最佳掺杂含量论文_高红,岳伟彬,范志新

导读:本文包含了最佳掺杂含量论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:含量,晶体,制备方法,结构,理论,薄膜,元件。

最佳掺杂含量论文文献综述

高红,岳伟彬,范志新^[1]（2003）在《人工骨磷酸叁钙锌掺杂最佳含量的理论计算》一文中研究指出引言磷酸叁钙是重要的生物医用材料 ,在人工骨植入体的制备中有着广泛的应用 ,但是也存在不足之处。虽然其有较满意的生物相容性和生物活性 ,但不具备诱导刺激骨再生和生长 ,或抑制骨吸收的功能 ,较大地限制了它的进一步应用。体外实验表明 ,锌对于成骨细胞的增殖(本文来源于《中国生物医学工程学报》期刊2003年04期）

陈玖琳^[2]（2003）在《几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究》一文中研究指出半导体发光材料和器件是六十年代发展起来的半导体技术中的一个分支，单一的纯净本征半导体的性能往往不能满足实际的需要，发光效率或发光几率低，发光强度弱，提高发光效率的有效途径就是进行材料的掺杂改性。实验上发现，对发光材料的掺杂必须有一定的范围。当掺杂含量较小时，随着掺杂含量的增加发光效率会得到提高；掺杂含量过高会引起发光的猝灭。确定最佳掺杂含量是各种电子功能材料科学研究当中最基本的内容之一。 长期以来，人们一直认为最佳掺杂含量问题十分复杂，很难用理论来计算最佳掺杂含量，所以没有用理论来计算最佳掺杂含量的研究报道。本论文的工作就是对最佳掺杂含量的理论研究。 本论文工作是在对电子薄膜材料掺杂的研究基础之上，主要是对几种有代表性的半导体发光材料的掺杂进行分析，从不同角度对最佳掺杂含量的理论进行探索，并应用理论公式对发光材料最佳掺杂含量进行理论计算，使理论计算出的最佳掺杂含量与实验数据相符合。 本论文工作的创新点在于：从半导体发光材料的晶体结构出发，建立起材料的物理性能、晶体结构中原子配位数、最佳掺杂含量和制备方法之间的关系，归纳出材料掺杂的最佳掺杂含量的理论表达式。应用该表达式，给出了各种不同的制备方法ZnS掺Mn、硅基掺铒、以及GaAs、GaP、GaN掺不同元素制出的发光材料，对最佳掺杂含量进行了理论上的计算，理论计算值与实验数据相符合。 本研究工作对研究发光材料的掺杂改性以及掺杂对材料性能影响的机理认识有着一定的理论意义和实用价值。(本文来源于《河北工业大学》期刊2003-05-01）

高红,范志新^[3]（2002）在《血液相容性氧化钛薄膜最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出我们把一个从对透明导电薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到血液相容性氧化钛薄膜材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。分析血液相容性氧化钛薄膜材料的钽掺杂改性的实验结果 ,应用最佳掺杂含量表达式定量计算了血液相容性氧化钛薄膜材料的钽最佳掺杂含量(本文来源于《生物医学工程学杂志》期刊2002年04期）

潘良玉,陈玖琳,范志新^[4]（2002）在《SnO_2∶Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出本文介绍一个最佳掺杂含量表达式 ,应用此表达式定量计算了 Sn O2 ∶ Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据十分符合。(本文来源于《传感技术学报》期刊2002年04期）

范志新,潘良玉,何良明^[5]（2002）在《叁氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个最佳掺杂含量的表达式。分析叁氧化钨电致变色薄膜材料的掺杂改性的实验结果 ,应用最佳掺杂含量表达式定量计算了叁氧化钨以及叁氧化钼电致变色薄膜材料的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论方法也适用于其他材料最佳掺杂粒子数分数的理论计算。(本文来源于《光学学报》期刊2002年11期）

范志新,潘晓春,潘良玉^[6]（2002）在《CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出本文介绍一个最佳掺杂含量表达式。应用此表达式定量计算了 Ca O- Sn O2 薄膜乙醇气敏元件材料的最佳掺杂含量。定量计算的结果与实验数据基本相符合(本文来源于《真空》期刊2002年04期）

