全文摘要
本实用新型公开了一种高精密电流泵，包括MCU控制器、霍尔电流传感器、DAC电路、驱动电路、变压器和整流器；变压器的原边绕组和霍尔电流传感器均与驱动电路连接，变压器的副边绕组与整流器的输入端连接，整流器的输出端与城市电网连接；驱动电路的电流控制端通过DAC电路与MCU控制器连接；驱动电路的电压控制端与MCU控制器连接。本实用新型采用霍尔电流传感器、MCU控制器中的8位ADC和8位DAC数字化采样控制，精度高、稳定可靠，不受电网电压影响，能精准地控制注入到电网的电流，效率高。
主设计要求
1.一种高精密电流泵，其特征在于，包括MCU控制器、霍尔电流传感器、DAC电路、驱动电路、变压器和整流器；所述变压器的原边绕组和霍尔电流传感器均与驱动电路连接，所述变压器的副边绕组与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端与城市电网连接；所述驱动电路的电流控制端通过DAC电路与MCU控制器连接；所述驱动电路的电压控制端与MCU控制器连接。
设计方案
1.一种高精密电流泵，其特征在于，包括MCU控制器、霍尔电流传感器、DAC电路、驱动电路、变压器和整流器；
所述变压器的原边绕组和霍尔电流传感器均与驱动电路连接，所述变压器的副边绕组与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端与城市电网连接；
所述驱动电路的电流控制端通过DAC电路与MCU控制器连接；
所述驱动电路的电压控制端与MCU控制器连接。
2.根据权利要求1所述的高精密电流泵，其特征在于，所述变压器T1的第一原边绕组的一端与其第一副边绕组的一端连接；
所述变压器T1第一原边绕组的另一端作为变压器的第一输入端IN1；
所述变压器T1第二原边绕组的一端断开；
所述变压器T1的第二原边绕组的另一端与其第三原表绕组的一端连接，且作为变压器的第二输入端IN2；
所述变压器T1的第三原边绕组的另一端与其第四原表绕组的一端连接，且作为变压器的第三输入端IN3；
所述变压器T1的第四原边绕组的另一端与其第二副边绕组的一端连接；
所述变压器T1的第一副边绕组的另一端和第二副边绕组的一端作为变压器的输出端与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端通过一个电感L1与城市电网连接。
3.根据权利要求2所述的高精密电流泵，其特征在于，所述驱动电路包括驱动芯片子电路、三极管驱动子电路、推挽驱动子电路和输入滤波子电路；
所述驱动芯片子电路通过三极管驱动子电路与推挽驱动子电路连接；
所述输入滤波子电路的信号输出端OUT3与变压器的第二输出端IN2连接；
所述推挽驱动子电路的第一信号输出端OUT1与变压器的第一输出端IN1 连接；
所述推挽驱动子电路的第二信号输出端OUT2变压器的第三输出端IN3接。
4.根据权利要求3所述的高精密电流泵，其特征在于，所述三极管驱动子电路包括三极管Q4和三极管Q7；
所述三极管Q4基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与三极管Q4发射极连接，所述三极管Q4基极还与接地电阻R17连接，所述三极管Q4的发射极与推挽驱动电路的第一信号输入端A连接，所述三极管Q4的集电极接地；
所述三极管Q7的基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D9的正极连接，二极管D9的负极与三极管Q7的发射极连接，所述三极管Q7的基极还与接地电阻R16连接，所述三极管Q7的发射极与推挽驱动电路的第二信号输入端B连接，所述三极管Q7的集电极接地。
5.根据权利要求4所述的高精密电流泵，其特征在于，所述推挽驱动子电路包括电容C5和电容C14；
所述电容C5的一端作为推挽驱动网络的第一信号输入端A，其分别与电阻R10的一端、电容C6的一端和电阻R11的一端连接，所述电容C5的另一端分别与电阻R10的另一端、二极管D5的负极和场效应管Q2的栅极连接，所述二极管D5的正极与场效应管Q2的源极连接并接地，所述场效应管Q2的漏极与场效应管Q3的漏极连接，所述场效应管Q3的栅极分别与二极管D4的负极、电阻R11的另一端和电容C6的另一端连接，所述场效应管Q3的源极与二极管D4的正极连接并接地；
