导读:本文包含了光电导论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电导,纳米,光电,载流子,时域,光热,时间。
光电导论文文献综述
童彩豪,鲁林芝,姜晓彤,谢长生[1]（2019）在《Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜的光电响应和持续光电导的调控》一文中研究指出通过两步法合成了表面修饰Ag纳米颗粒的ZnO纳米棒阵列膜,并检测了该纳米棒阵列膜在波长为365 nm的紫外光照下的时域光电流曲线。与纯ZnO纳米棒阵列膜相比,Ag纳米颗粒修饰后ZnO纳米棒阵列膜在光电响应阶段有更大的响应值,最大达到7 490,约为纯ZnO纳米棒阵列膜响应值的50倍。而且,Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜弛豫阶段呈现的持续光电导(PPC)效应有很好的调控作用。相同恢复时间内,纯ZnO纳米棒阵列膜光电流恢复效率为25%,Ag纳米颗粒修饰后达到87%。Ag浓度越大,持续光电导(PPC)效应越不明显,这个现象使得通过简单改变表面Ag纳米颗粒的浓度来调控ZnO纳米棒阵列膜的PPC效应成为可能。(本文来源于《功能材料》期刊2019年11期）
李大帅,黄誉,李松美,王长华,李莹莹[2]（2020）在《利用光热耦合下的光电导研究TiO_2光热催化还原CO_2（英文）》一文中研究指出利用太阳能缓解能源危机和解决环境污染,是当前和未来的全球性课题.其中,光催化技术的研究步伐日渐加快.这不仅体现在光催化材料种类的增加,更体现在以光催化为基础的多场协同催化,特别是光热耦合作用成为增强光催化性能的一种高效、可靠的方法.氧空位的引入不仅可以拓宽催化剂对可见光的吸收、抑制载流子的复合、促进反应物的吸附以及降低反应的活化能,而且对于光热协同催化效率的提升有着重要的贡献.然而,目前光热协同催化的表征多局限于常规的光催化手段.开展光热耦合下的测量技术对深刻理解光热催化是十分必要的.本文研究温度、气氛、氧空位浓度对TiO_2光电导的影响,构建光电导与光热催化活性之间的关系.我们将商用的ST-01TiO_2制成浆料,利用丝网印刷法将浆料覆盖在刻有沟槽的FTO上,并通过N_2/H_2混合气不同温度退火,得到不同氧空位含量的TiO_2薄膜(Ov-TiO_2).采用紫外-可见光谱(UV-Vis),拉曼光谱(Raman),电子顺磁共振(ESR)等手段对样品进行了表征.结果表明, N_2/H_2退火温度越高,氧空位浓度越高.我们对不同浓度氧空位的样品进行了光催化及光热协同催化CO_2还原实验.结果表明,适量氧空位的样品(H_2-150)光催化还原CO_2性能最差,但光热协同催化还原CO_2的性能最佳.我们对其光电导值的衰减情况进行了分析,看到H_2-150样品在CO_2气氛、光热条件下,电导衰减加快.由于光电导的衰减是由电荷复合和电荷参与的表面反应共同决定的,为确定是哪一因素决定了电导的衰减,我们进一步测试了H_2-150样品在N_2气氛下的电导衰减情况.结果发现, H_2-150样品在N_2气氛、光热条件下电导衰减反而变慢.这表明,造成H_2-150样品在CO_2气氛、光热条件下的电导衰减加快是光热条件下CO_2还原速率加快,也验证了H_2-150具有较好的光热催化CO_2活性.与H_2-150样品不同的是,大量氧空位样品(H_2-350)在CO_2气氛、光热条件下电导衰减反而变慢,我们认为这是由于H_2-350存在深能级缺陷,在热的作用下会将捕获的电子释放,因此延缓了光电导的衰减.但由于深能级电子的还原能力较弱,所以H_2-350样品的光热CO_2还原活性稍逊于H_2-150.综上所述,在光热电导与光热催化相关的研究中,我们证实了在Ov-TiO_2中被捕获的电子在热激发下可再次向导带弛豫,从而解释了Ov-TiO_2优异的光热催化性能.因此,光热电导的研究在理解光热催化方面具有重要的前景.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2020年01期）