陈玖琳,潘良玉,樊世杰,范志新^[7]（2002）在《Al合金布线材料Fe掺杂最佳含量的理论分析》一文中研究指出介绍一个最佳掺杂含量表达式,应用此表达式分析计算了Al-Fe合金布线材料Fe掺杂最佳含量,定量计算的结果与实验数据基本符合。(本文来源于《光电子技术》期刊2002年03期）

范志新,陈玖琳^[8]（2002）在《硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算》一文中研究指出介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的一个简单的理论表达式,对硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。(本文来源于《发光学报》期刊2002年04期）

范志新^[9]（2002）在《ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到 Zn O陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了 Zn O压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果 ,应用此表达式定量计算了Zn O压敏陶瓷的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。(本文来源于《压电与声光》期刊2002年03期）

范志新^[10]（2002）在《透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算》一文中研究指出分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果 ,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程 .该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式 .应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量 .结果表明定量计算的结果与部分实验数据相符合(本文来源于《半导体学报》期刊2002年06期）

最佳掺杂含量论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

半导体发光材料和器件是六十年代发展起来的半导体技术中的一个分支，单一的纯净本征半导体的性能往往不能满足实际的需要，发光效率或发光几率低，发光强度弱，提高发光效率的有效途径就是进行材料的掺杂改性。实验上发现，对发光材料的掺杂必须有一定的范围。当掺杂含量较小时，随着掺杂含量的增加发光效率会得到提高；掺杂含量过高会引起发光的猝灭。确定最佳掺杂含量是各种电子功能材料科学研究当中最基本的内容之一。 长期以来，人们一直认为最佳掺杂含量问题十分复杂，很难用理论来计算最佳掺杂含量，所以没有用理论来计算最佳掺杂含量的研究报道。本论文的工作就是对最佳掺杂含量的理论研究。 本论文工作是在对电子薄膜材料掺杂的研究基础之上，主要是对几种有代表性的半导体发光材料的掺杂进行分析，从不同角度对最佳掺杂含量的理论进行探索，并应用理论公式对发光材料最佳掺杂含量进行理论计算，使理论计算出的最佳掺杂含量与实验数据相符合。 本论文工作的创新点在于：从半导体发光材料的晶体结构出发，建立起材料的物理性能、晶体结构中原子配位数、最佳掺杂含量和制备方法之间的关系，归纳出材料掺杂的最佳掺杂含量的理论表达式。应用该表达式，给出了各种不同的制备方法ZnS掺Mn、硅基掺铒、以及GaAs、GaP、GaN掺不同元素制出的发光材料，对最佳掺杂含量进行了理论上的计算，理论计算值与实验数据相符合。 本研究工作对研究发光材料的掺杂改性以及掺杂对材料性能影响的机理认识有着一定的理论意义和实用价值。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

最佳掺杂含量论文参考文献

[1].高红,岳伟彬,范志新.人工骨磷酸叁钙锌掺杂最佳含量的理论计算[J].中国生物医学工程学报.2003

[2].陈玖琳.几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究[D].河北工业大学.2003

[3].高红,范志新.血液相容性氧化钛薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J].生物医学工程学杂志.2002

[4].潘良玉,陈玖琳,范志新.SnO_2∶Sb气敏薄膜的最佳掺杂含量的理论计算[J].传感技术学报.2002

[5].范志新,潘良玉,何良明.叁氧化钨电致变色薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J].光学学报.2002

[6].范志新,潘晓春,潘良玉.CaO-SnO_2气敏薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J].真空.2002

[7].陈玖琳,潘良玉,樊世杰,范志新.Al合金布线材料Fe掺杂最佳含量的理论分析[J].光电子技术.2002

[8].范志新,陈玖琳.硫化锌纳米微晶锰掺杂最佳含量的一个简单的理论计算[J].发光学报.2002

[9].范志新.ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算[J].压电与声光.2002

[10].范志新.透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J].半导体学报.2002

论文知识图

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