所述电容C14的一端作为推挽驱动网络的第二信号输入端B，其分别与电阻R19的一端、电容C16的一端和电阻R20的一端连接，所述电容C14的另一端分别与电阻R19的另一端、二极管D11的负极和场效应管Q5的栅极连接，所述二极管D11的正极与场效应管Q5的源极连接并接地，所述场效应管Q5的漏极与场效应管Q6的漏极连接，所述场效应管Q6的栅极分别与二极管D10的负极、电阻R20的另一端和电容C16的另一端连接，所述场效应管Q6的源极与二极管D10的正极连接并接地；
所述场效应管Q3的漏极作为推挽驱动网络的第一信号输出端OUT1；
所述场效应管Q6的漏极作为推挽驱动网络的第二信号输出端OUT2。
6.根据权利要求4所述的高精密电流泵，其特征在于，所述驱动芯片子电路包括型号为TL494的芯片IC3；
所述芯片IC3的VCC端、C2端和C1端连接，且均与18V电源连接；
所述芯片IC3的E2端与三极管Q4的基极连接；
所述芯片IC3的E1端与三极管Q7的基极连接；
所述芯片IC3的GND端接地；
所述芯片IC3的RT端与接地电阻R15连接；
所述芯片IC3的CT端与接地电容C15连接；
所述芯片IC3的IN+端分别与电阻R21的一端、接地电阻R14和电阻R25的一端连接，电阻R25的另一端分别与接地电容C19和城市电网连接；
所述芯片IC3的IN-端分别与接地电阻R13、电容C12的一端和电阻R12的一端连接；
所述芯片IC3的PWN端分别与电容C12的另一端和电容C7的一端连接；
所述芯片IC3的-IN2端分别与电阻R9的一端、电容C7的另一端和接地电阻R7连接；
所述芯片IC3的+IN2端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电阻R21的另一端连接；
所述芯片IC3的DT端分别与接地电阻R5和电容C4的一端连接；
所述芯片IC3的5V电源输入端分别与芯片IC3的CO端、电阻R9的另一端和电容C4的另一端连接，所述电容C4的另一端还连接有一个接地电容C3；
所述芯片IC3的+IN2端作为驱动电路的电压控制端口与MCU控制器连接；
所述芯片IC3的-IN2端作为驱动电路的电流控制端口与DAC电路连接。
7.根据权利要求6所述的高精密电流泵，其特征在于，所述DAC电路包括型号为LM321的芯片IC1；
所述芯片IC1的同相输入端分别与接地电容C1和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端分别与接地电容C2和电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与晶闸管IC2的控制端和晶闸管IC2的负极连接，晶闸管IC2的正极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R8与驱动芯片子电路中的电容C4的一端连接，三极管Q1的基极通过电阻R4与MCU控制器的PWM脉冲信号产生端连接；
所述芯片IC1的接地端接地；
所述芯片IC1的反相输入端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与芯片IC1的信号输出端和驱动芯片子电路中的电阻R6的一端连接；
所述芯片IC1的电源端与驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接；
其中，晶闸管IC2的型号为TL431。
8.根据权利要求6所述的高精密电流泵，其特征在于，所述霍尔电流传感器为型号为CC6900-20的芯片IC4；
所述芯片IC4的第1引脚和第2引脚均接地；
所述芯片IC4的第3引脚、第4引脚和第5引脚均与驱动芯片子电路中的接地电阻R13的接地端连接；
所述芯片IC4的第7引脚分别与电阻R22的一端和电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端与驱动芯片子电路中的电阻R6的另一端连接；
所述芯片的IC4的第8引脚与驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接。
9.根据权利要求8所述的高精密电流泵，其特征在于，所述电阻R22的另一端作为高精密电流泵的I-IN端；
所述驱动芯片子电路中的电阻R25的一端作为高精密电流泵的BH端；
所述高精密电流泵的I-IN端和BH端均外接保护电路。