朱伟林,张文昊,钟子平,廖良欣,夏治洋[3]（2019）在《叁硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究》一文中研究指出利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶叁硒化二铟(In_2Se_3)纳米线,所合成的In_2Se_3纳米线的直径分布在20～200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功构建了基于单根In_2Se_3纳米线的器件,其器件结构为电阻型结构.经过对一系列具有不同直径大小的In_2Se_3纳米器件的光电导性能研究,该类器件的光电导性能表现出明显的尺寸依赖性,为构建基于In_2Se_3纳米线的高效光探测器提供了关键的实验和理论依据.(本文来源于《江西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
薛红,席彩萍[4]（2019）在《GaAs材料非平衡热电子的瞬态输运及其光电导特性》一文中研究指出根据能带电子输运理论,对光激发热电子的产生、弛豫、复合过程进行了分析,并利用蒙特卡罗方法对不同电场中热电子输运的漂移速度瞬变特性进行了模拟。在稳态条件下,光电导及其相应的光电特性主要决定于复合过程;而在强电场和高激发状态下,则主要决定于热电子的行为。实验选用横向型GaAs光电导开关,在一定的偏置电压条件下输出线性与非线性两种不同模式的电脉冲,实验结果与理论一致。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年06期）
尹政政,谢宁波,王凯,党伟[5]（2019）在《基于瞬态微波光电导测试仪的谐振腔传感器设计》一文中研究指出利用微波谐振腔微扰原理建立了应用于测量半导体和发光材料的谐振腔的传感器模型。采用HFSS仿真软件对谐振腔参数和结构进行仿真。仿真结果表明,采用矩形孔时,微波谐振腔中具有符合实验要求的电场形式以及电场强度;实验结果也表明,样品在采用矩形耦合孔的谐振腔获得了较强的信号。将不同的样品放置于谐振腔中,并用纳秒激光脉冲照射,获得了较理想的动力学曲线,证明该谐振腔的实用性,为下一步测量样品的介电常数和电导率等物理参数等实验奠定了基础。(本文来源于《光电子·激光》期刊2019年10期）
张聪,苏波,张宏飞,武亚雄,何敬锁[6]（2019）在《太赫兹片上系统中低温砷化镓薄膜光电导天线的研究（英文）》一文中研究指出太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与生物分子等领域有着无可比拟的作用。然而用该系统进行样品探测时,受回波的影响频谱分辨率较低;受太赫兹波光斑大小以及待测样品与电磁波相互作用距离长短的影响,样品消耗量较多,并且整个系统的占用空间较大,这些局限性都限制了太赫兹时域光谱系统的进一步发展。为了突破太赫兹时域光谱系统的局限性,设计了一种将太赫兹泵浦区、探测区和传输波导集成到一个硅片上的太赫兹片上系统,该系统不仅能够解决上述系统的局限性,还能够省去样品测量前的光路准直环节,使样品的测量过程更加简便,同时集成化的系统也很大程度上提高了太赫兹波传输的稳定性。在太赫兹片上系统中,泵浦区和探测区的光电导天线是由低温砷化镓和金属电极制成,由于受到太赫兹片上系统的高度集成化和低温砷化镓晶体生长条件的限制,如何制备出低温砷化镓半导体薄膜衬底,并将其转移与键合,是太赫兹片上系统研制过程中的关键环节。首先利用分子束外延(MBE)技术制备出由半绝缘砷化镓、砷化镓缓冲层、砷化铝牺牲层和低温砷化镓层构成的外延片,然后利用盐酸溶液与砷化铝和低温砷化镓反应速度差别较大的原理,将200 nm厚的AlAs牺牲层腐蚀掉,从而得到2μm厚的低温砷化镓薄膜。为了更加高效并且完整地得到低温砷化镓薄膜,研究了盐酸溶液在不同温度和不同浓度下与AlAs牺牲层的选择性腐蚀速率的关系。给出了低温砷化镓薄膜制备过程中盐酸的最佳体积比浓度和最佳温度,即在73℃下13.57%的盐酸溶液中进行砷化铝牺牲层的腐蚀。相比于已有工艺,这种腐蚀方法对实验设备的要求较低并且具有较高的安全性。最后,将单层低温砷化镓薄膜转移键合至硅片上,并制成光电导天线的结构。利用飞秒激光脉冲进行激发探测到太赫兹信号。由此说明,低温砷化镓薄膜的获取、转移与键合工艺能够满足芯片级太赫兹系统的制作要求,这为太赫兹片上系统的进一步研制打下了坚实的基础。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2019年10期）
