导读:本文包含了场效应晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:晶体管,效应,载流子,沟道,活性氧,机场,材料。
场效应晶体管论文文献综述写法
朱丹丹,张燕楠,王建霞,孙健[1]（2019）在《石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析》一文中研究指出石墨烯基场效应晶体管(GFET)技术是实现基于石墨烯的高频器件、存储器、传感器以及集成电路的基本器件结构,其在半导体电子器件领域具有广泛的应用前景。本文从专利申请的角度对GFET的发展进行了统计分析,介绍了GFET技术的国内外专利申请情况、主要技术分布和重要申请人分布,并对GFET的研究现状进行了梳理。(本文来源于《河南科技》期刊2019年36期）
李珍,翟亚红[2]（2019）在《铁电负电容场效应晶体管器件的研究》一文中研究指出铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年06期）
新型[3]（2019）在《长春光机所郭春雷中美联合光子实验室在钙钛矿光敏场效应晶体管方面的研究获得新进展》一文中研究指出新型钙钛矿是目前研究的热点材料之一,其相关研究在太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域取得了巨大的进展。基于钙钛矿材料的光电器件和电子器件制备工艺简单,易于大面积加工制造和集成到经典的电子器件中。但是,基于钙钛矿材料的场效应晶体管研究仍然较少,已报道的工作存在载流子迁移率较低、传输机理不明等问题。针对这一问题,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室的于伟利课题组采用空间限域、反温度结晶相结合的方法,制备了具有低缺陷密度的CsPbBr3薄单晶,克服了载流子在横向通道传输过程中易受晶界和晶粒缺陷影响的问题,制备出了高效的光敏场效应晶(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年11期）
[4]（2019）在《长春光机所在钙钛矿光敏场效应晶体管研究中获进展》一文中研究指出中国科学院长春光学精密机械与物理研究所郭春雷中美联合光子实验室的于伟利课题组采用空间限域、反温度结晶相结合的方法,制备了具有低缺陷密度的CsPbBr_3薄单晶,克服了载流子在横向通道传输过程中易受晶界和晶粒缺陷影响的问题,制备出了高效的光敏场效应晶体管。研究人员利用空间限域、反温度结晶相结合的方法生长出的CsPbBr_3薄单晶没有明显的晶粒界畴,厚度在2μm左右,尺寸可以达到毫米级或更大尺寸,(本文来源于《军民两用技术与产品》期刊2019年09期）
邱禹铭,江以航,鲁广昊[5]（2019）在《掺杂在有机场效应晶体管中的应用进展》一文中研究指出有机场效应晶体管(OFETs)作为一种新型的电子器件,以其柔性、可大规模简单制备等优势获得了广泛的关注。但是,OFETs面临着器件性能不足、调控手段复杂等问题。人们尝试使用掺杂对这些问题加以解决。本文结合本课题组的相关工作,对掺杂技术在OFETs上的应用进行归纳、总结和展望。(本文来源于《应用化学》期刊2019年09期）
赵毅,李骏康,郑泽杰[6]（2019）在《硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展》一文中研究指出随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)特征尺寸不断减小,应变技术、新沟道材料和新器件结构等技术被学术界及产业界认为是继续提升器件性能的有效方法。本文从应变技术、新沟道材料和新结构器件叁个方面研究载流子在输运中的散射机制:(1)应变技术:双轴拉伸应变能够改变载流子在不同能级之间的分布以及沟道的表面粗糙度,从而影响库伦散射和表面粗糙度散射;(2)新沟道材料:在不同晶面的锗(Germanium, Ge)晶体管中,电子在高场条件下的散射存在差异,声子散射在Ge(100)晶体管中占主导,而表面粗糙度散射在Ge(110)、(111)晶体管中占主导。在SiGe晶体管中,合金散射主要作用于有效电场强度比较小的区域;(3)新结构器件:载流子超薄绝缘层上锗(Germanium-on-Insulator, GeOI)晶体管输运时,会同时受到上下界面的影响,库伦散射和表面粗糙度散射随着Ge层厚度降低而增加。Ge层厚度的降低会改变电子在不同能谷间的分布,进而影响电子的散射。(本文来源于《物理学报》期刊2019年16期）
王冬,毛燕湖,燕少安,肖永光,唐明华[7]（2019）在《铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究》一文中研究指出以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor, FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor, MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD (Technology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
张骁竣,季昊,聂笔剑[8]（2019）在《鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析》一文中研究指出在先进工艺节点下,鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。但相对地,FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题,这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。随着FinFET的热分布对互联金属线的温度影响上升,电迁移失效概率上升的次级效应也由之产生。如今,热效应的影响已经成为了广大设计公司不得不考虑的因素之一,在生产商的引导之下,Cadence Voltus提供了针对热效应带来影响的精准、强大并且灵活的解决方案。基于此点对高平均翻转率的芯片进行热效应影响的检查与分析,并且对电源的结构规划和设计的物理实现进行改进。(本文来源于《电子技术应用》期刊2019年08期）
潘勇,曹丙庆,穆宁[9]（2019）在《有机场效应晶体管气体传感器技术检测有害气体的研究进展》一文中研究指出综述了有机场效应晶体管气体传感器技术检测有害气体的研究进展。阐述了有机场效应晶体管传感技术原理,重点介绍了近年来有机场效应晶体管传感技术在检测含氮、含硫、含磷各类有毒有害气体等领域的研究工作,并对其在未来的实际应用进行了展望,为从事相关领域研究的人员提供参考。(本文来源于《化学分析计量》期刊2019年S1期）
陈德美,刘国文[10]（2019）在《场效应晶体管在汽车上的应用及控制电路诊断》一文中研究指出随着汽车电子技术的不断发展,汽车电气控制也越来越智能化。如果不能掌握基本的电子知识,很难诊断汽车故障。汽车上应用的晶体管主要有2种类型:一是双极型晶体管(BJT),也称为晶体叁极管,是一种电流控制型器件,由输入电流控制输出电流,具有电流放大作用。它(本文来源于《汽车维护与修理》期刊2019年14期）
场效应晶体管论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场效应晶体管论文参考文献
[1].朱丹丹,张燕楠,王建霞,孙健.石墨烯基场效应晶体管技术的发展及相关专利分析[J].河南科技.2019
[2].李珍,翟亚红.铁电负电容场效应晶体管器件的研究[J].压电与声光.2019
[3].新型.长春光机所郭春雷中美联合光子实验室在钙钛矿光敏场效应晶体管方面的研究获得新进展[J].化工新型材料.2019
[4]..长春光机所在钙钛矿光敏场效应晶体管研究中获进展[J].军民两用技术与产品.2019
[5].邱禹铭,江以航,鲁广昊.掺杂在有机场效应晶体管中的应用进展[J].应用化学.2019
[6].赵毅,李骏康,郑泽杰.硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展[J].物理学报.2019
[7].王冬,毛燕湖,燕少安,肖永光,唐明华.铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[8].张骁竣,季昊,聂笔剑.鳍式场效应晶体管结合自热效应的电迁移分析[J].电子技术应用.2019
[9].潘勇,曹丙庆,穆宁.有机场效应晶体管气体传感器技术检测有害气体的研究进展[J].化学分析计量.2019
[10].陈德美,刘国文.场效应晶体管在汽车上的应用及控制电路诊断[J].汽车维护与修理.2019