导读:本文包含了多值逻辑电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:逻辑,电路,量子,电流,加法器,符号,电路设计。
多值逻辑电路论文文献综述写法
张高曼[1]（2019）在《基于多值逻辑系统的量子电路综合的研究与实现》一文中研究指出量子计算领域逐渐兴起,量子电路作为量子计算的通用描述语言,对其综合算法的研究将成为最具前景的科研课题之一。但是,学者对多值逻辑系统的量子电路性质和通用综合算法的研究还处在初级阶段。目前,很多现有的量子电路综合算法存在适用电路规模较小、电路量子代价过高等诸多问题,即不能满足量子计算及相关领域对量子电路的需求,算法仍有很大的改进空间。理论上,基于多值逻辑系统的量子计算在提升计算性能方面有显着优势。因此,系统而深入地研究多值逻辑系统电路的合成及优化技术,寻找更为高效的电路综合算法成为亟待解决的技术难题。在本文中,对多值逻辑系统量子逻辑门的数学原理、电路性质及电路通用综合算法等相关内容进行了探讨。主要研究工作和成果包括:1、二值量子桶型位移器的综合数据位移是计算机数据处理中最常见的操作之一。一种具有N个输入端和M个控制位的位移装置,称为(N,M)位移器。它有一组控制输入端,指定如何在输入端和输出端之间进行数据移位。本文利用分治思想,基于置换群分解和电路级联规则提出了桶型位移器合成新方法。以左循环移位为基本位移类型,该方法只需(3,1)位移器和受控交换门,就能以较低的量子代价将其快速综合成任意最优(n,1)受控位移器。通过级联m层最优(n,1)位移器,可得到任意最优(n,m)桶型位移器。通过分析电路复杂度得,该方法不仅可以快速设计出最优(n,m)桶型位移器电路,而且有效地减少量子门数和电路量子代价,极大提高综合算法的效率。此外,位移运算涉及多种位移类型,基于其他常见位移类型的桶型位移器设计方法也已给出。2、基于NCV-|v1>门库的四值逻辑量子电路综合为更好地构造量子电路,学者们基于不同的物理实现方法提出了多种量子门库。目前,基于二值逻辑电路综合的学术成果颇多,而对多值逻辑的量子电路综合技术的研究还处在初级阶段。本文利用Zahra Sasanian提出的NCV-|v1>门库,以NOT、V、V+基本门功能作为切入点,用四值逻辑思想构造基本门。分析得出对应酉矩阵,从理论上证明了 NCV-|v1>门库的可行性,并从多角度和二值逻辑系统NCV门库进行比较分析。实验结果表明,基于四值逻辑的NCV-|v>门库相对于基于二值逻辑的NCV门库在优化大型电路时,量子电路代价明显减少,充分体现出NCV-|v1|>门库优势。该方法将量子代价作为量子电路评价标准,在综合全部最优3量子电路时,电路平均量子代价比文献[48]减少了 0.33倍。(本文来源于《扬州大学》期刊2019-04-01）
杨辉[2]（2019）在《基于忆阻器的二值逻辑与存储电路研究》一文中研究指出忆阻器是一种具有记忆特性的非线性电路元件,其具有纳米级尺寸、非易失性、阻值可变等特性,被称为“第四种基本电路元器件”。忆阻器的阻值能够在高阻态和低阻态之间转变,这种高低阻态能够用来模拟传统CMOS晶体管的开关状态,构建忆阻器逻辑电路,替代晶体管实现逻辑运算,使忆阻器在逻辑电路和信息存储等方面有着巨大的应用潜能。本文的工作具体可以分为以下四个部分:首先,本文对经典惠普忆阻器模型展开讨论,通过惠普忆阻器模型的数学表达式分析了磁通量#、电荷q和电流i这叁个变量之间的关系,通过Matlab数值仿真和SPICE电路模拟,验证了惠普忆阻器特性。接着介绍了一种更加精确的忆阻器模型—Simmons隧道结模型,但其数学式过于繁琐,于是引入电压阈值自适应忆阻器(VTEAM)模型,通过实验仿真证明了 VTEAM模型与实际忆阻器更为贴近,通用性更好。