桂淮蒙,施卫[7]（2019）在《储能电容对GaAs光电导开关快前沿正负对称脉冲输出特性的影响》一文中研究指出针对GaAs光电导开关快前沿正负对称脉冲输出特性的研究,对提高飞秒条纹相机的时间分辨率具有重要意义.本文使用脉宽为60 fs的激光器触发电极间隙为3.5 mm的GaAs光电导开关,在不同的储能电容及外加偏置电压条件下,获得具有上升时间最快为149 ps,电压传输效率最高为92.9%的快前沿正负对称输出,测试结果满足条纹相机实现飞秒时间分辨率的设计需求.实验结果的对比分析表明,储能电容是影响电压传输效率及上升时间的重要因素之一.同时,结合GaAs光电导开关线性工作模式特点及电容储能特性分析表明,当触发激光特性相同时,随着储能电容的增大,输出电脉冲传输效率及上升时间均会增加.研究结果将有助于GaAs光电导开关更好地应用于飞秒条纹相机中.(本文来源于《物理学报》期刊2019年19期）
王昕,田蕾,李俊生,叶灿明,王世进[8]（2019）在《高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析》一文中研究指出高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。(本文来源于《仪器仪表用户》期刊2019年08期）
牛钰[9]（2019）在《氮化镓高压光电导材料输运特性的研究》一文中研究指出氮化镓(GaN)材料的研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点。第叁代宽禁带半导体材料氮化镓具有高电子漂移速度、临界击穿场强大、高热导率、介电常数小和良好的化学稳定性等突出优点,满足高电压、高功率、高频率、高温度、高线性和高效率半导体器件的工作要求,在光电子器件和发光器件的制备与研制方面具有广泛的应用前景和研究价值。半导体中载流子输运特性的重要参数是控制微电子器件质量、性能和可靠性的关键参数,因此研究氮化镓材料中载流子的输运性质、解析材料的物理散射机制,对于改善氮化镓基半导体器件具有非常重要的意义。本文采用多粒子蒙特卡罗模拟了300K温度下氮化镓高压光电导材料中光生载流子的输运特性。计算中假定材料的电离杂质浓度为1×1016cm-3,高斯光脉冲的波长为532nm,其对应的光子能量为2.33eV,满足双光子吸收的基本条件。能带结构采用包括主能谷Γ1和两个卫星能谷(Γ2、L-M)的叁能谷模型,考虑了六种在半导体输运特性中起重要作用的散射机制:按弹性散射处理的电离杂质散射、声学波压电散射和声学波形变势散射;按非弹性散射处理的极性光学波散射、光学波形变势散射和谷间散射。通过对物理模型及与能带结构和散射机制相关参数的选取、适当的电场调节时间步长的选择、光生载流子的初始分布、自由飞行和散射的处理以及电荷分配和电场计算等主要模拟流程对氮化镓高压光电导材料中光生载流子的输运特性进行了研究。通过对不同外加电场下,氮化镓高压光电导材料中光生载流子的平均漂移速度-时间关系的研究发现:光生载流子的漂移速度在外加电场为200kV/cm时表现出过冲现象,峰值速度达到4.8×107cm/s;当外加电场为300kV/cm时,光生载流子的漂移速度出现非常明显的过冲现象,峰值速度可达到7.4×107cm/s。外加电场越大,光生载流子的漂移速度增大的越快,最终的稳态漂移速度也越大。不同外加电场作用下,氮化镓中光生载流子的稳态漂移速度远小于瞬态漂移速度,说明材料的输运特性主要受瞬态输运的影响。通过对不同外加电场作用下,氮化镓高压光电导材料中光生载流子在各个能谷的占有率和平均能量的研究发现:当外加电场为300kV/cm时大多数光生载流子跃迁到第一卫星能谷Γ2,当外加电场增大到500kV/cm时大多数光生载流子跃迁到更高的第二卫星能谷L-M,光生载流子在外加电场作用下获得足够的能量从主能谷向卫星能谷的不等价谷间跃迁导致负微分迁移率效应。此外,卫星能谷更大的有效质量和能带的非抛物性也会对负微分迀移率产生相应的影响。(本文来源于《西安理工大学》期刊2019-06-30）
桂淮蒙,施卫[10]（2019）在《不同激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动的影响》一文中研究指出结合激光能量涨落对输出电脉冲涨落影响的实验,通过理论分析研究了激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动特性的影响。实验中,当外加偏置电压为2 kV时,使用波长为1 053 nm、脉宽为500 ps的激光触发GaAs光电导开关,在不同的激光能量下测试能量涨落对输出电脉冲涨落的影响,通过对比分析指出激光能量的涨落与输出电脉冲涨落成正比关系。结合对光生载流子输运过程的分析,结果表明随着激光能量涨落的增加, GaAs光电导开关时间抖动也会随之增加,直到激光能量达到GaAs饱和吸收限时,能量的涨落不会再引起开关时间抖动的迅速变化。这一结论为GaAs光电导开关应用于条纹相机中提供了理论基础。(本文来源于《发光学报》期刊2019年06期）
