论文摘要
采用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶富硅碳化硅薄膜。通过在高温750℃,900℃,1050℃,和1200℃进行热退火处理,薄膜样品晶化出硅量子点。利用傅立叶红外光谱仪（FTIR）对样品化学键进行了分析。利用X射线衍射（XRD）和拉曼散射光谱仪（LabRAM）对样品微结构随温度的演化进行了表征。利用高分辨透射电镜（HRTEM）和选区电子衍射（SAED）对1050℃退火样品微结构进行了表征。研究发现,在退火温度低于900℃时,薄膜以非晶织构存在。当退火温度从900℃增加到1050℃时,硅（Si）原子从非晶Si1-xCx织构析出,形成硅量子点。硅量子点的平均尺寸从3.1 nm增加到4.0 nm。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 文国知
关键词: 量子点,碳化硅,微结构,化学气相沉积
来源: 武汉轻工大学学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备,电力工业
单位: 武汉轻工大学电气与电子工程学院
基金: 武汉轻工大学校立项目资助(2017y29)
分类号: TM615;TB383.2
页码: 46-50+62
总页数: 6
文件大小: 847K
下载量: 117
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