然后介绍了现有的叁种忆阻器逻辑电路,分别是MRL(Memristor Ratioed Logic)电路,MAD Gates(Memristor As Drivers Gates)逻辑电路和蕴含(IMPLY)逻辑电路。通过数学公式推论以及电路模拟,验证了每一种电路的有效性。同时,通过实验分析也发现每一种电路都有其自身相应的不足之处:MRL逻辑电路功能单一;MADGates电路以忆阻器的阻值作为电路的输入输出,在每一次操作之前需要初始化,级联特性一般;蕴含逻辑电路实现每一种逻辑功能需要的操作步骤较多,使得电路时延增大。其次,设计了一种忆阻器与CMOS混合逻辑电路,能够在同一电路中同时实现AND-OR-XOR-XNOR四种基逻辑功能。相较于MAD Gates,MRL,IMPLY逻辑电路,忆阻器数量和功耗均有大幅降低,电路性能更优,电路效率大幅提高。根据文章中提出的通用逻辑电路构建了一种新的全加电路及二值图像加密电路,相比于几种经典的忆阻逻辑,本文设计的加法电路只需要更少的元器件就能够实现同样的功能。本文设计的二值图像加密电路能够用两种不同的加密方式实现图像加密,密钥与电路相互独立,提高了加密结果的可靠性。最后,根据忆阻器的非易失特性和阻值可变特性,我们构建了一种基于忆阻器的即时存储结构。通过电路实验仿真,证明了不论存储器处于何种状态,该电路都能够即时对信息进行有效的存储,在此基础之上构建了大规模的存储阵列,使得信息可以被即时存储,长期保存。(本文来源于《西南大学》期刊2019-03-15）
孔伟名[3]（2018）在《基于单电子晶体管的通用逻辑门和叁值逻辑电路设计研究》一文中研究指出集成电路(Integrated circuit,IC)技术近60年的飞速发展,对信息化时代的到来起到了极大的推动作用。但随着器件特征尺寸的不断缩小,电路中互连线、热耗散、短沟道效应以及量子力学效应等一系列问题不断显现。单电子晶体管(Single Electron Transistor,SET)凭借着其高集成度、低功耗以及与传统的CMOS电路相兼容等优势,被认为是新一代超低功耗、超高密度集成电路最具有竞争力的新型纳米电子器件之一。论文在阐述单电子晶体管原理、结构、仿真模型和电学特性的基础上,对SET的通用逻辑门、超前进位加法器和多值逻辑门电路设计进行了研究。具体工作如下:1、单电子晶体管通用逻辑门以及通用阈值逻辑门设计研究。在介绍通用逻辑门原理的基础上,优化设计了基于SET的最佳通用逻辑门ULG.2。优化后的电路具有晶体管数更少,延迟和功耗更小的特征。利用ULG.2设计了全加/减器和全比较器。提出了基于SET的叁变量通用阈值逻辑门UTLG,通过设计实例说明了基于叁变量通用阈值逻辑门的查表设计方法。2、基于SET的超前进位加法器设计与研究。在对超前进位加法器原理分析的基础上,从进位结构和底层电路两方面进行了优化设计,通过16位超前进位加法器的设计验证了方案的正确性。结果表明该加法器具有结构简单、功耗低、延迟小的优点。3、基于SET的叁值逻辑基本门电路设计与研究。在开关-信号理论的指导下,建立了控制信号、传输源及电路阈值叁者间的作用关系的传输运算表达式。通过对叁值逻辑电路分析,设计了基于SET的叁值文字、极性变换、与门、或门以及通用T门算子等电路。仿真结果验证了电路逻辑功能的正确性。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2018-06-01）
林其芃,李力南,张锋[4]（2017）在《一种基于多值RRAM的快速逻辑电路》一文中研究指出针对移动物联网设备,提出一种基于多值RRAM的快速逻辑电路,以实现非易失性存储与快速逻辑运算。利用RRAM多值存储特性,采用Crossbar结构,实现了简单快速的译码器与高存储密度查找表,使逻辑电路具有较快的运算速度和较小的面积。基于该结构实现了4位、8位和16位的乘法器,其外围电路采用SMIC 65 nm CMOS工艺实现,而其核心多值RRAM则采用Verilog-A模型模拟。仿真结果表明,与传统CMOS逻辑电路相比,基于多值RRAM的16位乘法器的速度提高了35.7%,面积减少了14%。(本文来源于《微电子学》期刊2017年04期）
