导读:本文包含了热退火论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:太阳能电池,薄膜,离子,径迹,磁控溅射,衬底,单晶硅。
热退火论文文献综述
邵超,林刚[1]（2019）在《不锈钢热退火酸洗机组抛丸机电气控制系统》一文中研究指出对于不锈钢冷轧企业热退火酸洗机组来说,一般都有抛丸机。它主要是用于清除带钢表面的氧化铁皮,提高酸洗效率。介绍3AP抛丸机的电气控制系统,以及对抛丸机电气控制系统进行优化,减少其故障时间。(本文来源于《设备管理与维修》期刊2019年11期）
李文涛,王振玉,张栋,潘建国,柯培玲[2]（2019）在《电弧复合磁控溅射结合热退火制备Ti_2AlC涂层》一文中研究指出利用电弧复合磁控溅射技术制备不同Ti/Al比的Ti-Al-C涂层,结合后续的退火处理制备Ti_2AlC相涂层。利用SEM、EDS、XRD、Raman光谱仪和TEM等研究了Ti/Al比及退火温度对退火后Ti-Al-C涂层的相和微观结构的影响。结果表明,Ti-Al-C沉积态涂层为富Al层和TiCx层交替堆垛的多层结构,涂层表面大颗粒较少且结构致密。Ti/Al比对退火后涂层中的相结构有重要的影响:当Ti/Al比为2.04时,退火后涂层中Ti_2AlC的纯度和结晶度最高;Ti/Al比过高(3.06)时,退火后涂层中形成TiC和Ti_3AlC杂质相,而低Ti/Al比(0.54)则大幅度降低Ti_2AlC相的纯度和结晶度。同时,退火温度很大程度影响Ti_2AlC相的形成,当沉积态涂层中Ti/Al比为2.38时,Ti_2AlC相涂层形成的最佳退火温度为750℃,偏低的退火温度(600℃)下,原子不能充分扩散,难以形成211结构的Ti_2AlC相,而退火温度过高时(900℃)涂层中存在较多的TiC、TiAlx等杂质相。(本文来源于《金属学报》期刊2019年05期）
吴振东,梁海英,鞠薇,焦学胜,陈东风[3]（2019）在《PET薄膜中~(32)S离子径迹的热退火效应》一文中研究指出采用径迹蚀刻的方法研究了热处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜中重离子径迹的热退火效应。使用113.7 MeV的~(32)S离子在PET薄膜中产生垂直于表面且贯穿薄膜的离子径迹。对薄膜进行局部热处理,加热温度为70～240℃,时间为1～300 s。薄膜经过化学蚀刻成核孔膜后使用显微镜观测。结果表明:在相同的热处理时间下,随着热处理温度的升高,PET薄膜中离子径迹的热退火效应愈加明显;在热处理温度不变的情况下,随着热处理时间的增加,退火效应亦愈加明显。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年11期）
贾栓[4]（2019）在《硼掺杂单晶硅微缺陷及其快速热退火行为研究》一文中研究指出本文利用快速热处理(Rapid thermal processing,RTP)技术及低—高常规热处理工艺,对硼掺杂单晶硅中的微缺陷进行了系统研究。重点探讨了轻掺硼和重掺硼直拉(CZ)单晶硅在Ar、O_2气氛中进行单步或两步RTP及后续低—高热处理工艺后,单晶硅体内微缺陷(BMD)和近表面有源区洁净区(DZ)的形成情况。同时对表面有原生微缺陷的硼掺杂单晶硅进行快速热处理(RTP)研究,进一步分析了RTP技术对单晶硅中微缺陷的调控作用和近表面洁净区(DZ)形成的促进作用。通过在Ar气氛和O_2气氛中进行单步RTP及低—高热处理,研究了RTP退火气氛、退火时间及降温速率对硼掺杂单晶硅中BMD和DZ形成的影响。在Ar气氛中,研究发现随着RTP时间的增加轻掺硼单晶硅BMD密度和DZ宽度均增加,随着RTP降温速率的增大,BMD密度增加,DZ宽度减小;而重掺硼单晶硅随着RTP时间的增加BMD密度增加,无DZ出现,随着RTP降温速率的增大,BMD密度在下降,同样无DZ出现。在O_2气氛中,发现随着RTP时间的延长,轻掺和重掺硼单晶硅中BMD密度均下降,DZ宽度均增加;随着RTP降温速率的增大,轻掺和重掺硼单晶硅中BMD密度均增加,DZ宽度均减小。但是,在O_2气氛中热处理时单晶硅BMD密度过低不利于后期器件制造过程中的内吸杂。进一步研究了硼掺杂单晶硅在(Ar/O_2)或(O_2/Ar)气氛中进行两步RTP及后续低—高热处理,结果发现随着RTP时间和降温速率的变化,单晶硅BMD密度和近表面DZ宽度会发生相应的变化。通过改变RTP时间和降温速率就可以使单晶硅BMD得到合理分布,同时在近表面形成较宽的DZ,以满足后续器件制造过程中的内吸杂要求。(本文来源于《郑州大学》期刊2019-04-01）
