导读:本文包含了脉冲激光能量密度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Cu2Se薄膜,脉冲激光沉积,热电,激光能量
脉冲激光能量密度论文文献综述
吕艳红,陈吉堃,D?BELI,Max,李宇龙,史迅[1]（2015）在《脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu_2Se热电薄膜成分与性能的影响（英文）》一文中研究指出本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu2Se热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的?-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽,这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压,降低激光能量会加强激光与固体的直接作用,从而更有效地切削硒元素,导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的Cu2Se薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时,所生长的薄膜具有最佳的热电性能。(本文来源于《无机材料学报》期刊2015年10期）
谭丛兵,王金斌,钟向丽[2]（2014）在《脉冲激光能量密度对BaTiO_3外延薄膜生长的影响》一文中研究指出脉冲激光沉积技术(PLD)被广泛用于生长氧化物外延薄膜。我们利用PLD在SrRuO3作过渡层的单晶SrTiO3(100)基底上制备了厚度约80nm的BaTiO3(BTO)外延薄膜,探讨了激光能量密度对BTO薄膜的外延生长的影响。利用原子力显微镜和透射电子显微镜对薄膜的表面形貌和微结构进行了分析和观察,结果表明,激光能量密度在0.5~0.8J/cm2范围内,随能量密度增大,薄膜表面粗糙度由大变小,再变大。能量密度小于0.5J/cm2时,BTO薄膜表面粗糙度(RMS)达到2.42nm,柱状晶粒贯穿整个BTO薄膜,薄膜呈岛状生长。能量密度提高到0.6J/cm2(本文来源于《第十叁届全国物理力学学术会议论文摘要集》期刊2014-10-17）
李博[3]（2012）在《脉冲能量密度和照射时间对激光消融制备有机染料纳米颗粒的影响》一文中研究指出在水溶液中利用脉冲激光消融制备有机染料——酞菁氧钒(VOPc)纳米颗粒,利用原子力显微镜(AFM)观测显示,在入射光总能量一定的前提下VOPc纳米颗粒的平均直径随脉冲能量密度的增大而变大。其纳米颗粒胶状水溶液的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱显示,过长的激光消融时间并不能对纳米颗粒的产出提供持续贡献。纳米颗粒的再聚集直接影响了制备效率和制备所得纳米颗粒的尺寸,最终将和纳米颗粒的产出达到动态平衡,而水溶液中的疏水作用力是造成纳米颗粒再聚集的主要原因。(本文来源于《中国激光》期刊2012年02期）
邓泽超,罗青山,丁学成,褚立志,王英龙[4]（2012）在《不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响》一文中研究指出在室温条件下保持Ar环境气体压强不变,采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变激光能量密度,在与烧蚀羽辉轴线垂直放置的衬底上沉积了一系列纳米硅晶薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼(Raman)散射光谱对样品进行特性分析.结果表明,在能量密度为2～4J/cm2时,衬底上沉积的纳米硅晶粒尺寸和面密度基本不变.结合纳米晶粒成核生长动力学,对结果进行了定性解释.(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊2012年01期）
邓泽超,罗青山,胡自强,丁学成,褚立志[5]（2011）在《不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究》一文中研究指出在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小;随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2011年06期）
张峰烈,傅星,林谦[6]（2011）在《基于连续激光探测的脉冲激光热抛光能量密度实时控制系统》一文中研究指出讨论了激光热抛光时工件表面上的能量密度的控制原理及实时控制方法,研制了一套激光能量密度实时控制系统。采用连续激光源和CCD-FPGA图像处理反馈模块,实时控制在待抛光物体上的光斑面积大小进而实现脉冲激光能量密度的恒定。利用激光抛光系统对316L不锈钢进行实验,分析了恒定脉冲激光能量密度的方法和研制的激光抛光系统的特性,研究表明经脉冲激光热抛光后其表面粗糙度大幅度降低,由292.3nm降至146.6nm。(本文来源于《应用激光》期刊2011年02期）
