全文摘要
本实用新型涉及一种晶片托盘结构，其包括一盖体及一晶片托盘。该晶片托盘具有复数呈矩阵排列的容槽透孔、复数连通各容槽透孔且交错配置的导液流道、复数对应各导液流道交错处设置的流道透孔以及复数由各容槽透孔孔壁及各导液流道(局部)共同界定的晶片容槽。该盖体，选择性迭设于晶片托盘顶端。藉由上述构件的组成，提供晶片容置方便清洗工艺的进行。
主设计要求
1.一种晶片托盘结构，其特征在于，包括:一晶片托盘，具有一体形成的复数容槽透孔、复数导液流道、复数流道透孔、及复数晶片容槽；各该容槽透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，并呈矩阵排列；各该导液流道，是交叉凹陷形成于该晶片托盘顶端面，且与各该容槽透孔连通；各该流道透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，且位于各该导液流道交错处；各该晶片容槽，是由各该容槽透孔局部孔壁及与各该容槽透孔连通的各该导液流道未端所共同界定；一盖体，是选择性迭设于该晶片托盘顶端面，具有一栅栏区。
设计方案
1.一种晶片托盘结构，其特征在于，包括:
一晶片托盘，具有一体形成的复数容槽透孔、复数导液流道、复数流道透孔、及复数晶片容槽；
各该容槽透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，并呈矩阵排列；
各该导液流道，是交叉凹陷形成于该晶片托盘顶端面，且与各该容槽透孔连通；
各该流道透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，且位于各该导液流道交错处；
各该晶片容槽，是由各该容槽透孔局部孔壁及与各该容槽透孔连通的各该导液流道未端所共同界定；
一盖体，是选择性迭设于该晶片托盘顶端面，具有一栅栏区。
2.如权利要求1所述晶片托盘结构，其特征在于，该晶片托盘具有至少一连通两毗邻各该容槽透孔的长槽孔。
3.如权利要求1或2所述晶片托盘结构，其特征在于，该栅栏区由复数栏孔及复数栏杆所界定。
4.如权利要求1或2所述晶片托盘结构，其特征在于，该晶片托盘包含复数分设于该晶片托盘顶端面默认位置的定位凸柱。
5.如权利要求4所述晶片托盘结构，其特征在于，该盖体匹配各该定位凸柱具有复数定位透孔。
设计说明书
技术领域
本实用新型有关于晶片清洗设备相关的技术领域，特别是指一种晶片托盘结构。
背景技术
集成电路组件的制程中，最频繁的制程步骤就是晶片清洗。晶片(Wafer)洗净的目的乃是为了除去附着于晶片表面上的有机化合物、金属杂质或微粒。而这些污染物会对于产品后续制程的影响非常大。金属杂质的污染会造成p－n接面的漏电、缩减少数载子的生命期、降低闸极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影制程图案转移的真实性，甚至造成电路结构的短路。因此，在晶片清洗制程中，必须有效的去除附着于晶片表面的有机化合物、金属杂质以及微粒，同时在清洗后晶片表面必须没有原生氧化层，表面粗糙度要极小。
为便于清洗曾有业者提出方便收纳与清洗的「可直接清洗晶片的晶片收纳盘」，公开号M307002的中国台湾专利作为教示。虽说前案可方便清洗剂流动及晶片的放置，但仍存有其缺失:
1.加工复杂:前案的晶片收纳空间是通过矩阵排列的容槽所达成，而各容槽则是通过阶级层凹陷的槽壁来界定，导致制备该收纳盘的加工过程十分复杂。
2.晶片遮蔽区过大:晶片被放置于容槽的阶级层槽壁上，故晶片四边朝下的抵接端面都会被容槽的阶级层所遮蔽，导致清洗的死角。
3.流道过长:虽说前案各容槽之间设有相互流通的导液流道，但越是位于晶片收纳盘中的容槽，其清洗剂欲流至晶片收纳盘外侧的路径越长,导到带有杂质的清洗剂会在运动的过程中污染到其它晶片。
实用新型内容
有鉴于上述习知技艺的问题与缺失，本创作的一目的，即通过结构的创新提供一种晶片托盘结构，以克服习知前案的缺失。
为达成上述目的，本创作提出一种晶片托盘结构，包括:
一晶片托盘，具有一体形成的复数容槽透孔、复数导液流道、复数流道透孔、及复数晶片容槽；
各该容槽透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，并呈矩阵排列；