李飙,任艺,常本康[5]（2019）在《热退火对GaN阴极光电发射性能的影响》一文中研究指出热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容,改善材料的结晶属性,而且可以改善样品的表面质量,对提高样品的光谱响应是一种有力的手段。对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理,使样品的性能得到了改善,最优条件下样品的暗电流为200 pA,电阻率为1.6Ω·cm,最大光谱响应为0.19 A/W。依据光谱响应作为评估标准,可以得出,采用700℃热退火10 min制备出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。(本文来源于《电子器件》期刊2019年01期）
齐娟娟,董超,Getinet,Y.Ashebir,陈俊伟,万智阳[6]（2019）在《热退火气氛对溶液法制备的Sb_2S_3薄膜组成、结构及光伏性能的影响》一文中研究指出采用化学浴(CBD)法在TiO_2薄膜表面制备结晶性Sb_2S_3膜层,获得了TiO_2/Sb_2S_3平板异质结,并结合聚[2,6-{4,4-双-(2-乙基己基)-4H-环戊并[2,1-b; 3,4-b']-二噻吩}-交替-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)](PCPDTBT)空穴传输层和MoO_3电极界面修饰层,制备了FTO/TiO_2/Sb_2S_3/PCPDTBT/MoO_3/Au平板结构太阳能电池,研究了CBD方法中热退火气氛对Sb_2S_3薄膜的组成、结构及光伏性能的影响.结果表明,在N2气氛下退火时,所得的Sb_2S_3膜层不致密且含有Sb_2O_3杂相,电池效率仅为0. 90%;而在N2-S气氛下退火时,硫会与杂相Sb_2O_3发生反应生成Sb_2S_3,进而得到纯净、致密、平整的结晶Sb_2S_3膜层.在平板结构太阳能电池中,光生空穴对电池光电流的产生有明显的贡献;随着Sb_2O_3杂相的消除,Sb_2S_3薄膜中载流子的复合减少且传输速率增大,使太阳能电池器件中电子与空穴的收集效率和短路电流显着提高,电池效率提高了1. 34倍,达到2. 04%.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2019年02期）
梁李敏,解新建,刘辉,田园,郝秋艳[7]（2018）在《Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响》一文中研究指出利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明:Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相,中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性,800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性,具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加,因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴载流子的相互作用增强引起的。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2018年10期）
邵超,乔爱民[8]（2018）在《不锈钢热退火酸洗线出口活套控制技术简析》一文中研究指出活套控制在不锈钢退火酸洗线有着重要的地位。本文主要介绍宁波宝新不锈钢有限公司不锈钢热退火酸洗线3AP出口活套的硬件、软件方面的配置,活套控制系统的主要组成部分,重点介绍了活套的张力控制原理等方面的内容。(本文来源于《全国冶金自动化信息网2018年会论文集》期刊2018-06-20）
