导读:本文包含了成核与生长论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:成核,生长,动力学,结晶,气相,磷酸钙,水合物。
成核与生长论文文献综述
王云天,曾祥国,杨鑫[1]（2019）在《高应变率下温度对单晶铁中孔洞成核与生长影响的分子动力学研究》一文中研究指出采用嵌入原子势的分子动力学模拟方法,研究了5×10~9 s~(–1)应变率下,温度效应对单晶铁中孔洞成核与生长的影响,并对NAG (nucleation and growth)模型在单晶铁中的适用性进行了探讨.结果表明:随着温度的升高,单晶铁的抗拉强度峰值降低, 1100 K温度下单晶铁抗拉强度峰值比100 K温度下降低了35.9%.在100—700 K温度下,拉应力时程曲线表现出双峰值特点,分析表明,第一峰值是由于拉应力升高引起内部结构发生相变而产生,第二峰值则是因发生孔洞成核与生长而产生; 900—1100 K温度下,拉应力时程曲线表现为单峰值,孔洞成核与生长是拉应力下降的主要原因.分析发现,孔洞在高温下更容易成核,高应变率下单晶铁中孔洞成核与生长和NAG模型有较好的符合度,单晶铁中孔洞成核阈值与生长阈值都远高于低碳钢,并且孔洞成核阈值与生长阈值随着温度的升高而逐渐降低.研究结果可为建立高应变率下金属材料动态损伤演化模型提供借鉴.(本文来源于《物理学报》期刊2019年24期）
程红娟,金雷,史月增,赵堃,张丽[2]（2019）在《m面AlN单晶自发成核生长表征》一文中研究指出采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体。通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存在单核生长和多核生长两种模式。并将m面AlN晶体生长过程分为3个阶段,分别为生长中心形成阶段、生长阶段和生长台阶并组阶段。第一性原理计算表明,每生长一层(4个)Al-N基元的m面和c面AlN晶体释放的能量分别为2.76 eV和8.64 eV,通过对衬底厚度的调节可以初步控制m面AlN晶体的成核概率。以此为依据进行m面AlN单晶接长实验,获得了12 mm×20 mm尺寸的m面AlN单晶,最大厚度达5 mm,为进一步籽晶生长和器件制备提供技术及理论基础。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
李猛[3]（2019）在《正磷酸钙成核与表面生长动力学及机制》一文中研究指出磷是植物的必需营养元素之一,植物根系吸收和利用土壤中的有效磷并在体内形成有机/无机磷组分,而动物/人体摄取含磷物质后,能形成遗传物质核酸和骨骼、牙齿等重要组织和器官的组分。无论在土壤中或生物体内,磷最重要的无机形态均为磷酸钙,磷酸钙可通过多阶段相转变过程逐步结晶为热力学稳定的羟基磷灰石(HAP)相。对于溶解度较高的二水磷酸氢钙(DCPD,CaHPO_4·2H_2O),其主要以经典的单体添加方式结晶,动力学结晶过程中生物分子极易破坏晶体-溶液界面的局部微环境或物理性阻碍溶质分子的吸附。对于溶解度较低的HAP则主要以纳米粒子粘附的方式结晶,有机分子形成矿化模版调控着成核热力学过程。尽管如此,对磷酸钙成核与表面生长动力学机制的研究还并不完善,因此本研究主要借助原子力显微镜的成像和力学测试模式,定量分析了磷酸钙结晶动力学,得到的主要结果如下:1.柠檬酸(CA)和羟基柠檬酸(HCA)对DCPD结晶的调控机制利用原子力显微镜(AFM)原位研究了在不同抑制剂浓度和过饱和度条件下,CA和HCA对DCPD结晶的调控机制。结果表明发现两种抑制剂均表现出两种不同的抑制方式:在高过饱和度下通过降低台阶密度控制晶体结晶速度;在高抑制剂浓度和低过饱和度下能够降低[1?00]_(Cc)台阶的移动速度,两种抑制方式的转变由平台寿命决定。分子模拟结果表明HCA和晶面之间能通过分子识别形成强相互作用力,解释了AFM观察到的新台阶形成和[101]_(Cc)方向的溶解是由于添加分子与晶体晶格之间产生强应力作用。2.HAP存在两种生长方式:经典的螺旋生长方式和非经典的粒子粘附生长在AFM不同成像模式下长时间原位观测HAP(100)面的生长情况,发现在近生理条件下,HAP既可通过经典的螺旋生长方式也可通过非经典的粒子粘附生长,这表明这两种生长方式并不彼此排斥。