导读:本文包含了电离总剂量效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:剂量,电离,效应,存储器,器件,高温,尺寸。
电离总剂量效应论文文献综述
刘岐,沈鸣杰,董艺[1]（2019）在《电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究》一文中研究指出文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其迭加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年03期）
曹杨,习凯,徐彦楠,李梅,李博[2]（2019）在《55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究》一文中研究指出基于~(60)Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特性退化的规律与物理机制.总剂量辐照引起闪存单元I-V特性曲线漂移、存储窗口变小和静态电流增大等电学特性的退化现象,并对其数据保持能力产生影响.编程态闪存单元的I_d-V_g曲线在辐照后显着负向漂移,而擦除态负向漂移幅度较小.对比两种射线辐照,擦除态的I_d-V_g曲线漂移方向不同.相比于擦除态,富含存储电子的编程态对总剂量辐照更为敏感;且相比于~(60)Co-γ射线,本文观测到了显着的X射线剂量增强效应.利用TCAD和Geant 4工具,从能带理论详细讨论了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元电离总剂量效应和损伤的物理机制,并模拟和深入分析了X射线的剂量增强效应.(本文来源于《物理学报》期刊2019年03期）
朱少立,汤偲愉,刘国柱,曹立超,洪根深[3]（2018）在《90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究》一文中研究指出研究了基于90 nm e FLASH工艺制备的浮栅型P-Channel FLASH单元的总剂量电离辐射效应,主要研究了FLASH单元随总剂量增加的变化规律及编程/擦除时间对FLASH单元抗总剂量能力的影响。研究表明:随着总剂量的增加,浮栅型P-FLASH器件"开"态驱动能力(Idsat)、"关"态漏电(Ioff)及跨导(gm)未发生明显退化,但"擦除/编程"态的阈值窗口明显减小,且呈现"编程"态阈值电压(VTP)下降幅度较"擦除"态(VTE)快的特征;编程/擦除时间的增加会导致FLASH单元阈值电压漂移量,对编程态FLASH单元,编程时间的增大导致阈值电压漂移量增大,而对于擦除态器件FLASH单元,擦除时间的增加导致阈值电压漂移量减小。综上所述,总剂量的增加仅引起浮栅型P-FLASH单元阈值电压的漂移,即浮栅内电荷的转移;编程/擦除时间的增加导致FLASH单元阈值电压漂移量的差异,主要是由于编程/擦除应力时间的增加导致隧道氧化层及界面处陷阱电荷的引入所引起的。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年08期）
张兴尧,李豫东,文林,于新,郭旗[4]（2017）在《不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应》一文中研究指出对InP DHBT进行了钴源辐射试验,研究了InP DHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应。使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明:将InP DHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同。(本文来源于《现代应用物理》期刊2017年04期）
王祖军,薛院院,马武英,何宝平,姚志斌[5]（2017）在《电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究》一文中研究指出通过开展0.18/μm工艺制造的PPDCMOS图像传感器~(60)Coγ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性(DSNU)、光响应不均匀性(PRNU)、系统总增益、饱和输出、信噪比(SNR)、动态范围(DR)、量子效率(QE)、光响应度(R)等辐射敏感参数退化的实验规律,揭示了总剂量诱发PPDCMOS图像传感器性能退化的损伤机理,为开展CMOS图像传感器抗电离辐射加固和损伤评估技术研究提供了理论和实验技术支持。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）》期刊2017-10-16）
熊维[6]（2017）在《铁电场效应晶体管的电离辐射总剂量效应数值模拟研究》一文中研究指出信息存储是空天技术发展的基石,关系到我国在航天航空领域的发展。铁电存储器(FeRAM)具有读写速度快、可擦写次数多、操作电压低等优点,被认为是下一代最具有潜力的存储器之一。铁电场效应晶体管(FeFET)这类FeRAM因其结构简单、存储密度高、非破坏性读出等特点在航空航天领域受到了极大的关注。在航天应用中,FeFET会受到宇宙射线和空间辐射粒子的影响,从而出现性能下降、状态改变甚至功能失效等现象。本文以金属层-铁电层-绝缘层-硅基底型FeFET(MFIS-FET)与金属层-铁电层-氧化锌基底型FeFET(MFZ-FET)这两类结构为研究对象,建立了它们在电离辐射总剂量效应下的基本电学特性与保持性能模型,研究了不同总剂量对这两种结构的电学性能与保持性能影响。具体研究内容与结果如下:(1)结合铁电极化Lue模型,建立了MFIS-FET在电离辐射总剂量效应下的电学性能物理模型,模拟了不同总剂量辐照下MFIS-FET的I-V、C-V曲线。研究发现:随着辐照总剂量的增加,铁电层的极化、矫顽场与介电常数都会减小,MFIS-FET的电容电压曲线产生负向漂移、存储窗口变小、源漏电流开关比减小。(2)结合铁电薄膜极化保持特性Lou模型和上述电离辐射总剂量效应下的电学性能物理模型,建立了MFIS-FET在不同总剂量下的保持性能模型。研究发现:随着总剂量的增加,辐照诱导电荷的累积增强,MFIS-FET的退极化场增大、保持性能降低。(3)建立了MFZ-FET在电离辐射总剂量效应下的电学性能模型,模拟了不同总剂量下MFZ-FET的I-V、C-V曲线,对比分析了电离辐射总剂量效应对MFZ-FET与MFIS-FET的影响。研究发现:在相同的剂量辐照下,MFZ-FET的抗辐射性能优于MFIS-FET。(本文来源于《湘潭大学》期刊2017-05-01）
