电容压敏陶瓷论文-张帅谋,王微,陈华

电容压敏陶瓷论文-张帅谋,王微,陈华

导读:本文包含了电容压敏陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:功能元件,压敏,陶瓷,非线性

电容压敏陶瓷论文文献综述

张帅谋,王微,陈华[1](2019)在《Mn掺杂TiO_2基压敏-电容功能陶瓷的电性能研究》一文中研究指出采用固相合成法制备MnO_2掺杂TiO_2基压敏-电容功能元件,利用SEM和XRD分析手段,研究了不同MnO_2掺杂配比对TiO_2双功能陶瓷显微结构和电性能的影响。结果显示微量MnO_2掺杂的TiO_2基陶瓷主晶相为金红石相。当MnO_2的掺杂量为0.3mol%时,可以获得最佳的非线性和压敏特性,同时具有较高的介电常数和较低的介电损耗值。这是由于0.3mol%添加量的微结构晶粒更均匀,在TiO_2陶瓷基体中产生充足的氧空位,掺杂的MnO_2界面态产生了较高的晶界势垒共同作用的结果。(本文来源于《佳木斯大学学报(自然科学版)》期刊2019年05期)

胡素梅,陈海波[2](2018)在《烧结工艺对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷电容特性影响研究》一文中研究指出通过共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏陶瓷,考察了烧结工艺对材料微结构和湿敏电容性能的影响,包括烧结温度和保温时间对湿度电容的影响。实验结果表明,烧结工艺对材料的微结构和湿敏电容都具有较大影响。适当的烧结温度和保温时间可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏电容。电容频率特性分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度变化。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2018年09期)

臧国忠,王晓飞,李立本,王丹丹[3](2018)在《SnO_2-Zn_2SnO_4与SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究》一文中研究指出通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm~2。40 Hz时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的相对介电常数为2×10~4,低于SrTiO_3的9×10~4,同时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO_3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有潜在的应用价值。(本文来源于《功能材料》期刊2018年04期)

宋朝文,黄端平,张枫[4](2013)在《TiO_2体系电容-压敏复合功能陶瓷的结构与电学性能研究》一文中研究指出研究烧结温度对TiO2体系复合功能陶瓷的晶体结构、显微结构、压敏性能、介电性能及晶粒和晶界特性的影响。研究结果表明,随着烧结温度的提高,TiO2体系陶瓷晶粒明显增加,第二相从Bi2Ti2O7向Bi4Ti3O12转变。烧结温度的提高引起TiO2体系陶瓷的相对介电常数εr的增加以及压敏电压V1mA、损耗角正切tgδ的明显降低。随烧结温度的提高,晶界电阻率ρgb、晶界势垒高度ФB、有效施主浓度Nd和界面态密度Nt趋于降低,晶粒电阻率ρg和耗尽层厚度Xd变化不大。(本文来源于《中国陶瓷工业》期刊2013年03期)

宁吉[5](2013)在《SrTiO_3电容—压敏复合功能陶瓷变阻器介电特性的研究》一文中研究指出SrTiO3复合功能陶瓷是一种新型压敏半导体陶瓷,具有良好的介电性能,能够用来制作压敏电阻器以及边界层电容器,广泛应用于各个领域,在过电压保护方面尤为重要。实验采用一次配料的方法,即在称量好SrTiO3基粉体后,一次掺入各种改性掺杂剂,然后进行球磨。球磨方式为干磨,取代传统需要加入离子水等分散剂的湿磨。采用真空碳管炉营造的真空烧结环境取代传统的氢气加氮气的气氛烧结环境,实验过程较为安全。真空烧结后的样品再送入马沸炉进行二次烧结,最后上电极测试介电性能。选用Nb205作为施主掺杂,MnCO3和CaCO3作为受主掺杂,SiO2作为烧结助剂。采用真空还原烧结促进晶粒半导化的工艺对SrTiO3电容-压敏复合功能陶瓷变阻器的介电性能进行了研究。实验结果表明:双受主掺杂的样品与以CaCO3为单受主掺杂制备的样品相比非线性系数有所提高,SEM扫描显示样品晶粒更加致密。SiO2作为烧结助剂能有效降低烧结温度。实验制备的SrTiO3复合功能陶瓷整体性能良好,介电性能处于以下范围:非线性系数a的范围为4.1-12.3,介电常数ε的范围为2.1×104~8.5×104,压敏电压VlmA的范围为20~90V/mm,介电损耗tanδ的范围为0.24~0.94。(本文来源于《广西大学》期刊2013-06-01)