在以非经典粒子粘附生长的过程中,粒子通过自组装和聚集,从最初大小不同的类球形粒子逐步转化为叁角形和六边形固体。3.骨桥蛋白(OPN)抑制磷酸钙矿化的热力学基础利用AFM量化了HAP过饱和溶液在脂筏膜基底上的成核动力学,发现成核速率与OPN序列有关,且成核的热力学能垒会随着界面自由能(γ)的减小而减小。结合基于AFM的单分子技术,对OPN肽段与HAP(100)面间的结合能(ΔG_B)进行测定。结果表明,γ和ΔG_B呈线性关系,成核能垒的增加对应着强肽段-晶核结合,证明了OPN序列调控Ca-P矿物在脂筏膜表面成核的热力学基础。(本文来源于《华中农业大学》期刊2019-06-01）
迭俊珲[4]（2019）在《非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究》一文中研究指出非极性氮化镓(GaN)材料因其能够完全避免极化电场的影响,在光电子和电子器件方面展现出了巨大的应用潜力。由于目前大尺寸GaN衬底的制备还存在很大的困难,所以主要的研究工作集中于在蓝宝石、碳化硅等其他衬底上外延GaN薄膜。然而异质外延的非极性GaN普遍存在表面形貌差、缺陷密度高以及晶体质量各向异性等问题,它们严重限制了非极性GaN材料的应用。本论文针对以上问题,一方面提出了一种新的侧向外延的生长方法,即通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在图形化的r面蓝宝石衬底上直接生长a面GaN;另一方面,系统研究了氮化铝(AlN)成核层生长条件对a面GaN的影响,并且探究了这些影响背后的机制。具体的研究内容和实验结果如下:1.针对传统侧向外延生长方法工艺过程复杂、合并厚度大的缺点,我们提出了在钛图形化的r面蓝宝石衬底上直接外延非极性a面GaN的生长方法。首先在r面蓝宝石衬底上制作一层金属钛的孔阵掩膜,然后在孔内选择性外延GaN,最终得到平整的a面GaN薄膜。相比平片,钛图形化衬底上生长的GaN不但表面质量和晶体质量有了较大的提高,而且其各向异性也得到了显着降低。通过扫描电子显微镜(SEM)、非对称X射线衍射倒易空间图(RSMs)和拉曼光谱(Raman Spectra)测试发现,使用钛图形化衬底后沿m轴方向的马赛克横向尺寸显着增加了,从而降低了a面GaN表面形貌和晶体质量的各向异性。这种方法的优点在于合并厚度薄、成本低而且更易实现,因此使用钛图形化衬底外延是获得高质量a面GaN的一种有效且实用的方法。2.和GaN相比,AlN材料具有更高的层错形成能和更低的表面原子迁移率,因此我们采用AlN作为成核层在r面蓝宝石衬底上生长a面GaN。研究发现a面GaN的表面形貌与晶体质量和AlN形核层的生长条件有着密切的关系。随着AlN生长温度的降低,AlN晶粒变得更大更稀疏,延迟了GaN小岛的合并,增加了横向生长距离,从而有效地降低了GaN薄膜中的缺陷密度。我们进一步研究了低温AlN的生长时间对a面GaN的影响。研究表明适当的AlN生长时间可以显着降低a面GaN薄膜的晶体质量、表面形貌和面内应变的各向异性,其原因是不同生长时间AlN可以调整GaN面内不同方向的横向生长长度,进而改变GaN薄膜的各向异性。这一研究表明适宜生长条件的AlN成核层可以有效提高a面GaN的表面形貌和晶体质量。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
孟锡俊,李建婷[5]（2019）在《成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响》一文中研究指出目前LED产品已经形成了成熟且稳定的产业,新兴的紫外LED的市场也随之发展迅速,使得越来越多的技术人员开始开发研究。本文通过对成核层工艺的研究,结合外延过程中的翘曲情况,得到了成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响效果。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2019年04期）