郑玉展,蔡震波[7]（2015）在《甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应》一文中研究指出甲基苯基乙烯硅橡胶具有耐高低温、防震等独特优势,在航天器的减震、密封等领域具有广泛应用前景。研究了甲基苯基乙烯基硅橡胶的电离总剂量效应。结果表明,随着辐射剂量的增加,甲基苯基乙烯基硅橡胶的力学性能出现了不同程度的退化。拉伸强度和撕裂强度变化规律以1×106 Gy(Si)剂量点为分界点。低于该剂量,拉伸和撕裂随剂量增加快速下降;高于该剂量时,随辐照剂量增加,拉伸强度出现一定程度反弹,呈现出宽"U"形,而撕裂强度则是先增加后下降。拉断伸长率和邵氏硬度A随辐照剂量增加分别出现快速下降和增加,最终接近饱和。最后,从辐射交联和裂解方面讨论了甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应的潜在物理机制。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2015年12期）
牛振红,张力,白锦良,李建华,李志峰[8]（2015）在《一款铁电存储器的电离总剂量效应研究》一文中研究指出铁电存储器由于自身的非易失特点,在航空航天等领域得到广泛应用。本文针对某款铁电存储器进行了电离总剂量辐照试验,测试了其数据读、写功能及功耗电流随电离总剂量的变化,研究了铁电存储器的电离总剂量效应,初步分析了其损伤机理。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第四卷）——中国核学会2015年学术年会论文集第7册（计算物理分卷、核物理分卷、粒子加速器分卷、核聚变与等离子体物理分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、辐射物理分卷）》期刊2015-09-21）
刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤[9]（2014）在《Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响》一文中研究指出针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。(本文来源于《北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集》期刊2014-11-27）
刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤[10]（2014）在《Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响》一文中研究指出针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2014年S1期）
电离总剂量效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于~(60)Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特性退化的规律与物理机制.总剂量辐照引起闪存单元I-V特性曲线漂移、存储窗口变小和静态电流增大等电学特性的退化现象,并对其数据保持能力产生影响.编程态闪存单元的I_d-V_g曲线在辐照后显着负向漂移,而擦除态负向漂移幅度较小.对比两种射线辐照,擦除态的I_d-V_g曲线漂移方向不同.相比于擦除态,富含存储电子的编程态对总剂量辐照更为敏感;且相比于~(60)Co-γ射线,本文观测到了显着的X射线剂量增强效应.利用TCAD和Geant 4工具,从能带理论详细讨论了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元电离总剂量效应和损伤的物理机制,并模拟和深入分析了X射线的剂量增强效应.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电离总剂量效应论文参考文献
[1].刘岐,沈鸣杰,董艺.电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究[J].航天器环境工程.2019
[2].曹杨,习凯,徐彦楠,李梅,李博.55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究[J].物理学报.2019
[3].朱少立,汤偲愉,刘国柱,曹立超,洪根深.90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究[J].电子与封装.2018
[4].张兴尧,李豫东,文林,于新,郭旗.不同偏置条件下InPDHBT电离总剂量效应与退火效应[J].现代应用物理.2017
[5].王祖军,薛院院,马武英,何宝平,姚志斌.电离总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器性能退化的实验研究[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第6册（核化工分卷、核化学与放射化学分卷、辐射物理分卷）.2017
[6].熊维.铁电场效应晶体管的电离辐射总剂量效应数值模拟研究[D].湘潭大学.2017
[7].郑玉展,蔡震波.甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应[J].强激光与粒子束.2015
[8].牛振红,张力,白锦良,李建华,李志峰.一款铁电存储器的电离总剂量效应研究[C].中国核科学技术进展报告（第四卷）——中国核学会2015年学术年会论文集第7册（计算物理分卷、核物理分卷、粒子加速器分卷、核聚变与等离子体物理分卷、脉冲功率技术及其应用分卷、辐射物理分卷）.2015
[9].刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤.Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响[C].北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集.2014
[10].刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤.Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响[J].原子能科学技术.2014
论文知识图
