论文摘要
三元化合物铝镓砷（AlGaAs）是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长砷化镓（low-temperature grown GaAs, LT-GaAs）超短载流子寿命的特点,并且可以调整材料的禁带宽度,为超快诊断系统的设计增加了极大的灵活性.泵浦-探测实验结果表明,低温外延生长可以有效加速AlGaAs材料的非平衡载流子复合,非平衡载流子弛豫时间小于300 fs,而非平衡载流子的复合时间低至2.08 ps.由于经过特殊的钝化工艺处理,极大地降低了表面复合对载流子衰退过程的影响,而低温外延生长引入的As原子团簇,形成了深能级缺陷,是加速载流子复合的主要因素.基于单复合中心的间接复合理论,建立LT-AlGaAs载流子演化模型,获得与复合速率相关的关键物理参量:载流子俘获面积δe=6.6×10-14cm2, δh=4.7×10-15cm2,计算结果与实验相符.该方法可用于半导体材料载流子演化特性定量分析,有助于推进超快响应半导体材料的优化改进.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 钟梓源,何凯,苑云,汪韬,高贵龙,闫欣,李少辉,尹飞,田进寿
关键词: 光折变,铝镓砷,泵浦探测,载流子寿命
来源: 物理学报 2019年16期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 材料科学,无线电电子学
单位: 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室,中国科学院大学,火箭军研究院,山西大学极端光学协同创新中心
基金: 国家自然科学基金青年科学基金(批准号:71705255)资助的课题~~
分类号: TB303;TN304
页码: 332-340
总页数: 9
文件大小: 1606K
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