郑雪松[5]（2014）在《基于绝热多米诺逻辑的多值时序电路研究》一文中研究指出随着集成电路以超摩尔定律的速度飞速发展，在推动信息产业不断进步的同时，由于集成度和复杂度的不断提高，面积和功耗已成为限制集成电路进一步发展的主要因素。多值逻辑电路相比于二值逻辑电路具有高信息密度的优点，为减少芯片内部连线和芯片面积提供了一种有效途径。采用绝热技术的绝热多米诺电路具有低功耗的特点，可大大降低集成电路能量的消耗，同时拥有多米诺电路结构简单的优势。因此，通过对绝热多米诺电路和多值逻辑电路的研究，以叁值逻辑为代表，以时序电路为研究内容，提出叁值绝热多米诺时序电路的设计方案，该方案采用多值逻辑电路提高电路的信息密度，采用绝热逻辑降低电路的功耗，实现高信息密度低功耗时序电路设计的目标。论文将从以下几个部分进行展开：开关—信号理论和叁值绝热多米诺运算电路设计：深入研究开关—信号理论，并根据此理论和文字运算互补和互斥关系设计叁值绝热多米诺文字运算电路和叁值绝热多米诺T运算电路，为设计后续叁值绝热多米诺电路奠定基础。叁值绝热多米诺触发器设计：分析二值触发器类型和结构，研究多值触发器的特性和工作原理，结合绝热电路和多米诺逻辑电路设计思想，设计叁种类型的叁值触发器：叁值绝热多米诺置态触发器、叁值绝热多米诺JKL触发器和叁值绝热多米诺T触发器。叁值绝热多米诺移位寄存器设计：分析移位寄存器工作原理，根据绝热多米诺设计思想，设计带有复位端的叁值绝热多米诺D触发器，并结合具有数据选择功能的叁值绝热多米诺T运算电路设计叁值绝热多米诺移位寄存器。叁值绝热多米诺可逆计数器设计：分析叁值计数器工作原理，引入能量恢复技术和多米诺电路设计方法，设计带有置位复位端叁值绝热多米诺D触发器、具有正反计数功能的叁值绝热多米诺正反循环门、用于级联拓展的叁值绝热多米诺进位借位电路，最终实现叁值绝热多米诺可逆计数器的设计。对上述所设计的电路进行HSPICE软件仿真，验证所有电路的逻辑功能正确性，并与采用直流电源的常规叁值多米诺电路进行功耗比较，验证所设计电路的低功耗特性。(本文来源于《宁波大学》期刊2014-06-08）
韦一,沈继忠[6]（2013）在《一种共振隧穿二极管叁值逻辑电路设计方法》一文中研究指出通过对多值单稳态—多稳态转换逻辑单元的分析,发现开关信号理论可以准确地解释其工作原理。在此基础上,提出了叁值共振隧穿二极管电路一般结构,用于实现任意叁值逻辑函数。相应的电路设计方法可归为求取开关函数的最简表达式,并用异质结场效应晶体管实现,从而避免电路中共振隧穿二极管参数的调整,简化整个设计过程。模拟仿真表明所设计的电路具有正确的逻辑功能。(本文来源于《山东大学学报(工学版)》期刊2013年03期）
杨钢[7]（2013）在《多值量子可逆逻辑电路综合方法的研究》一文中研究指出随着计算迅速的发展，在不久的将来，能量耗散将是计算发展的瓶颈。研究发现，不可逆计算是能量耗散的根本来源，基于此研究人员提出了全新的计算方式：可逆计算。其中量子计算是一种典型的可逆计算，发展至今已经取得不少的成就。量子电路模型是研究量子计算的主流研究模型，其中可逆量子逻辑电路综合的研究是量子电路模型研究的重中之重。从研究的横向看，主要包括二值量子系统和多值量子系统的量子电路综合研究。因为多值系统在电路规模、编码方面和信息安全等方面都比二值量子系统有绝对的优势，所以多值量子系统的电路综合的研究成为了一个新的研究热点。本文主要研究多值量子系统，并以叁值量子系统为研究雏形，研究其可逆逻辑电路综合方法，主要工作如下：1．对输入态和输出态时均是基态的特殊电路进行研究，首先提出了一种基于置换群的叁值量子可逆逻辑综合算法，然后提出TX门系和TCX门系作为叁值量子系统的基本量子门，并用构造性的方式证明了其通用性。