导读:本文包含了边模抑制比论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,光栅,抑制,光纤,半导体,超短,振荡器。
边模抑制比论文文献综述
滕义超,张宝富,王庆国,卢麟,庞中晓[1]（2015）在《基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器》一文中研究指出为了进一步有效提高光电振荡器的性能,提出了一种基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器。利用两级电功分器构成电增益环腔,结合偏振分束器和偏振合束器形成的光纤双环结构,在没有引入外调制器和电滤波器的前提下,得到了高边模抑制比的小型化光电振荡器。实验中光纤长度取110m和2km,获得了中心频率为11.4GHz的微波信号,边模抑制比为60dB,其相位噪声为-103.6dBc/Hz@10kHz。(本文来源于《半导体光电》期刊2015年03期）
何玉平,周寒青,李未[2]（2011）在《注入电流对外腔半导体激光器边模抑制比的影响(英文)》一文中研究指出考虑半导体激光器(SL)、光纤光栅外腔(FGE)二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的激光纵模分布后,利用FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制比的影响.数值模拟的结果表明:FGESL的边模抑制比(SMSR)随注入电流的增大总体上呈现上升趋势,但其变化过程中有波动,在短外腔时尤其明显.(本文来源于《南昌工程学院学报》期刊2011年01期）
李松柏,李敬,陈友仁,徐玲,张丹[3]（2008）在《外腔长度变化对外腔半导体激光器边模抑制比的影响》一文中研究指出根据光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECL)的等效腔模型,通过分析半导体激光器(LD)、外腔及光纤光栅(FG)叁者的共同作用,利用光纤光栅外腔半导体激光器的相位条件确定FGESL的激光纵模分布,理论上研究了FGESL的边模抑制比(SMSR)随FG外腔长度的变化.结果表明:SMSR的大小跟外腔长度的选择有很大的关系,在其他参数相同的情况下,外腔长度的微小变化可以引起边模抑制比很大的波动.从总体上看,外腔较长时的比外腔较短时的边模抑制比要小;当外腔长度为8~11 mm时,光纤光栅半导体激光器有比较高的边模抑制比(SMSR>40.8 dB),并且边模抑制比随外腔长度的变化比较平稳.(本文来源于《重庆文理学院学报(自然科学版)》期刊2008年04期）
陈吉武,D,N,WANG,李志能[4]（2005）在《以自激注入锁定方式生成边模抑制比高的可调谐双波长超短光脉冲》一文中研究指出介绍一种简单的以自激注入锁定方式、生成边模抑制比改善的、可调谐双波长超短光脉冲的实验系统.系统通过调整两个B ragg光纤光栅和光延迟线,可方便地调谐两个不同波长及其间距,从而获得双波长光脉冲输出.实验显示,在20.7nm的波长调谐范围内,可获得边模抑制比接近或高于30dB的双波长光脉冲输出.系统简单,且波长调谐方便.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2005年05期）
周凯明,胡雄伟,刘海涛,葛璜,安贵仁[5]（2001）在《高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器》一文中研究指出本文从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择 ,得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则 .制作了两只光纤光栅外腔半导体激光器 ,Q1为短外腔 (<2 mm)、短光纤光栅 (4mm)结构 ,Q2 为长外腔 (2 0 mm)、长光纤光栅 (1 7mm)结构 .测量 Q1的主边模抑制比为 35d B,Q2 的主边模抑制比为 1 0 d B(本文来源于《光子学报》期刊2001年04期）
边模抑制比论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
考虑半导体激光器(SL)、光纤光栅外腔(FGE)二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的激光纵模分布后,利用FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制比的影响.数值模拟的结果表明:FGESL的边模抑制比(SMSR)随注入电流的增大总体上呈现上升趋势,但其变化过程中有波动,在短外腔时尤其明显.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
边模抑制比论文参考文献
[1].滕义超,张宝富,王庆国,卢麟,庞中晓.基于光电混合双环的高边模抑制比振荡器[J].半导体光电.2015
[2].何玉平,周寒青,李未.注入电流对外腔半导体激光器边模抑制比的影响(英文)[J].南昌工程学院学报.2011
[3].李松柏,李敬,陈友仁,徐玲,张丹.外腔长度变化对外腔半导体激光器边模抑制比的影响[J].重庆文理学院学报(自然科学版).2008
[4].陈吉武,D,N,WANG,李志能.以自激注入锁定方式生成边模抑制比高的可调谐双波长超短光脉冲[J].红外与毫米波学报.2005
[5].周凯明,胡雄伟,刘海涛,葛璜,安贵仁.高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器[J].光子学报.2001
论文知识图