10.根据权利要求7所述的高精密电流泵，其特征在于，所述MCU控制器的型号为STM32F051K88U6或EG8010。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于电流泵设计技术领域，具体涉及一种高精密电流泵。
背景技术
随着经济的发展，社会的进步，能源节约已经成为必然和社会共识。各种电器越来越朝向节省能源、使用方便、安全高效、一机多能等特点的方向发展。电流泵作为电器中必不可少的器件，其由两个部分组成，前级Buck电路输出直流电流，经全桥逆变为方波电流源输出。
电流泵的工作原理为：通过控制Buck电路开关管占空比控制其输出电感直流电流值，全桥拓扑将直流电流逆变为交流方波电流源。全桥采用不控方式，两对管分别以50％固定占空比轮换导通，这里在管子切换导通时有死区时间，也就是说实际的占空比略小与50％。
实用新型内容
针对现有技术中的上述不足，本实用新型提供的高精密电流泵精准地从待测试电源抽取设定的电流，实现模拟各种设备测试，并将电能加压，为并网发电提供了必要的条件。
为了达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为：一种高精密电流泵，包括MCU控制器、霍尔电流传感器、DAC电路、驱动电路、变压器和整流器；
所述变压器的原边绕组和霍尔电流传感器均与驱动电路连接，所述变压器的副边绕组与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端与城市电网连接；
所述驱动电路的电流控制端通过DAC电路与MCU控制器连接；
所述驱动电路的电压控制端与MCU控制器连接。
进一步地，所述变压器T1的第一原边绕组的一端与其第一副边绕组的一端连接；
所述变压器T1第一原边绕组的另一端作为变压器的第一输入端IN1；
所述变压器T1第二原边绕组的一端断开；
所述变压器T1的第二原边绕组的另一端与其第三原表绕组的一端连接，且作为变压器的第二输入端IN2；
所述变压器T1的第三原边绕组的另一端与其第四原表绕组的一端连接，且作为变压器的第三输入端IN3；
所述变压器T1的第四原边绕组的另一端与其第二副边绕组的一端连接；
所述变压器T1的第一副边绕组的另一端和第二副边绕组的一端作为变压器的输出端与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端通过一个电感L1与城市电网连接。
进一步地，所述驱动电路包括驱驱动芯片子电路、三极管驱动子电路、推挽驱动子电路和输入滤波子电路；
所述所述驱动芯片子电路通过三极管驱动子电路与推挽驱动子电路连接；
所述输入滤波子电路的信号输出端OUT3与变压器的第二输出端IN2连接；
所述推挽驱动子电路的第一信号输出端OUT1与变压器的第一输出端IN1连接；
所述推挽驱动子电路的第二信号输出端OUT2变压器的第三输出端IN3接。
进一步地，所述三极管驱动子电路包括三极管Q4和三极管Q7；
所述三极管Q4基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与三极管Q4发射极连接，所述三极管Q4基极还与接地电阻R17连接，所述三极管Q4的发射极与推挽驱动电路的第一信号输入端A连接，所述三极管Q4的集电极接地；
所述三极管Q7的基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D9的正极连接，二极管D9的负极与三极管Q7的发射极连接，所述三极管Q7的基极还与接地电阻R16连接，所述三极管Q7的发射极与推挽驱动电路的第二信号输入端B连接，所述三极管Q7的集电极接地。
进一步地，所述推挽驱动子电路包括电容C5和电容C14；
所述电容C5的一端作为推挽驱动网络的第一信号输入端A，其分别与电阻R10的一端、电容C6的一端和电阻R11的一端连接，所述电容C5的另一端分别与电阻R10的另一端、二极管D5的负极和场效应管Q2的栅极连接，所述二极管D5的正极与场效应管Q2的源极连接并接地，所述场效应管Q2的漏极与场效应管Q3的漏极连接，所述场效应管Q3的栅极分别与二极管D4的负极、电阻R11的另一端和电容C6的另一端连接，所述场效应管Q3的源极与二极管D4的正极连接并接地；