逯祥洲,刘英杰,高晟强,吕康辉,薛美玲[6]（2019）在《PUR-T对POM球晶成核与生长过程的影响》一文中研究指出以聚酯型热塑性聚氨酯(PUR-T)作为聚甲醛(POM)球晶生长抑制剂,采用热台偏光显微镜,即时在线跟踪POM球晶的成核与生长过程,研究了PUR-T在其不同用量以及不同结晶温度下对POM球晶成核及生长过程的影响。结果表明,PUR-T存在下,POM的成核密度明显增大,并随结晶温度的提高基本呈下降趋势;在结晶温度为155℃及以下时,PUR-T对POM成核时间基本无影响,156℃以上时,使成核时间明显增加,158℃的增加尤为显着。PUR-T使POM球晶生长速率明显下降,且结晶温度越高,生长速率下降幅度越大;PUR-T质量分数为5%～15%时,用量变化对生长速率的影响甚微。同时,PUR-T使POM结晶过程的成核参数和折迭链表面自由能增加,表明PUR-T的加入使POM成核难度增大,球晶生长所需克服的能量增加。(本文来源于《工程塑料应用》期刊2019年02期）
胡月,王治丹[7]（2019）在《DLA模型模拟薄膜生长成核阶段的动态过程》一文中研究指出为深入了解薄膜生长的机理,采用有限扩散凝聚(DLA)模型,用Matlab模拟出了薄膜生长成核阶段的动态过程。结果以动画形式显示出了薄膜生长的成核阶段微粒先进行随机行走,当其与已成核的团簇相遇时,便加入凝聚团簇,呈现出成核团簇逐渐成长的动态过程。(本文来源于《西部皮革》期刊2019年02期）
毛贻静,潘栋宇,张潇天,曹志海,戚栋明[8]（2019）在《原位成核生长法制备草莓状多级结构聚合物-有机硅复合微球》一文中研究指出报道了通过原位成核生长法高效构筑草莓状多级结构聚合物-有机硅复合微球的方法。以聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为稳定剂制备得到的粒径均一的聚苯乙烯(PS)微球为中心核粒子,吸附自组装的十六烷基叁甲基溴化铵(CTAB)胶束后,与水解过的硅烷偶联剂(BTEE/TEOS)混合,得到草莓状的PS@oSiO_2复合微球。通过引入CTAB胶束对核种子粒子进行改性及对后续生长有机硅进行预水解,通过调控CTAB胶束液用量及有机硅水解缩合反应条件,可有效控制PS微球和有机硅前驱物之间的反应动力学,最终可控制备表面凸起小粒子粒径及覆盖度可调的草莓状PS@oSiO_2复合微球。该研究不仅有利于了解原位成核生长法制备草莓状复合微球的形成机制,还对开发高性能浸润性表界面具有重要意义。(本文来源于《浙江理工大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
张婷婷,魏明锐,郭冠伦[9]（2018）在《基于过渡态理论的碳烟成核过程中萘生长路径》一文中研究指出采用G3(MP2,CC)方法计算了添加C_2H_2、C_2 H_3和C_4H_4使苯基(C6H5)生长到萘(C10H8)(分别为C_2H_2-路径、C_2 H_3-路径和C_4H_4-路径)以及C5H5和C_5H_4反应生成萘和甘菊环(C10H8)(C_5H_4-路径)的详细多环芳香烃(PAH)生长路径,比较了4个路径的入口势垒和最大反应势垒,考察了反应位点对脱氢和C_2H_2添加反应的影响以及氢原子的存在对脱氢反应的影响,计算了以Arrhenius形式表达的反应速率常数.结果表明:C_5H_4-路径入口势垒极低,即C_5H_5极易与C_5H_4发生反应.与C_2H_2和C_2 H_3相比,C_4H_4更容易与苯基发生反应.C_2 H_3-路径和C_4H_4-路径中所有子路径的限速步骤均为顺反异构化反应.反应位点对有氢原子参与的脱氢反应影响不大,对C_2H_2添加反应影响较大.此外,有氢原子参与的脱氢反应比直接脱氢反应更容易发生.(本文来源于《内燃机学报》期刊2018年05期）
王山榕[10]（2018）在《多孔介质内水合物成核诱导时间与生长动力学研究》一文中研究指出天然气水合物作为一种资源储量巨大的新型替代能源,其勘探、开采及储运技术研究备受关注。我国天然气水合物主要赋存于南海陆坡与青藏高原冻土区域的沉积层内,其中南海天然气水合物资源储量预计在700亿吨油当量。阐明多孔介质内天然气水合物生成与二次生成的动力学特性,对于解析自然界天然气水合物形成规律和指导水合物的安全高效开采具有重要意义。以此为背景,本文开展了多孔介质内甲烷水合物生成与二次生成动力学研究,重点阐释了水合物成核诱导时间与生长动力学特性。