各该导液流道，是交叉凹陷形成于该晶片托盘顶端面，且与各该容槽透孔连通；
各该流道透孔，是顶、底贯穿该晶片托盘形成，且位于各该导液流道交错处；
各该晶片容槽，是由各该容槽透孔局部孔壁及与各该容槽透孔连通的各该导液流道未端所共同界定；
一盖体，是选择性迭设于该晶片托盘顶端面，具有一栅栏区。
进一步的，该晶片托盘具有至少一连通两毗邻各该容槽透孔的长槽孔。
进一步的，该栅栏区由复数栏孔及复数栏杆所界定。
进一步的，该晶片托盘包含复数分设于该晶片托盘顶端面默认位置的定位凸柱。
进一步的，该盖体匹配各该定位凸柱具有复数定位透孔。
藉由上述构件的组成，提供晶片容置方便清洗工艺的进行。
附图说明
图1是本创作实施例立体示意图。
图2是图1所示实施例分解示意图。
图3是图2所示实施例局部示意图(一)。
图4是图2所示实施例局部示意图(二)。
图5是本创作实施例剖面示意图。
图中各标记对应的名称：
10晶片托盘，11容槽透孔，112长槽孔，12导液流道，13流道透孔，14 晶片容槽，15定位凸柱，20盖体，22栅栏区，222栏孔，224栏杆，24定位透孔，30晶片。
具体实施方式
以下请参照相关附图进一步说明本创作晶片托盘结构实施例。为便于理解本创作实施方式，以下相同零件采用相同符号标示说明。
请参阅全部附图所示，有关本创作的晶片托盘结构，用以提供晶片30放置，以利清洗工艺的进行，其包括一晶片托盘10及一盖体20。
上述晶片托盘10，具有一体形成的复数容槽透孔11、复数导液流道12、复数流道透孔13、复数晶片容槽14、及复数定位凸柱15。
所述各容槽透孔11，是顶、底贯穿晶片托盘10形成，并呈矩阵排列。实施时，两毗邻的容槽透孔11间，进一步由一顶、底贯穿晶片托盘10的长槽孔112 连通，用以加大清洗工艺过程中清洗剂的流通性。
所述各导液流道12，是交叉凹陷形成于晶片托盘10顶端面，且与各容槽透孔11连通。
所述各流道透孔13，是顶、底贯穿晶片托盘10形成，且位于各导液流道 12交错处。
所述各晶片容槽14，是由各容槽透孔11局部孔壁及与各容槽透孔11连通的各导液流道12未端底端面所共同界定，使晶片30容置时，仅只有四边角的朝下端面会与匹配的导液流道12抵接，大幅降低遮蔽面积。
所述各定位凸柱15，分设于晶片托盘10顶端面默认位置。
上述盖体20，选择性迭设于晶片托盘10顶端面，具有一栅栏区22及复数定位透孔24。
所述栅栏区22，是由复数栏孔222与栏杆224所组成；其中，各栏孔222 是对应顶、底贯穿盖体20形成。
所述各定位透孔24，是匹配各定位凸柱15顶、底贯穿盖体20形成。
是以，上述即为本创作所提供一较佳实施例晶片托盘结构各部构件及组装方式的介绍，兹再将本创作的实施例作动特点介绍如下。
首先，用户可将晶片30透过自动化的设备将晶片30逐一放置于晶片托盘 10的晶片容槽14中，再配合盖体20盖于晶片托盘10上。透过清洗工艺默认的清洗剂冲洗对应晶片托盘10上的晶片30。
藉由盖体20栅栏区22的栏孔22，让清洗剂可以顺利进入晶片托盘10，再配合晶片托盘10上的容槽透孔11及导液流道12，能让清洗剂无阻碍的对晶片容槽14中的晶片30进行清洁动作。
以上所述说明，仅为本创作的较佳实施方式而已，意在明确本创作的特征，并非用以限定本创作实施例的范围，本技术领域内的一般技术人员根据本创作所作的均等变化，以及本领域内技术人员熟知的改变，仍应属本创作涵盖的范围。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920294014.7
申请日:2019-03-08
公开号:公开日:国家:TW
国家/省市:71(台湾)
授权编号:CN209675259U
授权时间:20191122
主分类号:H01L 21/673
专利分类号:H01L21/673
范畴分类:38F;23E;
申请人:钟明周
第一申请人:钟明周
申请人地址:中国台湾新北市土城区延吉街405号15楼
发明人:钟明周
第一发明人:钟明周
当前权利人:钟明周
代理人:王闯
代理机构:32260
代理机构编号:无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计