所述电容C14的一端作为推挽驱动网络的第二信号输入端B，其分别与电阻R19的一端、电容C16的一端和电阻R20的一端连接，所述电容C14的另一端分别与电阻R19的另一端、二极管D11的负极和场效应管Q5的栅极连接，所述二极管D11的正极与场效应管Q5的源极连接并接地，所述场效应管Q5的漏极与场效应管Q6的漏极连接，所述场效应管Q6的栅极分别与二极管D10的负极、电阻R20的另一端和电容C16的另一端连接，所述场效应管Q6的源极与二极管D10的正极连接并接地；
所述场效应管Q3的漏极作为推挽驱动网络的第一信号输出端OUT1；
所述场效应管Q6的漏极作为推挽驱动网络的第二信号输出端OUT2。
进一步地，所述驱动芯片子电路包括型号为TL494的芯片IC3；
所述芯片IC3的VCC端、C2端和C1端连接，且均与18V电源连接；
所述芯片IC3的E2端与三极管Q4的基极连接；
所述芯片IC3的E1端与三极管Q7的基极连接；
所述芯片IC3的GND端接地；
所述芯片IC3的RT端与接地电阻R15连接；
所述芯片IC3的CT端与接地电容C15连接；
所述芯片IC3的IN+端分别与电阻R21的一端、接地电阻R14和电阻R25的一端连接，电阻R25的另一端分别与接地电容C19和城市电网连接；
所述芯片IC3的IN-端分别与接地电阻R13、电容C12的一端和电阻R12的一端连接；
所述芯片IC3的PWN端分别与电容C12的另一端和电容C7的一端连接；
所述芯片IC3的-IN2端分别与电阻R9的一端、电容C7的另一端和接地电阻R7连接；
所述芯片IC3的+IN2端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电阻R21的另一端连接；
所述芯片IC3的DT端分别与接地电阻R5和电容C4的一端连接；
所述芯片IC3的5V电源输入端分别与芯片IC3的CO端、电阻R9的另一端和电容C4的另一端连接，所述电容C4的另一端还连接有一个接地电容C3；
所述芯片IC3的+IN2端作为驱动电路的电压控制端口与MCU控制器连接；
所述芯片IC3的-IN2端作为驱动电路的电流控制端口与DAC电路连接。
进一步地，所述DAC电路包括型号为LM321的芯片IC1；
所述芯片IC1的同相输入端分别与接地电容C1和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端分别与接地电容C2和电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与晶闸管IC2的控制端和晶闸管IC2的负极连接，晶闸管IC2的正极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R8与驱动芯片子电路中的电容C4的一端连接，三极管Q1的基极通过电阻R4与MCU控制器的PWM脉冲信号产生端连接；
所述芯片IC1的接地端接地；
所述芯片IC1的反相输入端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与芯片IC1的信号输出端和驱动芯片子电路中的电阻R6的一端连接；
所述芯片IC1的电源端与驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接；
其中，晶闸管IC2的型号为TL431。
进一步地，所述霍尔电流传感器为型号为CC6900-20的芯片IC4；
所述芯片IC4的第1引脚和第2引脚均接地；
所述芯片IC4的第3引脚、第4引脚和第5引脚均与驱动芯片子电路中的接地电阻R13的接地端连接；
所述芯片IC4的第7引脚分别与电阻R22的一端和电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端与驱动芯片子电路中的电阻R6的另一端连接；
所述芯片的IC4的第8引脚与驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接。
进一步地，所述电阻R22的另一端作为高精密电流泵的I-IN端；
所述驱动芯片子电路中的电阻R25的一端作为高精密电流泵的BH端；
所述高精密电流泵的I-IN端和BH端均外接保护电路。
进一步地，所述MCU控制器的型号为STM32F051K88U6或EG8010。
本实用新型提供的高精密电流泵采用霍尔电流传感器、MCU控制器中的8位ADC和8位DAC数字化采样控制，精度高、稳定可靠，不受电网电压影响，能精准地控制注入到电网的电流，效率高。
附图说明
图1为本实用新型中高精密电流泵电路结构图。
图2为本实用新型中变压器与整流器连接电路原理图。
