导读:本文包含了闩锁效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:集成电路,标准单元,单粒子闩锁
闩锁效应论文文献综述
王轩,巨艇,周国昌,赖晓玲,唐硕[1]（2019）在《标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计》一文中研究指出文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题,开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析,提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法;基于SMIC0. 13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示,在遭受LET值为120MeV/mg/cm~2的重离子辐射时,所设计的电路未发生闩锁效应。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年03期）
陈钱,马英起,陈睿,朱翔,李悦[2]（2019）在《激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究》一文中研究指出互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10~4 W/cm~2;并发现在工作电压3.3和3.6 V,光功率密度1.9×10~6—1.6×10~7W/cm~2的辐照下,闩锁电流发生了明显的降低,即出现了闩锁电流的"窗口现象"基于闩锁等效电路模型,利用多路径闩锁机制,构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明:激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致,其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换,从而诱发这一现象.(本文来源于《物理学报》期刊2019年12期）
黄东巍,蔡依林,任翔[3]（2018）在《集成电路动态闩锁效应检测方法研究》一文中研究指出本文首次提出集成电路动态闩锁检测方法,用于检测集成电路的真实闩锁防护能力等级,从而为军用集成电路产品闩锁检验提供依据。文中研究了FPGA和D/A转换器等典型集成电路的动态闩锁配置程序设计和试验程序设计等,对FPGA和D/A转换器进行了动态闩锁试验验证,并和静态条件下的试验结果进行对比。试验结果表明,动态条件下的闩锁效应相对静态有较明显的恶化。(本文来源于《电子元器件与信息技术》期刊2018年08期）
侯立功,陈天娥[4]（2015）在《抗闩锁效应微处理器复位电路设计研究》一文中研究指出主要探究解决控制系统在频繁通断电情况下容易死机的问题。通过对传统微处理器复位电路的理论分析和工作波形仿真,发现在电源掉电时,微处理器在其复位引脚受到外部复位电容的放电冲击时,容易进入闩锁状态。由此提出上电复位电路也是容易导致CMOS电路进入闩锁的外部触发条件之一,并在此基础上设计了一种新型抗闩锁复位电路,能够自动检测电源掉电,导通泄流回路,使复位电容避开复位引脚放电。仿真分析和样机测试验证了其抗闩锁功能的有效性。(本文来源于《测控技术》期刊2015年12期）
杨海峰[5]（2015）在《线阵碲镉汞探测器的光致反常响应及闩锁效应研究》一文中研究指出红外探测器能将人眼不可见的光波转变为人们可以利用的形式,从而可以获得更多的目标信息。这一重大优势促使其迅速发展并在工业、生活、科学研究和国防建设等领域得到了广泛的应用。碲镉汞探测器由于其优良的性能成为目前红外探测的主流产品,关于其特性的研究也自然成为红外探测技术领域的研究热点之一。激光辐照效应研究是研究材料和器件性能的重要手段,本文利用这一手段,系统研究了极端光照条件下线阵碲镉汞探测器的反常响应特性和闩锁效应,其研究结果可提升我们对碲镉汞材料和器件特性的认识,对改进材料和器件的性能具有重要意义。论文主要研究工作如下:1、实验发现了不同于以往的过饱和降压和零压输出现象,即探测器光响应电压达到饱和后,随着光能量的增大,光响应电压V2下降;当降至与基底信号V1的输出电压值相同时,V1随V2一起下降,直至降到零伏。研究表明,当激光能量大于探测器饱和阈值后,在探测芯片两端形成的开路电压使得P极偏置电压Vb升高是导致探测器过饱和降压、零压输出的主要原因。2、实验发现不同的致损单元在无光辐照时存在高低不同的电压输出;当有光辐照时,致损单元仍可继续光响应,但损伤单元光谱响应的敏感区向短波方向移动(蓝移),如致损单元比未损单元对1064nm的光响应更加敏感。研究表明致损单元耗尽层的电阻变化是导致受损单元无光辐照时仍存在不同程度电压输出的主要因素;致损单元碲镉汞Hg1-xCdxTe材料组分x增大是致损单元光谱响应区蓝移的主要原因。3、实验采用不同于以往波长和脉宽的激光成功复现线阵碲镉汞探测器的光致闩锁效应,并系统研究了闩锁效应的产生机理。研究表明光敏元阵列结构和读出电路内部结构均存在PNPN可控硅结构,较大光电流触发导通可控硅结构,是产生闩锁效应的主要原因。另外,论文在此基础上还探讨了闩锁效应可能的防护措施。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2015-11-01）