利用甲烷水合物生成测试平台、核磁共振成像系统等,对多孔介质内水合物生成动力学特性展开研究。实现了多孔介质内水合物成核诱导时间的精确测量,综合研究了温度和孔隙特性等因素对于水合物生成动力学特性的影响,并进一步研究了水合物二次生成过程中存在的“记忆效应”的现象。实现了多孔介质内甲烷水合物原位生成过程的实时观测,分析了核磁共振成像法与压力变化法测量水合物成核诱导时间的一致性。为多孔介质内水合物生成和后续的模拟研究提供数据与理论支持。搭建了甲烷水合物成核诱导时间测试系统,获得了共计44组工况、1106组多孔介质内甲烷水合物成核诱导时间数据点,并利用频率直方图、P-P图与K-S检验对诱导时间数据进行非参数检验,发现了水合物成核诱导时间的不完全随机性,获得多孔介质内甲烷水合物成核诱导时间的对数正态分布规律,提出了诱导时间分布规律与温度、孔隙粒径、初始水饱和度和“记忆效应”等因素的定量分析方法,并揭示了不同因素对于诱导时间分布的影响机制。引入甲烷水合物成核诱导时间对数正态分布的期望值,改进Kashchiev诱导时间计算模型,修正了模型中与多孔介质内甲烷水合物非均质性成核有效扩散系数相关的动力学参数、以及与有效表面能相关的热力学参数,实现了多孔介质内的甲烷水合物成核与二次成核的诱导时间的预测,显着提高了模型预测精度。在水合物生成多步骤机制的基础上,利用甲烷分子非极性与疏水性特点,简化水合物一次生成过程中“不稳定分子簇”生成环节,结合“残余结构”理论,简化水合物二次生成过程中“类笼型结构晶体单胞”生成环节,实现了多孔介质内甲烷水合物生成与二次生成诱导期-生长期全过程的预测。同时可以准确获得甲烷水合物生成过程中各中间产物的变化规律与各步骤的反应速率常数,阐明了多孔介质内甲烷水合物成核、二次成核和生长阶段的主要控制因素。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-09-07）
成核与生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用金属系统物理气相传输(PVT)法自发成核方式,生长获得长宽均大于1 cm、厚度为毫米量级的m面AlN单晶块体。通过对不同m面AlN单晶生长宏观形貌、微观表面的测试分析,初步可判定其生长存在单核生长和多核生长两种模式。并将m面AlN晶体生长过程分为3个阶段,分别为生长中心形成阶段、生长阶段和生长台阶并组阶段。第一性原理计算表明,每生长一层(4个)Al-N基元的m面和c面AlN晶体释放的能量分别为2.76 eV和8.64 eV,通过对衬底厚度的调节可以初步控制m面AlN晶体的成核概率。以此为依据进行m面AlN单晶接长实验,获得了12 mm×20 mm尺寸的m面AlN单晶,最大厚度达5 mm,为进一步籽晶生长和器件制备提供技术及理论基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
成核与生长论文参考文献
[1].王云天,曾祥国,杨鑫.高应变率下温度对单晶铁中孔洞成核与生长影响的分子动力学研究[J].物理学报.2019
[2].程红娟,金雷,史月增,赵堃,张丽.m面AlN单晶自发成核生长表征[J].半导体技术.2019
[3].李猛.正磷酸钙成核与表面生长动力学及机制[D].华中农业大学.2019
[4].迭俊珲.非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[5].孟锡俊,李建婷.成核层生长工艺对紫外LED外延片性能的影响[J].电子元器件与信息技术.2019
[6].逯祥洲,刘英杰,高晟强,吕康辉,薛美玲.PUR-T对POM球晶成核与生长过程的影响[J].工程塑料应用.2019
[7].胡月,王治丹.DLA模型模拟薄膜生长成核阶段的动态过程[J].西部皮革.2019
[8].毛贻静,潘栋宇,张潇天,曹志海,戚栋明.原位成核生长法制备草莓状多级结构聚合物-有机硅复合微球[J].浙江理工大学学报(自然科学版).2019
[9].张婷婷,魏明锐,郭冠伦.基于过渡态理论的碳烟成核过程中萘生长路径[J].内燃机学报.2018
[10].王山榕.多孔介质内水合物成核诱导时间与生长动力学研究[D].大连理工大学.2018
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