图3为本实用新型中输入滤波电路原理图。
图4为本实用新型中驱动电路原理图。
图5为本实用新型中DAC电路原理图。
图6为本实用新型中霍尔电流传感器电路原理图。
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
如图1所示，一种高精密电流泵，包括MCU控制器、霍尔电流传感器、DAC电路、驱动电路、变压器和整流器；
变压器的原边绕组和霍尔电流传感器均与驱动电路连接，变压器的副边绕组与整流器的输入端连接，整流器的输出端与城市电网连接；
驱动电路的电流控制端通过DAC电路与MCU控制器连接；
驱动电路的电压控制端与MCU控制器连接。
如图2所示，变压器T1的第一原边绕组的一端与其第一副边绕组的一端连接；
变压器T1第一原边绕组的另一端作为变压器的第一输入端IN1；
变压器T1第二原边绕组的一端断开；
变压器T1的第二原边绕组的另一端与其第三原表绕组的一端连接，且作为变压器的第二输入端IN2；
变压器T1的第三原边绕组的另一端与其第四原表绕组的一端连接，且作为变压器的第三输入端IN3；
变压器T1的第四原边绕组的另一端与其第二副边绕组的一端连接；
变压器T1的第一副边绕组的另一端和第二副边绕组的一端作为变压器的输出端与整流器的输入端连接，所述整流器的输出端通过一个电感L1与城市电网连接。
其中，驱动电路包括驱驱动芯片子电路、三极管驱动子电路、推挽驱动子电路和输入滤波子电路；
驱动芯片子电路通过三极管驱动子电路与推挽驱动子电路连接；
如图3所示，输入滤波子电路的信号输出端OUT3与变压器的第二输出端IN2连接；
如图4所示，推挽驱动子电路的第一信号输出端OUT1与变压器的第一输出端IN1连接；
推挽驱动子电路的第二信号输出端OUT2变压器的第三输出端IN3接。
其中，三极管驱动子电路包括三极管Q4和三极管Q7；
三极管Q4基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D3的正极连接，二极管D3的负极与三极管Q4发射极连接，三极管Q4基极还与接地电阻R17连接，三极管Q4的发射极与推挽驱动电路的第一信号输入端A连接，所述三极管Q4的集电极接地；
三极管Q7的基极分别与驱动芯片子电路以及二极管D9的正极连接，二极管D9的负极与三极管Q7的发射极连接，三极管Q7的基极还与接地电阻R16连接，三极管Q7的发射极与推挽驱动电路的第二信号输入端B连接，三极管Q7的集电极接地。
其中，推挽驱动子电路包括电容C5和电容C14；
电容C5的一端作为推挽驱动网络的第一信号输入端A，其分别与电阻R10的一端、电容C6的一端和电阻R11的一端连接，电容C5的另一端分别与电阻R10的另一端、二极管D5的负极和场效应管Q2的栅极连接，二极管D5的正极与场效应管Q2的源极连接并接地，场效应管Q2的漏极与场效应管Q3的漏极连接，场效应管Q3的栅极分别与二极管D4的负极、电阻R11的另一端和电容C6的另一端连接，场效应管Q3的源极与二极管D4的正极连接并接地；
电容C14的一端作为推挽驱动网络的第二信号输入端B，其分别与电阻R19的一端、电容C16的一端和电阻R20的一端连接，电容C14的另一端分别与电阻R19的另一端、二极管D11的负极和场效应管Q5的栅极连接，二极管D11的正极与场效应管Q5的源极连接并接地，场效应管Q5的漏极与场效应管Q6的漏极连接，场效应管Q6的栅极分别与二极管D10的负极、电阻R20的另一端和电容C16的另一端连接，场效应管Q6的源极与二极管D10的正极连接并接地；
场效应管Q3的漏极作为推挽驱动网络的第一信号输出端OUT1；
场效应管Q6的漏极作为推挽驱动网络的第二信号输出端OUT2。
其中，驱动芯片子电路包括型号为TL494的芯片IC3；
芯片IC3的VCC端、C2端和C1端连接均与18V电源连接；
芯片IC3的E2端与三极管Q4的基极连接；
芯片IC3的E1端与三极管Q7的基极连接；
芯片IC3的GND端接地；
芯片IC3的RT端与接地电阻R15连接；
芯片IC3的CT端与接地电容C15连接；
芯片IC3的IN+端分别与电阻R21的一端、接地电阻R14和电阻R25的一端连接，电阻R25的另一端分别与接地电容C19和城市电网连接；
芯片IC3的IN-端分别与接地电阻R13、电容C12的一端和电阻R12的一端连接；
芯片IC3的PWN端分别与电容C12的另一端和电容C7的一端连接；