最后将叁值系统得到的算法推广至一般性的多值量子系统。2．由量子物理通识可知，所有量子态的演算均有酉算子对应，由群的表示理论可知，每一个酉算子都可以表示成复空间中的酉矩阵，每个酉矩阵可以抽象成一个量子逻辑门，所以量子可逆逻辑电路的综合就等价为酉矩阵的分解问题。第四章主要论述基于CSD分解的方法，证明了任意的一个3~n×3~n的酉矩阵可由12个控制酉门、12个Dual-shift门、3~n个n-1控制旋转门和2(n1)3~n1个TX门综合实现。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-03-01）
盛法生,王柏祥[8]（2010）在《基于差分逻辑的多值加法电路研究》一文中研究指出该文提出了一种新的多值电流模电路高速运算系统的设计,电路用差分逻辑与双轨互补输入,使得信号电压摆幅小,电流恒定,从而使电路延迟减小。作为运算系统的一个应用,针对二进制符号数加法传统算法的不足,提出了基于差分逻辑多值电流模的基-2符号数加法器设计,实验结果表明与传统结构相比,该算法实现的电路速度更快、面积更小、动态功耗更少。(本文来源于《浙江省电子学会2010学术年会论文集》期刊2010-10-30）
盛法生,王柏祥[9]（2010）在《基于差分逻辑的多值加法电路研究》一文中研究指出该文提出了一种新的多值电流模电路高速运算系统的设计,电路用差分逻辑与双轨互补输入,使得信号电压摆幅小,电流恒定,从而使电路延迟减小。作为运算系统的一个应用,针对二进制符号数加法传统算法的不足,提出了基于差分逻辑多值电流模的基-2符号数加法器设计,实验结果表明与传统结构相比,该算法实现的电路速度更快、面积更小、动态功耗更少。(本文来源于《杭州电子科技大学学报》期刊2010年05期）
曾小旁[10]（2010）在《基于多值逻辑的电压型高信息密度单元电路研究》一文中研究指出微电子领域在本世纪最现实、最迫切的发展方向是由集成电路(IC)向集成系统(IS)方向的转变。在提高芯片性能的同时,也导致了芯片面积不断增大,连接复杂性提高,互连线所占面积增大,互连线延迟以及互连线产生的其它寄生效应等问题。而多值逻辑电路在提高信号线携带信息量方面,显示了强大的优势,为解决集成电路中互连线增多带来的一系列问题提供了一条有效的解决途径。但多值逻辑电路目前采用二值元件来实现,其电路结构较之同类二值电路复杂,功耗大,对其电路的结构实现依然是值得研究的对象。本文通过对多值逻辑理论的研究,从基本性能,基本电路出发,以多值开关—信号理论为指导,提出电压型多值逻辑电路的更优设计结构。具体研究内容包括以下几个部分:1、基于多值开关—信号理论的电压型叁值定源传输管(Fixed-Power Pass-Transistor, FPT)电路设计。FPT逻辑结构为开关级设计的传统结构,它表示电路按传输源0,1,2有叁路开关分支所组成。本文以开关—信号理论为指导,推出叁值定源传输管电路的开关级表达式,设计电路。2、基于多值开关—信号理论的电压型叁值双传输管(Double Pass-Transistor, DPT)电路设计。DPT逻辑结构采用互补信号,变源传输原理,完全基于标准CMOS工艺而无需修改阈值电压。以开关—信号理论为指导,建立描述简单门电路开关级表达式,采用DPT逻辑结构设计电路。3、基于多值开关—信号理论的电压型叁值互补传输管( Complementary Pass-Transistor, CPT)电路设计。CPT逻辑结构采用互补信号,变源传输原理,双轨差分结构,电路结构规则,具有较好的鲁棒性和良好的驱动能力。因此本文将其结构引入到多值逻辑电路的设计中,以开关—信号理论为指导,设计具有一定功能的叁值逻辑电路。最后,对所设计的电路采用TSMC 0.25μm CMOS工艺参数进行了PSPICE模拟,分析验证应用多值开关—信号理论设计的多值逻辑电路具有正确的逻辑功能,而且电路结构都有很大的简化,设计的电路灵活性高,可以方便的推广到更高基的多值逻辑电路设计。(本文来源于《宁波大学》期刊2010-01-12）