潘书万,庄琼云,陈松岩,黄巍,李成[9]（2018）在《硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学》一文中研究指出采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米晶均为叁角晶型结构,当退火温度高于140℃时,Se开始沿(100)方向择优取向结晶。分析得出,在Si(100)衬底上的Se晶粒(100)晶面的激活能比(101)晶面的激活能低,因而在(100)面上的结晶速率比(101)面上的结晶速率大,使得Se在(100)方向择优结晶。笔者认为这是因为Si(100)衬底对Se的结晶具有诱导作用,致使硒的结晶具有各向异性。(本文来源于《材料导报》期刊2018年11期）
张莹莹,李熊[10]（2018）在《活性层膜厚和热退火对PBT7:PC_(70)BM聚合物太阳能电池性能的影响》一文中研究指出有机聚合物太阳能电池以其材料来源广泛、成本低、质量轻、制备工艺简单等优点成为清洁能源利用的研究热点。活性层的膜厚和热退火温度是影响聚合物太阳能电池的重要因素。通过优化活性层的膜厚和对热退火处理,可以显着改善器件性能。我们制备出基于ITO/PEDOT:PSS/PBT7:PC70BM/Ca/Al结构的聚合物太阳能电池,研究了膜厚和不同的前退火时间对聚合物太阳能电池性能的影响,发现活性层薄膜厚度较大时,不退火或者较低退火温度条件下器件性能更好;相反,在活性层薄膜厚度较小时,适当高的退火温度有利于器件性能的提升。结合吸收谱、电流密度-电压特性曲线、暗电流特性曲线分析了薄膜厚度及退火温度对聚合物太阳能电池性能的影响。(本文来源于《第五届新型太阳能电池学术研讨会摘要集（有机太阳能电池篇）》期刊2018-05-26）
热退火论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用电弧复合磁控溅射技术制备不同Ti/Al比的Ti-Al-C涂层,结合后续的退火处理制备Ti_2AlC相涂层。利用SEM、EDS、XRD、Raman光谱仪和TEM等研究了Ti/Al比及退火温度对退火后Ti-Al-C涂层的相和微观结构的影响。结果表明,Ti-Al-C沉积态涂层为富Al层和TiCx层交替堆垛的多层结构,涂层表面大颗粒较少且结构致密。Ti/Al比对退火后涂层中的相结构有重要的影响:当Ti/Al比为2.04时,退火后涂层中Ti_2AlC的纯度和结晶度最高;Ti/Al比过高(3.06)时,退火后涂层中形成TiC和Ti_3AlC杂质相,而低Ti/Al比(0.54)则大幅度降低Ti_2AlC相的纯度和结晶度。同时,退火温度很大程度影响Ti_2AlC相的形成,当沉积态涂层中Ti/Al比为2.38时,Ti_2AlC相涂层形成的最佳退火温度为750℃,偏低的退火温度(600℃)下,原子不能充分扩散,难以形成211结构的Ti_2AlC相,而退火温度过高时(900℃)涂层中存在较多的TiC、TiAlx等杂质相。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
热退火论文参考文献
[1].邵超,林刚.不锈钢热退火酸洗机组抛丸机电气控制系统[J].设备管理与维修.2019
[2].李文涛,王振玉,张栋,潘建国,柯培玲.电弧复合磁控溅射结合热退火制备Ti_2AlC涂层[J].金属学报.2019
[3].吴振东,梁海英,鞠薇,焦学胜,陈东风.PET薄膜中~(32)S离子径迹的热退火效应[J].原子能科学技术.2019
[4].贾栓.硼掺杂单晶硅微缺陷及其快速热退火行为研究[D].郑州大学.2019
[5].李飙,任艺,常本康.热退火对GaN阴极光电发射性能的影响[J].电子器件.2019
[6].齐娟娟,董超,Getinet,Y.Ashebir,陈俊伟,万智阳.热退火气氛对溶液法制备的Sb_2S_3薄膜组成、结构及光伏性能的影响[J].高等学校化学学报.2019
[7].梁李敏,解新建,刘辉,田园,郝秋艳.Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响[J].微纳电子技术.2018
[8].邵超,乔爱民.不锈钢热退火酸洗线出口活套控制技术简析[C].全国冶金自动化信息网2018年会论文集.2018
[9].潘书万,庄琼云,陈松岩,黄巍,李成.硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学[J].材料导报.2018
[10].张莹莹,李熊.活性层膜厚和热退火对PBT7:PC_(70)BM聚合物太阳能电池性能的影响[C].第五届新型太阳能电池学术研讨会摘要集（有机太阳能电池篇）.2018
论文知识图