李建业[6](2013)在《钛酸锶钡电容—压敏复合功能陶瓷电阻器的介电性能研究》一文中研究指出钛酸锶钡功能陶瓷兼顾了钛酸锶的低损耗性、低压敏电压和钛酸钡的高介电性的优点,具有高介电常数、低介电损耗、居里温度可调、高耐压等性能,存在着广阔的发展应用前景。本实验采用简化的配料工艺,用真空烧结法代替气氛炉烧结法,在空气的气氛中进行氧化烧结。研究了锶钡比、Ti02、施主掺杂、受主掺杂、烧结助剂、真空烧结保温时间及氧化烧结温度对样品介电性能的影响。实验结果表明:最佳的钡锶比是0.1比0.9,碳酸钡的加入提高了样品的居里温度,使得样品的介电常数得到了提高;适量的Ti02在烧结过程中起到了烧结助剂的作用,使得烧结温度降到1325℃,提高了样品的烧结成功率;ZnO作为受主掺杂剂使样品的非线性系数与电阻率变大,介电损耗降低,MnC03作为受主掺杂剂可以使样品的介电损耗降低;当Si02作为烧结助剂的时候,样品的真空烧结温度可以降低到1250℃,但样品的综合介电性能降低;样品的真空保温时间与马弗炉中的氧化温度对样品的介电性能有较大影响。最终得到0.9SrCO3+0.1BaCO3+1.5TiO2+1.lmol%CeO2+0.7mol%ZnO的配方,真空烧结温度为1325℃,保温时间为2h,氧化温度为900℃,样品的非线性系数在15左右,介电损耗为0.2,介电常数与电阻率均达到105以上,压敏电压在5V左右,获得了低压敏电压、高介电常数与非线性系数的复合功能陶瓷。(本文来源于《广西大学》期刊2013-06-01)

王晓雪,李涛,陈镇平[7](2011)在《Eu_2O_3掺杂对压敏-电容双功能陶瓷材料CaCu_3Ti_4O_(12)电性能的改善效果》一文中研究指出以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2%、0.5%、1%(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析;利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征;利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能。掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失;纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强。(本文来源于《材料导报》期刊2011年22期)

王天国,邵刚勤,李喜宝,张文俊[8](2009)在《烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响(英文)》一文中研究指出研究了烧结温度对WO3系电容-压敏复合陶瓷显微结构、非线性电学性能及介电性能的影响。随着烧结温度从1050℃到1200℃的升高,WO3陶瓷的晶粒尺寸增大,压敏电压随之降低。在1150℃烧结条件下,掺杂0.8mol%Y2O3的WO3压敏陶瓷样品表现出优良的综合电性能,其非线性系数为3.5,相对介电常数为1.13×104。然而,过高的烧结温度,不利于样品的非线性电学性能。WO3系电容-压敏复合陶瓷较适合的烧结温度为1150℃,这是因为,在此温度下最有利于样品的晶界势垒结构的形成。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2009年S2期)

王天国,邵刚勤,李喜宝,张文俊[9](2009)在《Y_2O_3掺杂对Ta_2O_5-TiO_2电容-压敏陶瓷的影响》一文中研究指出制备了Y2O3-Ta2O5-TiO2电容-压敏电阻器材料,对样品进行了XRD和SEM分析,测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明:Y2O3对TiO2电容-压敏电阻的性能有显着的影响,在1 400℃烧结条件下,摩尔掺量为0.25%Y2O3的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为9.7 V/mm,非线性系数为4.5,相对介电常数为8.82×104,这与该样品具有最高的晶界势垒高度相一致。(本文来源于《武汉理工大学学报》期刊2009年13期)

孟凡明[10](2007)在《TiO_2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展》一文中研究指出TiO_2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了 TiO_2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型、烧结工艺、烧成制度以及烧结气氛等工艺过程的研究现状,并对其进行了展望.(本文来源于《第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)》期刊2007-11-01)

电容压敏陶瓷论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

通过共沉淀法制备出SnO_2棒状晶湿敏陶瓷,考察了烧结工艺对材料微结构和湿敏电容性能的影响,包括烧结温度和保温时间对湿度电容的影响。实验结果表明,烧结工艺对材料的微结构和湿敏电容都具有较大影响。适当的烧结温度和保温时间可使材料具有棒状晶粒的微结构和较好的湿敏电容。电容频率特性分析表明,试样的电容在低频范围随烧结温度的升高和保温时间的延长先减小后增大,但高频范围几乎不随烧结温度变化。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电容压敏陶瓷论文参考文献

[1].张帅谋,王微,陈华.Mn掺杂TiO_2基压敏-电容功能陶瓷的电性能研究[J].佳木斯大学学报(自然科学版).2019

[2].胡素梅,陈海波.烧结工艺对SnO_2棒状晶湿敏陶瓷电容特性影响研究[J].仪表技术与传感器.2018

[3].臧国忠,王晓飞,李立本,王丹丹.SnO_2-Zn_2SnO_4与SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究[J].功能材料.2018

[4].宋朝文,黄端平,张枫.TiO_2体系电容-压敏复合功能陶瓷的结构与电学性能研究[J].中国陶瓷工业.2013

[5].宁吉.SrTiO_3电容—压敏复合功能陶瓷变阻器介电特性的研究[D].广西大学.2013

[6].李建业.钛酸锶钡电容—压敏复合功能陶瓷电阻器的介电性能研究[D].广西大学.2013

[7].王晓雪,李涛,陈镇平.Eu_2O_3掺杂对压敏-电容双功能陶瓷材料CaCu_3Ti_4O_(12)电性能的改善效果[J].材料导报.2011

[8].王天国,邵刚勤,李喜宝,张文俊.烧结温度对WO_3系电容-压敏复合陶瓷电性能的影响(英文)[J].稀有金属材料与工程.2009

[9].王天国,邵刚勤,李喜宝,张文俊.Y_2O_3掺杂对Ta_2O_5-TiO_2电容-压敏陶瓷的影响[J].武汉理工大学学报.2009

[10].孟凡明.TiO_2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展[C].第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2).2007

标签:;  ;  ;  ;  

电容压敏陶瓷论文-张帅谋,王微,陈华
下载Doc文档

猜你喜欢