导读:本文包含了光致衰退论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电导,电荷,解法,效应,性能,结构,微晶。
光致衰退论文文献综述
卢鹏,侯国付,袁育杰,杨瑞霞,赵颖[1]（2010）在《n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响》一文中研究指出采用射频化学气相沉积法,制备了一系列具有不同晶化率n型掺杂层的n-i-p结构微晶硅薄膜太阳电池.发现本征层的结构很大程度上依赖于n型掺杂层的结构,特别是n/i界面处的孵化层厚度以及本征层的晶化率.该系列太阳电池在100mW/cm2的白光下照射400h,实验结果证实了本征层晶化率最大(Xc(i)=65%)的电池性能表现出最低的光致衰退率.拥有非晶/微晶过渡区n型掺杂层的电池(本征层晶化率Xc(i)=54%)分别被白光、红光和蓝光照射,经过400h的光照,发现红光下电池性能仅有2%的衰退,蓝光下衰退率约为8%.(本文来源于《物理学报》期刊2010年06期）
荣延栋,阴生毅,胡跃辉,吴越颖,朱秀红[2]（2004）在《热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究》一文中研究指出采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移。(本文来源于《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ》期刊2004-09-01）
张世斌,孔光临,徐艳月,王永谦,刁宏伟[3]（2002）在《微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化》一文中研究指出利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 .(本文来源于《物理学报》期刊2002年01期）
林鸿生[4]（1994）在《PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟》一文中研究指出通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电有的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场＂死层＂），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池中电场分布的改变（空间电场效应）是引起电池性能衰退的物理机制。但在薄ｉ层的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池中空间电荷对电池内电场调制的体效应已很微弱，这是该电池结构可获得高稳定性能的原因。(本文来源于《太阳能学报》期刊1994年02期）
光致衰退论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-Si:H薄膜。应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导。通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光致衰退论文参考文献
[1].卢鹏,侯国付,袁育杰,杨瑞霞,赵颖.n型掺杂层结构对n-i-p型微晶硅电池性能和光致衰退特性的影响[J].物理学报.2010
[2].荣延栋,阴生毅,胡跃辉,吴越颖,朱秀红.热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究[C].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004
[3].张世斌,孔光临,徐艳月,王永谦,刁宏伟.微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化[J].物理学报.2002
[4].林鸿生.PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟[J].太阳能学报.1994
论文知识图