芯片IC3的-IN2端分别与电阻R9的一端、电容C7的另一端和接地电阻R7连接；
芯片IC3的+IN2端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端与电阻R21的另一端连接；
芯片IC3的DT端分别与接地电阻R5和电容C4的一端连接；
芯片IC3的5V电源输入端分别与芯片IC3的CO端、电阻R9的另一端和电容C4的另一端连接，电容C4的另一端还连接有一个接地电容C3；
芯片IC3的+IN2端作为驱动电路的电压控制端口与MCU控制器连接；
芯片IC3的-IN2端作为驱动电路的电流控制端口与DAC电路连接。
如图5所示，DAC电路包括型号为LM321的芯片IC1；
芯片IC1的同相输入端分别与接地电容C1和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端分别与接地电容C2和电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端分别与晶闸管IC2的控制端和晶闸管IC2的负极连接，晶闸管IC2的正极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的集电极通过电阻R8与驱动芯片子电路中的电容C4的一端连接，三极管Q1的基极通过电阻R4与MCU控制器的PWM脉冲信号产生端连接；
芯片IC1的接地端接地；
芯片IC1的反相输入端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与芯片IC1的信号输出端和驱动芯片子电路中的电阻R6的一端连接；
芯片IC1的电源端驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接。
如图6所示，霍尔电流传感器为芯片IC4；
芯片IC4的第1引脚和第2引脚均接地；
芯片IC4的第3引脚、第4引脚和第5引脚均与驱动芯片子电路中的接地电阻R13的接地端连接；
芯片IC4的第7引脚分别与电阻R22的一端和电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端与驱动芯片子电路中的电阻R6的另一端连接；
芯片的IC4的第8引脚与驱动芯片子电路中的电阻R12的另一端连接；
其中，晶闸管IC2的型号为TL431。
在本实用新型中，MCU控制器的型号为STM32F051K88U6或EG8010；
还需说明的是，本实用新型提供的高精密电流泵电路中电阻R22的另一端作为高精密电流泵的I-IN端；驱动芯片子电路中的电阻R25的一端作为高精密电流泵的BH端；高精密电流泵的I-IN端和BH端均外接保护电路；其中，外接的保护电路包括AC输入欠压保护电路、AC输入过流保护电路、测试输入过压保护电路、AC输入过压保护电路、充电器过热保护电路和负载功率管过热保护电路等。
在本实用新型的一个实施例中，高精密电流泵通过MCU控制器设定的参数改变其输出的PWM脉冲宽度经DAC电路进而调节电流泵中整流器的输出。
本实用新型提供的高精密电流泵采用霍尔电流传感器、MCU控制器中的8位ADC和8位DAC数字化采样控制，精度高、稳定可靠，不受电网电压影响，能精准地控制注入到电网的电流，实现模拟各种测试设备。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201822246773.4
申请日:2018-12-29
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:51(四川)
授权编号:CN209590105U
授权时间:20191105
主分类号:G01R 1/28
专利分类号:G01R1/28
范畴分类:31F;
申请人:四川太牛电子科技有限公司
第一申请人:四川太牛电子科技有限公司
申请人地址:621052 四川省绵阳市经开区贾家店街89号
发明人:陈开荣;陈开新;陈宗映
第一发明人:陈开荣
当前权利人:四川太牛电子科技有限公司
代理人:李蕊
代理机构:51229
代理机构编号:成都正华专利代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：三极管论文; 变压器论文; 驱动电路论文; 接地变压器论文; 推挽输出论文; 接地保护论文; 推挽电路论文; 电容电阻论文; 场效应管论文; 整流器论文; 芯片论文;