剪裁，可通过不同方法加以改变，从而达到改善器件光电导性能，调整光谱响应范围等目的。因此酞菁类金属配合物在光电领域具有重要的应用前景。 在本文中，我们尝试采用两种方法对酞菁类薄膜的光电性能进行改性。一是通过磁场热处理提高酞菁薄膜的光电导性能；二是通过将p型酞菁与n型材料异质复合，改变光谱响应范围。 我们在真空下热蒸发沉积得到了酞菁氧钒(VOPc)薄膜，并在磁场中进行了热处理，用紫外-可见光光谱仪(UV—Vis Spectrometer)，X射线衍射仪(XRD)原子力显微镜(AFM)等方法对酞菁薄膜的结构性能进行表征测试。分析表明酞菁氧钒分子UV-VIS吸收谱Q带峰值发生较大的红移；XRD测试中衍射峰强度明显增强，峰位变化，但峰宽变化不大；原子力显微镜(AFM)分析发现晶粒大小无明显变化。我们进一步制备了以酞菁铅为载流子发生层的单层结构光电导器件，发现磁场热处理后，器件的光电导特性显着提高，光响应时间缩短，残余电位降低。我们认为磁场使酞菁氧钒分子在热处理过程中发生了定向的排列，分子有序性排列使酞菁光电导性能显着提高。 我们分别制备了氧化锌(ZnO)／酞菁铅(PbPc)和氧化锡(SnO)／酞菁铅(PbPc)多层异质复合薄膜，对两种结构的复合薄膜进行了紫外-可见吸收光谱测试(Uv-vis)和X射线衍射分析(XRD)。实验结果显示酞菁的吸收峰发生了不同程度的移动，而晶体结构并没有明显改变。因此，我们认为异质分子和酞菁铅分子间存在两种相互作用：分子包裹产生量子约束效应和分子间的电荷转移。分子间的相互作用使酞菁能带结构改变，吸收谱峰产生相应位移。 综上所述，本文从两个方面研究了酞菁类光电薄膜的改性。(1)通过磁场热处理控制薄膜生长，使分子产生有序性排列，光电导灵敏性显着提高。(2)通过将酞菁与不同氧化物(ZnO，SnO)形成多层异质复合薄膜，利用分子间的相互作用，改变光谱响应范围。(本文来源于《浙江大学》期刊2004-03-01）
季振国,向因,何振杰,孙兰侠[9]（2003）在《磁场对酞菁薄膜光电导性能的影响》一文中研究指出采用真空蒸发沉积技术制备了酞菁锌薄膜,并在强磁场中进行了热处理。采用经磁场热处理后的酞菁锌薄膜作为光生载流子材料,a—茶苯腙和双酚A聚碳酸酯(PC)作为传输层材料,制备了单层光电导体原型器件。光电导测试发现经磁场处理后酞菁锌薄膜与非晶磁场下热处理的薄膜比较,XRD衍射曲线峰宽(本文来源于《TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2003-09-01）
张青,黄德音,刘燕刚,薛敏钊,陈凌冰[10]（2002）在《钒氧酞菁薄膜瞬态光电压性能的研究》一文中研究指出本文分别用 1 0 64nm ,532nm和 355nm激发波长的YAG脉冲激光对所制备的phase Ⅱ结构钒氧酞菁膜Alphase ⅡVOPc ITO夹心电池进行瞬态光电压响应研究 .随着 3种波长激发光脉冲强度的增加 ,瞬态光电压信号均增强 .激发光波长 1 0 64nm、532nm处于酞菁膜Q 带吸收区肩部 ,光电压的极性与激发光入射方向无关 ,均为负信号 ;而激发光波长 355nm处于酞菁膜B 带 ,光电压的极性与激发光入射方向有关 ,从ITO极方向激发产生正电压信号 ,从A1极激发产生负电压信号 .激发光波长对夹心电池的光电压产生有明显的作用 ,光电压产生过程中应存在不同的机理 .这与前文[1]对同一夹心电池稳态光电压响应研究所推断的结论一致 .(本文来源于《感光科学与光化学》期刊2002年02期）
酞菁薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用M-2000UI型宽光谱可变入射角椭偏仪研究十六氟铜酞菁(F16CuPc)和铜酞菁(CuPc)薄膜的光学性质.在248~1 650 nm使用逐点拟合的方法对测得椭偏光谱进行分析,获得两种薄膜的折射率、消光系数、复介电常数和吸收系数.讨论了外环氟取代基对酞菁光学性质的影响,结果表明,共轭酞菁大环上的外围取代基对薄膜的响应波长和非正常色散影响较大.分析了两种酞菁的电子结构及吸收谱成因,并由吸收边外推得到两种材料的光学禁带宽度(Eg).
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
酞菁薄膜论文参考文献
[1].张茜,张能,张兆春.4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁薄膜的拉曼散射及其表面形貌网络同步性[J].光谱实验室.2010
[2].于书坤,范昭奇,夏道成,程传辉,白青龙.用椭圆偏振光谱法研究取代基对酞菁薄膜光学常数的影响[J].吉林大学学报(理学版).2009
[3].梁氏秋水,陈振兴,朱宏伟,盛勇,胡豫.柔性ITO衬底上铜酞菁薄膜有序生长的X射线衍射研究[J].化工新型材料.2009
[4].官德斌,刘学涌,康彬,余堃,程克梅.双酞菁薄膜微电极的气敏性能[C].第二届全国核技术及应用研究学术研讨会大会论文摘要集.2009
[5].苏瑾莉.铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备[D].上海交通大学.2009
[6].苏瑾莉,薛敏钊,马宁,盛巧蓉,张青.铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备[J].中国科学(B辑:化学).2008
[7].孙艳美.酞菁薄膜材料气体传感器研制及其特性研究[D].黑龙江大学.2008
[8].向因.磁场下热处理及有机无机复合对酞菁薄膜结构及性能的影响[D].浙江大学.2004
[9].季振国,向因,何振杰,孙兰侠.磁场对酞菁薄膜光电导性能的影响[C].TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2003
[10].张青,黄德音,刘燕刚,薛敏钊,陈凌冰.钒氧酞菁薄膜瞬态光电压性能的研究[J].感光科学与光化学.2002
论文知识图