雷洁红,邢丕峰,唐永建,吴卫东,王锋[7]（2010）在《脉冲激光能量密度对Mo薄膜生长的影响》一文中研究指出用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基片上制备金属Mo薄膜,研究薄膜结晶性能与能量密度之间的关系,探讨薄膜生长机制和粒子能量在薄膜生长中的作用。原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2nm。X射线衍射(XRD)分析表明,随着能量密度的增加,Mo薄膜衍射峰宽变窄,薄膜从非晶态逐步变为多晶态,晶粒尺寸逐步变大。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2010年09期）
李永亮,姜会林[8]（2009）在《高功率脉冲激光的远场能量密度分布测试方法研究》一文中研究指出在分析现有的激光远场能量密度分布测试方法的基础上提出了一种新的测试方法.采用激光束照射漫反射靶,CCD相机对靶上激光光斑成像并在靶面上布置能量计探头以获取能量抽样绝对值的方法进行激光束远场大气传输后空域分布测试.从基本组成、测试原理、试验结果等方面对新测试方法进行了分析研究,并通过采用532nm脉冲激光照射1Km外的漫反射靶的实验对新测试方法进行了可行性验证,获得了远场激光光斑的图像和能量抽样值.(本文来源于《光子学报》期刊2009年05期）
张宝东,秦石乔,贾宏进,魏文俭,战德军[9]（2008）在《成像法测量脉冲激光远场能量密度的模型及不确定度分析》一文中研究指出设计了基于漫反射成像法测量脉冲激光远场能量分布的方案,在相机标定的基础上建立了CCD图像灰度值与漫反射板上脉冲激光能量密度对应关系的数学模型,该模型考虑了漫反射板的漫反射率和CCD像元响应度的空间不一致性,并对不同测量位置的离轴角的影响进行了修正。分析表明:CCD灰度值、镜头透过率、漫反射率和CCD响应度的不确定度传播系数为1,镜头光圈数的不确定度传播系数为2,镜头焦距的不确定传播系数随离轴角增大而增大,成像中心像素坐标的不确定度传播系数在图像顶点处最大。针对相机标定实验中发现的利用Tsai单视角共面点标定相机得到的镜头焦距与实际存在较大偏差问题,指出对于定焦镜头,应该采用其它离线方法进行准确标定;对于变焦镜头,可采用单视角非共面点或多视角共面点进行在线标定。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2008年09期）
纠智先[10]（2007）在《脉冲激光能量密度对ZnS薄膜的影响》一文中研究指出采用YAG固体激光器(1064nm)和XeCl(308nm)准分子激光器,利用脉冲激光沉积技术,研究了不同的脉冲激光能量密度和不同波长的激光器对制备的ZnS薄膜的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行了表征。结果表明:脉冲激光能量密度过高会使薄膜质量变坏;XeCl激光器制备的薄膜质量更好。(本文来源于《武汉工业学院学报》期刊2007年02期）
脉冲激光能量密度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
脉冲激光沉积技术(PLD)被广泛用于生长氧化物外延薄膜。我们利用PLD在SrRuO3作过渡层的单晶SrTiO3(100)基底上制备了厚度约80nm的BaTiO3(BTO)外延薄膜,探讨了激光能量密度对BTO薄膜的外延生长的影响。利用原子力显微镜和透射电子显微镜对薄膜的表面形貌和微结构进行了分析和观察,结果表明,激光能量密度在0.5~0.8J/cm2范围内,随能量密度增大,薄膜表面粗糙度由大变小,再变大。能量密度小于0.5J/cm2时,BTO薄膜表面粗糙度(RMS)达到2.42nm,柱状晶粒贯穿整个BTO薄膜,薄膜呈岛状生长。能量密度提高到0.6J/cm2
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲激光能量密度论文参考文献
[1].吕艳红,陈吉堃,D?BELI,Max,李宇龙,史迅.脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu_2Se热电薄膜成分与性能的影响（英文）[J].无机材料学报.2015
[2].谭丛兵,王金斌,钟向丽.脉冲激光能量密度对BaTiO_3外延薄膜生长的影响[C].第十叁届全国物理力学学术会议论文摘要集.2014
[3].李博.脉冲能量密度和照射时间对激光消融制备有机染料纳米颗粒的影响[J].中国激光.2012
[4].邓泽超,罗青山,丁学成,褚立志,王英龙.不同能量密度对脉冲激光沉积纳米硅晶粒尺寸的影响[J].河北大学学报(自然科学版).2012
[5].邓泽超,罗青山,胡自强,丁学成,褚立志.不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究[J].人工晶体学报.2011
[6].张峰烈,傅星,林谦.基于连续激光探测的脉冲激光热抛光能量密度实时控制系统[J].应用激光.2011
[7].雷洁红,邢丕峰,唐永建,吴卫东,王锋.脉冲激光能量密度对Mo薄膜生长的影响[J].稀有金属材料与工程.2010
[8].李永亮,姜会林.高功率脉冲激光的远场能量密度分布测试方法研究[J].光子学报.2009
[9].张宝东,秦石乔,贾宏进,魏文俭,战德军.成像法测量脉冲激光远场能量密度的模型及不确定度分析[J].强激光与粒子束.2008
[10].纠智先.脉冲激光能量密度对ZnS薄膜的影响[J].武汉工业学院学报.2007