多值逻辑电路论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
忆阻器是一种具有记忆特性的非线性电路元件,其具有纳米级尺寸、非易失性、阻值可变等特性,被称为“第四种基本电路元器件”。忆阻器的阻值能够在高阻态和低阻态之间转变,这种高低阻态能够用来模拟传统CMOS晶体管的开关状态,构建忆阻器逻辑电路,替代晶体管实现逻辑运算,使忆阻器在逻辑电路和信息存储等方面有着巨大的应用潜能。本文的工作具体可以分为以下四个部分:首先,本文对经典惠普忆阻器模型展开讨论,通过惠普忆阻器模型的数学表达式分析了磁通量#、电荷q和电流i这叁个变量之间的关系,通过Matlab数值仿真和SPICE电路模拟,验证了惠普忆阻器特性。接着介绍了一种更加精确的忆阻器模型—Simmons隧道结模型,但其数学式过于繁琐,于是引入电压阈值自适应忆阻器(VTEAM)模型,通过实验仿真证明了 VTEAM模型与实际忆阻器更为贴近,通用性更好。然后介绍了现有的叁种忆阻器逻辑电路,分别是MRL(Memristor Ratioed Logic)电路,MAD Gates(Memristor As Drivers Gates)逻辑电路和蕴含(IMPLY)逻辑电路。通过数学公式推论以及电路模拟,验证了每一种电路的有效性。同时,通过实验分析也发现每一种电路都有其自身相应的不足之处:MRL逻辑电路功能单一;MADGates电路以忆阻器的阻值作为电路的输入输出,在每一次操作之前需要初始化,级联特性一般;蕴含逻辑电路实现每一种逻辑功能需要的操作步骤较多,使得电路时延增大。其次,设计了一种忆阻器与CMOS混合逻辑电路,能够在同一电路中同时实现AND-OR-XOR-XNOR四种基逻辑功能。相较于MAD Gates,MRL,IMPLY逻辑电路,忆阻器数量和功耗均有大幅降低,电路性能更优,电路效率大幅提高。根据文章中提出的通用逻辑电路构建了一种新的全加电路及二值图像加密电路,相比于几种经典的忆阻逻辑,本文设计的加法电路只需要更少的元器件就能够实现同样的功能。本文设计的二值图像加密电路能够用两种不同的加密方式实现图像加密,密钥与电路相互独立,提高了加密结果的可靠性。最后,根据忆阻器的非易失特性和阻值可变特性,我们构建了一种基于忆阻器的即时存储结构。通过电路实验仿真,证明了不论存储器处于何种状态,该电路都能够即时对信息进行有效的存储,在此基础之上构建了大规模的存储阵列,使得信息可以被即时存储,长期保存。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多值逻辑电路论文参考文献
[1].张高曼.基于多值逻辑系统的量子电路综合的研究与实现[D].扬州大学.2019
[2].杨辉.基于忆阻器的二值逻辑与存储电路研究[D].西南大学.2019
[3].孔伟名.基于单电子晶体管的通用逻辑门和叁值逻辑电路设计研究[D].浙江工业大学.2018
[4].林其芃,李力南,张锋.一种基于多值RRAM的快速逻辑电路[J].微电子学.2017
[5].郑雪松.基于绝热多米诺逻辑的多值时序电路研究[D].宁波大学.2014
[6].韦一,沈继忠.一种共振隧穿二极管叁值逻辑电路设计方法[J].山东大学学报(工学版).2013
[7].杨钢.多值量子可逆逻辑电路综合方法的研究[D].电子科技大学.2013
[8].盛法生,王柏祥.基于差分逻辑的多值加法电路研究[C].浙江省电子学会2010学术年会论文集.2010
[9].盛法生,王柏祥.基于差分逻辑的多值加法电路研究[J].杭州电子科技大学学报.2010
[10].曾小旁.基于多值逻辑的电压型高信息密度单元电路研究[D].宁波大学.2010