光电导论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用太阳能缓解能源危机和解决环境污染,是当前和未来的全球性课题.其中,光催化技术的研究步伐日渐加快.这不仅体现在光催化材料种类的增加,更体现在以光催化为基础的多场协同催化,特别是光热耦合作用成为增强光催化性能的一种高效、可靠的方法.氧空位的引入不仅可以拓宽催化剂对可见光的吸收、抑制载流子的复合、促进反应物的吸附以及降低反应的活化能,而且对于光热协同催化效率的提升有着重要的贡献.然而,目前光热协同催化的表征多局限于常规的光催化手段.开展光热耦合下的测量技术对深刻理解光热催化是十分必要的.本文研究温度、气氛、氧空位浓度对TiO_2光电导的影响,构建光电导与光热催化活性之间的关系.我们将商用的ST-01TiO_2制成浆料,利用丝网印刷法将浆料覆盖在刻有沟槽的FTO上,并通过N_2/H_2混合气不同温度退火,得到不同氧空位含量的TiO_2薄膜(Ov-TiO_2).采用紫外-可见光谱(UV-Vis),拉曼光谱(Raman),电子顺磁共振(ESR)等手段对样品进行了表征.结果表明, N_2/H_2退火温度越高,氧空位浓度越高.我们对不同浓度氧空位的样品进行了光催化及光热协同催化CO_2还原实验.结果表明,适量氧空位的样品(H_2-150)光催化还原CO_2性能最差,但光热协同催化还原CO_2的性能最佳.我们对其光电导值的衰减情况进行了分析,看到H_2-150样品在CO_2气氛、光热条件下,电导衰减加快.由于光电导的衰减是由电荷复合和电荷参与的表面反应共同决定的,为确定是哪一因素决定了电导的衰减,我们进一步测试了H_2-150样品在N_2气氛下的电导衰减情况.结果发现, H_2-150样品在N_2气氛、光热条件下电导衰减反而变慢.这表明,造成H_2-150样品在CO_2气氛、光热条件下的电导衰减加快是光热条件下CO_2还原速率加快,也验证了H_2-150具有较好的光热催化CO_2活性.与H_2-150样品不同的是,大量氧空位样品(H_2-350)在CO_2气氛、光热条件下电导衰减反而变慢,我们认为这是由于H_2-350存在深能级缺陷,在热的作用下会将捕获的电子释放,因此延缓了光电导的衰减.但由于深能级电子的还原能力较弱,所以H_2-350样品的光热CO_2还原活性稍逊于H_2-150.综上所述,在光热电导与光热催化相关的研究中,我们证实了在Ov-TiO_2中被捕获的电子在热激发下可再次向导带弛豫,从而解释了Ov-TiO_2优异的光热催化性能.因此,光热电导的研究在理解光热催化方面具有重要的前景.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光电导论文参考文献
[1].童彩豪,鲁林芝,姜晓彤,谢长生.Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜的光电响应和持续光电导的调控[J].功能材料.2019
[2].李大帅,黄誉,李松美,王长华,李莹莹.利用光热耦合下的光电导研究TiO_2光热催化还原CO_2（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2020
[3].朱伟林,张文昊,钟子平,廖良欣,夏治洋.叁硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究[J].江西师范大学学报(自然科学版).2019
[4].薛红,席彩萍.GaAs材料非平衡热电子的瞬态输运及其光电导特性[J].半导体光电.2019
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[8].王昕,田蕾,李俊生,叶灿明,王世进.高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析[J].仪器仪表用户.2019
[9].牛钰.氮化镓高压光电导材料输运特性的研究[D].西安理工大学.2019
[10].桂淮蒙,施卫.不同激光能量涨落对GaAs光电导开关时间抖动的影响[J].发光学报.2019
论文知识图
