Si在熔渗制备B4C-Si复合材料界面作用机制的第一性原理研究

论文摘要

采用第一性原理的方法对熔渗制备B4C-Si复合材料的界面进行了研究,通过建立Si原子在B4C晶体（0001）表面的不同占位情况,获得了Si在熔渗制备B4C-Si复合材料界面的作用机制。结果表明,在熔渗温度下,孤立的Si原子更容易落在B4C晶体中二十面体形成的正六边形中心的上方,而不容易置换"C-B-C"三原子链里的C原子以形成Si C。Si原子在B4C晶体（0001）表面所处的位置是Si原子与表面C原子和周围B原子的综合作用,Si原子与C原子形成了离子键。上述结果为随后降温过程中Si原子集团与B4C晶体的结合提供了更好的晶格匹配,使得Si更容易在界面处结合。

论文目录

• 1 计算方法与几何模型
•   1.1 几何模型
•   1.2 计算方法
• 2 结果与讨论
•   2.1 结构优化后的模型分析
•   2.2 电子成键分析
•   2.3 结果讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘飞,文志鹏

关键词: 第一性原理,复合材料,熔渗法,结合界面

来源: 铸造技术 2019年05期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 天津理工大学中环信息学院机械工程系

基金: 四川省经信委计划资助项目(2018ZB013)

分类号: TB33

DOI: 10.16410/j.issn1000-8365.2019.05.005

页码: 449-453

总页数: 5

文件大小: 1187K

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