樊海霞,朱纯仁[6]（2015）在《基于CMOS集成电路闩锁效应理论的实践》一文中研究指出本文针对CMOS集成电路的闩锁效应产生的原因,结合实际调试过程中的案例,探索芯片内部发生闩锁效应后的故障表现并提出避免方法以及解决方案。(本文来源于《电子测试》期刊2015年18期）
刘楠,刘大鹏,张辉,祝伟明[7]（2015）在《由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析》一文中研究指出随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对一例由栅氧损伤引起器件闩锁效应的失效进行分析。通过微光显微镜(EMMI)技术和激光诱导阻值变化(OBIRCH)技术进行失效定位,在电路板级通信状态下进行闩锁效应复现及验证。最后通过分析损伤所在的电路功能和器件结构,阐述闩锁效应形成的机理。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年06期）
杨海峰,王睿,龙弯[8]（2014）在《CMOS器件闩锁效应防护设计研究与发展现状》一文中研究指出以CMOS器件为基本单元的集成电路已成为当今世界LSI、VLSI、ULSI中应用最为广泛的一种电路结构,而现阶段CMOS电路系统中的闩锁效应在影响器件可靠性的同时也在很大程度上阻碍了电路系统性能及集成度的提高,所以电路防闩锁研究意义重大。本文以N阱CMOS反相器的研究为出发点,探讨CMOS集成电路的工艺结构,并且在此基础上运用可控硅等效电路模型分析闩锁效应的形成机理。从电路开关控制、电路内部PN节结构以及外部辐照效应叁个方面分析闩锁效应被触发的原因。从版图级抗闩锁,工艺技术级抗闩锁,电路应用级抗闩锁叁方面对闩锁效应的防护进行分析论证。(本文来源于《第十叁届全国物理力学学术会议论文摘要集》期刊2014-10-17）
陈睿,余永涛,董刚,上官士鹏,封国强[9]（2014）在《不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法》一文中研究指出基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2014年07期）
贾琼,孟坚[10]（2013）在《CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施》一文中研究指出目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术,但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并未为人们所接受。文章先对一个CMOS反相器以及它的工作原理进行了详细的介绍,进而在CMOS反相器的基础上对CMOS电路中闩锁效应的产生机理做了充分的分析,提取了用于分析闩锁效应的集总器件模型,并且获得了闩锁效应的产生条件。通过对闩锁效应内部原理的认识,我们知道对闩锁效应的抑制或者预防是完全可以做到的,这可以通过对版图设计规则和对CMOS工艺技术的改进而达到。文章最后根据闩锁效应的产生条件给出了几种预防闩锁效应的措施。(本文来源于《电脑知识与技术》期刊2013年25期）
闩锁效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10~4 W/cm~2;并发现在工作电压3.3和3.6 V,光功率密度1.9×10~6—1.6×10~7W/cm~2的辐照下,闩锁电流发生了明显的降低,即出现了闩锁电流的"窗口现象"基于闩锁等效电路模型,利用多路径闩锁机制,构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明:激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致,其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换,从而诱发这一现象.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
闩锁效应论文参考文献
[1].王轩,巨艇,周国昌,赖晓玲,唐硕.标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计[J].空间电子技术.2019
[2].陈钱,马英起,陈睿,朱翔,李悦.激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究[J].物理学报.2019
[3].黄东巍,蔡依林,任翔.集成电路动态闩锁效应检测方法研究[J].电子元器件与信息技术.2018
[4].侯立功,陈天娥.抗闩锁效应微处理器复位电路设计研究[J].测控技术.2015
[5].杨海峰.线阵碲镉汞探测器的光致反常响应及闩锁效应研究[D].国防科学技术大学.2015
[6].樊海霞,朱纯仁.基于CMOS集成电路闩锁效应理论的实践[J].电子测试.2015
[7].刘楠,刘大鹏,张辉,祝伟明.由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析[J].半导体技术.2015
[8].杨海峰,王睿,龙弯.CMOS器件闩锁效应防护设计研究与发展现状[C].第十叁届全国物理力学学术会议论文摘要集.2014
[9].陈睿,余永涛,董刚,上官士鹏,封国强.不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法[J].强激光与粒子束.2014
[10].贾琼,孟坚.CMOS闩锁效应的研究及其几种预防措施[J].电脑知识与技术.2013