论文摘要
本征薄层异质结（HIT）太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅（pc-Si）衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜（i-a-Si）,以磷纸为扩散源,通过快速热扩散（RTD）方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层（n+-a-Si）,最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜（包括i-a-Si和n+-a-Si）晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱（Raman）、X射线衍射（XRD）仪、台阶仪、扫描电镜（SEM）等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结（采用磨角染色法染色）深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 杨秀钰,陈诺夫,张航,陶泉丽,徐甲然,陈梦,陈吉堃
关键词: 本征薄层异质结太阳能电池,非晶硅薄膜,磁控溅射,快速热扩散
来源: 材料导报 2019年20期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 华北电力大学可再生能源学院,北京科技大学材料科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金(61006050),北京市自然科学基金(2151004),中央高校基本科研专项资金(2016MS50,2018QN054)~~
分类号: TM914.4
页码: 3353-3357
总页数: 5
文件大小: 2840K
下载量: 245
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标签：本征薄层异质结太阳能电池论文; 非晶硅薄膜论文; 磁控溅射论文; 快速热扩散论文;